Умумий эмиттер схемасида уланган биполяр транзисторда ясалган содда кучайтиргич схемаси параметрларини ўлчаш

2. Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:
2.1. Ўзгармас ток бўйича транзистор режимини ўрнатиш.
2.1.1. 2.2 – расмда келтирилган схемани йиғинг (бу 2.1 – расмда келтирилган кучайтиргич босқичи схемасининг транзистор ишчи нуқтасини аниқловчи қисми).

2.1-расм. Кучайтиргич ишчи режимини ўрнатиш.

Е₂ =10В

R_K =3,3 кОм
R_Б =10-56 кОм ўрнатинг.
Ўзгармас , кучланишларни ўлчаш учун вольтметрларни уланг.
2.1.2. Е₁ катталикни ўзгартириб бориб, (*) бўлган ҳол учун транзистор ишчи нуқтасини танланг.
кучланишни ўлчанг ва ўзгармас ташкил этувчиларини аниқланг.
База токи
(2.6)
коллектор токи (2.7)
ва база токини статик узатиш коэффициенти
(2.8)
(*) Реал схемаларда Е₁ = Е₂ қилиб ҳамда мос R_Б катталиклари танланади

2.2-расм. БТда ясалган УЭ кучайтиргич схемаси
Ишда 2.1- расмда кўрсатилган, умумий эмиттер схемада уланган биполяр транзисторда ясалган содда кучайтиргич босқичи параметрлари ўлчанади.
Лаборатория ишини бажариш тартиби

• 
  2.2- расмда келтирилган схемани 2.1 - жадвалда берилган параметрлар асосида NI Multisim датурий муҳитида йиғинг;
  
• 
  нинг қийматини топиб олиш учун тайёр NI Multisim датурий муҳитида йиғилган схемадаги E1 манбадан берилаётган кучланишни вариантда берилган I_К қийматига тўғри келгунча ўзгартиринг.
  
• 
  Топилган қийматидан фойдаланиб дастлабги ҳисоблашлар учун берилган формулалар ёрдамида ҳисоб-китоб қилинг ва натижаларни 2.2-жадвал қисмига ёзиб олинг;
  
• 
  NI Multisim датурий муҳитида йиғилган схемадаги E1 манбага ёзиб олинган қийматларини киритиб, 2.1-жадвалнинг қолган қисмини тўлдиринг;
  
• 
  2.2 жадвал асосида олинган натижаларга ишлов беринг.