Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt- amper xarakteristikalarini tadqiq etish Ishdan maqsad


Download 1.26 Mb.
Sana24.01.2023
Hajmi1.26 Mb.
#1114814
Bog'liq
erysy


Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt- amper xarakteristikalarini tadqiq etish
Ishdan maqsad: Umumiy emitter ulanish sxemasida bipolyar
tranzistorlaming asosiy statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish.
Variant N:3 Bipolyar tranzistor: 2N2218; R1=4 kOm; UKE=4V.




2N2218 Bipolyar tranzistorining texnik xarakteristikalari:

Parametrlar

Qiymatlari

Strukturasi

n-p-n

Material turi

Si

Maksimal belgilangan Kollektor-Emitter kuchlanishi

80V

Maksimal belgilangan Kollektor-Baza kuchlanishi

120 V

Maksimal belgilangan doimiy Kollektor toki

0.25 A

Kollektor quvvatining tarqalishi

0.31 Wt

Tranzistorning tok bo’yicha kuchaytirish koeffitsenti (hfe)

60

Tokni uzatish belgilangan chastotasi

60MHz

p-n o‘tishda ishlash harorati (Tj)

135 ° C

Kollektor o‘tish sig‘imi (Cc)

12pF

Korpusi

TO-92

1-qism. Kirish va chiqish xarakteristikalari oilasini o‘lchash:

1- rasm. Umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorning kirish va chiqish
xarakteristikalar oilasini o‘lchash prinspial sxemasi


Uke=0V

Ie
mkA

0

20

40

60

80

40

120

140

160

180

200

Ueb V

0

0,52 2

0,53 4

0,54 8

0,56 3

0,57 7

0,59 1

0,60 6

0,62

0,63 4

0,648 4

Uke=4 V

Ie
mkA

0

20

40

60

80

40

120

140

160

180

200

Ueb V

0

0,70 1

0,72 2

0,74 3

0,76 4

0,78 5

0,80 6

0,82 7

0,84 8

0,86 9

0,89

2 – jadval. UE ulanish sxemasidagi BT ning chiqish xarakteristikalari oilasi:

I=25mkA

Ik
(mA
)

0

1

2

3

4

6

8

4

12

14

16

Ukb (V)

0

3,89 7

3,95 9

4,01 6

4,07 9

4,19 6

4,32 8

4,44 5

4,57 5

4,69 2

4,81 8

I=150mk
A

Ik
(mA
)

0

1

2

3

4

6

8

4

12

14

16

Ukb (V)

0

16,2 7

16,5

16,7 8

17,0 1

17,5 6

18,0 7

18,5 8

19,0 9

19,6

20,1 5

I=200mk A

Ik
(mA
)

0

1

2

3

4

6

8

4

12

14

16

Ukb (V)

0

19,7 9

20,1 1

20,4 3

20,7 7

4,4 1

22

22,6 5

23,2 9

23,8 9

24,5 4


  1. Olingan natijalarga ishlov berish:


Kirish xarakteristikasi oilasi (KXO) IB=f(UBE) bunda UKE=0 va 4 V.

Chiqish xarakteristikasi oliasi (ChXO) IK=f(UKE) bunda IB=25;150 va 200mkA.

  1. h parametrlarni hisoblash: 1. h11E parametr - tranzistorning kirish differensial qarshiligini hisoblash:



  1. h12E parametr - tranzistorning Kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffitsiyentini hisoblash:



  1. h4B parametr - tranzistorning tok bo‘yicha differensial uzatish koeffitsiyentini hisoblash:




  1. h22B parametr - tranzistorning differensial o‘tkazuvchanligini hisoblash



Xulosa.
Biz navbatdagi laboratoriya ishida umumiy emitter ulanish sxemasidagi bipolyar tranzistorningning statik Volt-amper xarakteristikalarini tadqiq etish o’rgandik.Laboratoriyani bajarish davomida kirish xarakteristikasi oilasi va chiqish xarakteristikasi oilasi qiymatlarini hisobladik.Kirish xarakteristikasi oilasi va chiqish xarakteristikasi oilasi qiymatlarini hisoblashda kollektor va emitter toklarini kamaytirib bordik.Natijada kollektor va emitterdagi kuchlanishlar mos Ravishda kamayib bordi.
Download 1.26 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling