Va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti nurafshon filiali

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOGIYALARI
VA KOMMUNIKATSIYALARINI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI


MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NURAFSHON FILIALI

“ELEKTRONIKA VA SXEMALAR”

fani bo’yicha tayyorlagan
MUSTAQIL ISHI

GURUH: 310-21
BAJARDI:TURDALIYEV SAMOIDDIN
TEKSHIRDI:KAYUMOVA SHAHNOZA
NURAFSHON-2022
REJA:

1.Multisim dasturida bipolyar tranzistorli kuchaytirgich sxemasini chizish.
2.Savollarga javob.
a)Bipolyar tranzistorda kuchaytirgich nima?
b) Tranzistorni ulash sxemasi kuchaytirgich ko’rsatkichlariga qanday ta’sir qiladi
c)Yuqori chastotalar sohasida qaysi elementlar buzilishlar hosil qiladi?

Multisim dasturida bipolyar tranzistorli kuchaytirgich sxemasini chizish.

SAVOLLARGA JAVOB
1. Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi eng keng tarqalgan. Kuchaytirgich taҳlil qilinganda signalmanbai yoki qarshilik R_G bilan ketma – ket ulangan ideal kuchlanishmanbai E_G ko’rinishida (6.1 a-rasm), yoki qarshilik R_G bilan parallel ulangan ideal tokmanbai I_G ko’rinishida (6.1 b-rasm) ifodalanishimumkin.

a) b)
6.1 – rasm.
Agar R_G va kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligi qiymatlari bir – biriga yaqin bo’lsa, signalmanbaining turi ҳisoblash aniqligiga tasir ko’rsatmaydi. Agar R_G kuchaytirgich bosqichining kirish qarshiligidan ancha katta bo’lsa, 6.1 b-rasmda keltirigan signalmanbaidan, aks ҳolda esa 6.1 a-rasmda keltirigan signalmanbaidan foydalanish tavsiya etiladi.
Umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar tranzistorda yasalgan kuchaytirgich bosqichi sxemasi 6.2 – rasmda keltirilgan.
Sxemani taҳlil qilganda, tranzistor ҳolati kirish kuchlanishi bilan boshqarilganda uzatish xarakteristikasi (6.3-rasm), chiqish xarakteristikalar oilasi (4.5-rasm) ҳamda kirish xarakteristikalar oilasi (4.4-rasm) dan foydalanish qulay.

6.2 – rasm. 6.3 – rasm.

Uzatish xarakteristikasi - kollektor toki I_K ning baza – emitter kuchlanishi U_BE ga boғliqligi eksponentsial funktsiya bilan approksimatsiyalanadi

. (6.1)
bu yerda - termik potentsial, I_KS – proportsionallik koeffitsienti bo’lib uning taҳminiy qiymatimikroquvvatli kremniyli tranzistorlar uchun T=300 K bo’lganda 10^-9mA tartibga ega bo’ladi.
Kirish signalimavjud bo’lmaganda kuchaytirgich bosqichi sokinlik rejimida bo’ladi. Sokinlik rejimida kollektor – emittter kuchlanishining doimiy tashkil etuvchisi .
Kirishga o’zgaruvchan kirish signaliningmusbat yarim davri berilsa, baza toki ortadi va u kollektor toki o’zgarishiga olib keladi. Bu ҳolat uzatish xarakteristikasi (6.3-rasm) dan ko’rinib turibdi. Kollektor toki I_K ning U_BE kuchlanishiga boғliq ravishda o’zgarishi