Va kommunikatsiyalarni rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnoloogiyalari universiteti

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI AXBOROT TEXNOLOOGIYALARI

VA KOMMUNIKATSIYALARNI RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI

MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT

TEXNOLOOGIYALARI UNIVERSITETI

Elektronika va sxemalar kafedrasi

Raqamli qurulmalarni loyihalashga kirish fani bo’yicha

MUSTAQIL ISH

Mavzu: TTM, SHTTM, n-MDYA, p-MDYA va

KMDYA mantiq elementlarini xususiyatlari

Bajardi: 217-18 guruhi talabasi Nurmatov Baxodir

TOSHKENT-2020

2-MUSTAQIL ISH

10-variant

2. 
   TTM, SHTTM, n-MDYA, p-MDYA va KMDYA mantiq elementlarini xususiyatlari.
   
   1. 
      2HAM-EMAS funktsiyasini bajaruvchi TTM sxemasi.
      
   2. 
      2HAM-EMAS funktsiyasini bajaruvchi SHTTM sxemasi.
      
   3. 
      YOKI funktsiyasini bajaruvchi n-MDYA sxemasi.
      
   4. 
      4HAM funktsiyasini bajaruvchi p-MDYA sxemasi.
      
   5. 
      5YOKI funktsiyasini bajaruvchi KMDYA sxemasi.
      

Eslatma: 2-Mustaqil ishning barcha bandlarini bayon etishda quyidagilarni amalga oshiring: haqiyilik jadvali, funktsiyani matematik ifodalari, blok sxemalari hamda vaqt diagrammalarini keltiring

1. Mantiqiy integral sxema yoki mantiqiy element (ME) deb ikkilik sanoq tizimida berilgan axborotlarni mantiqiy o’zgartirishga mo’ljallangan elektron sxemalarga aytiladi. MElar sanoatda murakkablik darajasiga ko’ra turli seriyalar ko’rinishida ishlab chiqariladi. Seriya deganda, turli funksiyalar bajara oladigan, yagona konstruktiv – texnologik usulda bajarilgan va birgalikda ishlashga mo„ljallangan IMS majmuiga aytiladi. Shundayligiga qaramasdan, har bir seriyada ushbu seriyadagi boshqa sxemalarga asos hisoblanadigan negiz MElar (invertorlar, HAM-EMAS ME, YOKIEMAS ME, triggerlar, schetchiklar, registrlar va h.k.) mavjud. Hozirgi vaqtda RISlarni loyihalashda quyidagi negiz MElar keng Qo’llaniladi: tranzistor – tranzistorli mantiq; emitterlari bog’langan mantiq; integral–injeksion mantiq; bir turdagi MDYA – tranzistorli mantiq; komplementar MDYA–tranzistorli mantiq. Negiz MElarning sxema variantlarini tranzistorli mantiqlar deb atash qabul qilingan. Mantiq turi qo’llanilgan elektron kalit va elementlar orasida o’rnatilgan bo’liqlik bilan aniqlanadi. Sanab o’tilgan MElarning hech biri tezkorlik, iste’mol quvvati, joylanish zichligi va texnologikligi bilan sxemotexnikaning barcha talabalariga to’liq javob bera olmaydi. Shuning uchun IS ishlab chiqarishda u yoki bu negiz sxemani tanlash buyurtmachining texnik talabalari va ishlatish sharoitlariga bog’liq.

Tranzistor – tranzistorli mantiq (TTM) elementlar keng tarqalgan va ko’p ishlab chiqariladigan RIS hisoblanadi..

Element ikkita mantiqiy kirishga ega bo’lib, u ko’p emitterli tranzistor (KET) asosida hosil qilingan tok qayta ulagichi va VT1 tranzistorli elektron kalit (invertor)dan tuzilgan. KET TTM turdagi MElarning o’ziga xos komponentasi hisoblanadi. U umumiy baza va umumiy kollektorga ega bo„lgan tranzistorli tuzilmadir. Standart sxemalarda kirishlar (emitterlar) soni KBIRL ≤ 8. TTM elementlar tarkibidagi

KET invers rejimda yoki to’yinish rejimda ishlashi mumkin. KET tuzilmasi va yasalish texnologiyasi shundayki, tok bo’yicha kuchaytirishning invers koeffitsiyenti _I juda kichik bo’lib, 0,01-0,05 oralig’ida yotadi.



Sodda invertorli TTM ME sxemasi

Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar ishlatiladi. Ayniqsa, KIS va O’KIS integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar keng qo’llanilmoqda.

TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydi, ammo iste’mol quvvati va o’lchamlari katta bo’lganligi sababli, faqat kichik va o’rta integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar yaratishdagina qo’llaniladi. 1962-yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili (SiO2) MDYA – tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yo’lga qo’yildi. Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYA integral tranzistorlarda izolatsiyalovchi cho’ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega bo’lganda, MDYA – tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristallda kichik o’lchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda bo„ladi. Kremniy oksidili MDYA ISlarning asosiy kamchiligi – tezkorlikning kichikligidir. Yana bir kamchiligi – katta iste’mol kuchlanishi bo’lib, u MDYA ISlarni BT ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi. MDYA ISlar asosan uncha katta bo’lmagan tezkorlikka ega bo’lgan va kichik tok iste’mol qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qo’llaniladi. MDYA ISlarda eng yuqori entegratsiya darajasiga erishilgan bo’lib, bir kristallda yuz minglab va undan ko’p komponentlar joylashishi mumkin. MDYA – tranzistorli mantiq (MDYATM) asosida yuklamasi MDYA–tranzistorlar asosida yaratilgan elektron kalit - invertorlar yotadi. Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi.

Mantiqiy IMSlar tuzishda n– yoki p–kanali induksiyalangan MDYA–tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko’proq n–kanalli tranzistorlar qo’llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori bo’lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari, n–MDYATM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo’yicha TTM sxemalar bilan t o’liq muvofiqlikka ega.

n – MDYA tranzistorli mantiq elementlar sxemalari