Yarim o’tkazgichli asboblar ishlab chiqarish texnologiYasi muttasil

---

Mikroelektronikaning rivojlanishida texnologiyaning o’rni 

 

Yarim  o’tkazgichli  asboblar  ishlab  chiqarish  texnologiYasi  muttasil 

rivojlanishi  natijasida  integral  sxema  (IS)lar  Yaratildi.  IS  larni  ishlab  chiqarish 

1959 yillarda, taklif etilgan planar texnologiYa asosida, boshlandi. 

Planar  texnologiYa  asosi  bo’lib  quyidagi  bir  qancha  fundamental  texnologik 

usullar xizmat kildi: 

-1957  yilda  kremniyga  donor  va  aksteptorli  kirishmalarni  Lokal  diffuziYa 

qilish (kiritish) uchun kremniy yuzasida termik o’stirilgan SiO

2

 qatlamidan maska 

sifatida foydalanish mumkinligi aniqlandi. 

-1958 yilda Lokal  diffuziYa qilib, kichik o’lchamli va murakkab shakldagi  r-

p-o’tishlar hosil qilish imkonini beruvchi fotolitografiYa (FL) usuli Yaratildi. 

-1959  yilda  r-p-o’tish  sohalarini  atrof-muxit  ta’siridan  himoYalashda  SiO

2

 

qatlamidan foydalanish usuli Yaratildi. 

Har kanday IS tayyorlashda bajariladigan asosiy texnologik jarayonlar: 

1.Kremniy quymasidan plastina qirqish, mexanik ishlov berish  

2.Ximiyaviy ishlov berish bilan plastina sirtini tozalash. 

3.Oksidlash  yuli  bilan  kremniy  plastina  sirtida  SiO

2

  qatlam  hosil  qilish,  bu 

qatlam Lokal diffuziYalash jarayonida kirishmaga to’siq vazifasini bajaradi. 

4.Kremniyli  yoki  boshqa  materialli  (masalan  sapfir)  plastina  yuzasida 

kremniy epitaksial qatlamini o’stirish. 

5.Kremniy  plastinasida  diffuziYa  va  ionli  legirlash  usullari  bilan  kirishma 

kiritilgan sohalar hosil qilish. 

6.Plastina  ishchi  yuzasiga  metall  qatlamlari  hosil  qilish  bilan  omik 

tutashuv,elementlarni o’zaro ulash yo’lchalarini Yaratish. 

7.Lokal  diffuziYaga  SiO

2

  qatlamda  darcha  ochish  va  elementlarni    o’zaro 

ulash yo’lchalarini Yaratish uchun FL jarayonini bajarish. 

8.Bitta plastinada Yaratilgan IS larni parametrlarini tekshirish va Yaroqlilarini 

saralash . 

9.Plastinani kristallarga bo’lish va Yaroqli IS larni qutilarga joylashtirish. 

---

10.Mexanik  mustaxkamligini  temperatura  o’zgarishiga  va  namlikka 

chidamliligini texnologik sinash. 

11.IS parametrlarini so’nggi tekshirish. 

Katta  va  o’ta  katta  (BIS  va  SBIS)  IS  larda  elementlar  soni  10

4

-10

6

  gacha 

bo’lib,  ularni  tayyorlash  uchun  izoplanar  texnologiYa  Yaratildi.  Bu  texnologiYa 

yuqoridagi jarayonlarga qo’shimcha ravishda kremniy plastina yuzasida ximiyaviy 

emirish yuli bilan relefli shakl hosil qilinadi. Nitrid kremniy plyonkasi o’stiriladi. 

FL o’rniga rentgen nur litografiYa va elektron nur litografiYa usullari qo’llaniladi. 

Lokal  emirish  uchun  ion  plazmali  emirish  usullaridan  foydalanish  elementlar 

o’lchamini kichraytirish imkonini beradi. 

Planar  texnologiYani  muxim  jixati  uning  universalligida-dir.  Texnologik 

jarayon  3  ta  takrorlanib  turuvchi  operastiYalar  :  ximiyaviy  ishlov  berish,termik 

ishlov berish va FL lardan iborat. 

                          IS larning afzalliklari: 

-IS  larning  o’lchamlari  kichikligi  va  massasining  kamligi  tufayli  EXM  larni 

Yaratishda va aloqa sistemalarida (tezkorligi tufayli) keng qo’llaniladi. 

-Tannarxining  arzonligi  va  ekspluatastion  harakteristikalarining  Yaxshiligi 

tufayli IS lar uta murakkab sxemalarning sifatini oshirish imkonini beradi. 

                           IS larning kamchiliklari: 

-YUqori chastotalarda IS harakteristikalari emonlashadi. 

-Passiv  elementlar  temperaturaviy  koeffistientlari  ancha  katta  qiymatlarga 

ega.  

-Rezistorlar  qarshiligi  10-50  kOm,  kondensatorlar  sig’imi  esa  200  pF  dan 

kam. 

-Induktiv g’altaklarni IS larda Yaratish  juda murakkab.