Yarim o‘tkazgichli diodlar

Diod tayyorlanadigan kerakli materialni tanlash, n-p o‘tishni tayyorlash texnologiyasi va diodni konstruksiyasi yordamida bu talablar qondirilishi mumkin.

• Diod tayyorlanadigan kerakli materialni tanlash, n-p o‘tishni tayyorlash texnologiyasi va diodni konstruksiyasi yordamida bu talablar qondirilishi mumkin.
• Shularga qarab YO’Dlar qator asosiy tipik guruhlarga bo‘linadi:
• a) vazifalarni bajarish bo‘yicha (to‘g‘rilovchilar, detektorlaydiganlar, varikaplar va boshqa);
• b) chastotali xususiyatlari bo‘yicha (past va yuqori chastotali, SVCH-o‘ta yuqori chastotali);
• v) tuzilishi bo‘yicha (yassi, nuqtaviy);
• g) birlamchi material bo‘yicha (germaniyli, kremniyli, arsenid-galliyi va x.k).
• Bundan tashqari, elektrik parametrlarga qarab bir guruh ichida YODlar bo‘linishlari mumkin.
• Har bir tipik guruhni ta’riflaydigan o‘ziga xos parametrlaridan tashqari ularning maxsus belgilanishiga bog‘liq bo‘lmagan barcha YO’Dlar uchun umumiy parametrlari mavjud. Ularga quyidagilar kiradi: ishlash harorat oralig‘i, ruxsat beriladigan teskari kuchlanish, ruxsat beriladigan to‘g‘rilangan tok, ruxsat beriladigan sochish quvvati.

Ishlash harorat oralig‘i

• Harorat oshgan sari o‘tkazuvchini o‘zining elektr-o‘tkazuvchanligi oshib boradi, to‘yinish toki va n-p o‘tishning buzilish ehtimoli oshadi.
• Yarim o‘tkazgichning taqiqlangan zonasi qanchalik keng bo‘lsa, o‘tishni yo‘l qo‘yiladigan maksimal harorati shunchalik katta bo‘ladi. Masalan, germaniy diodlari uchun atrof muhitni ruxsat etilgan harorati (-60…+70)0C chegaradada, kremniy diodlari uchun esa (-60…+125)0C chegarasidadir. Harorat pasaygan sari to‘g‘ri va teskari qarshiligi oshib boradi, shuningdek kristallning mo‘rtligi oshish tufayli mexanik shikastlanish ehtimoli paydo bo‘ladi.
• Ruxsat etiladigan teskari kuchlanish Utes.p odatda ruxsat etiladigan teskari kuchlanishdir.
• Utes.p=0.8 miqdori qabul qilinadi. Bu yerda Ubuz n-p o‘tishni buzadigan kuchlanish. Ubuz – miqdori yarim o‘tkazuvchini harorati va solishtirma qarshiligiga bog‘liq. Buning tushuntirilishi shundaki n-p o‘tish maydonining kuchlanganligi, demak, buzulish kuchlanishi ham o‘tish eniga bog‘liq, u o‘z navbatida aralashmalarning konsentratsiyasiga bog‘liq, ya’ni yarim o‘tkazgichni solishtirma qarshiligiga. N-p o‘tish qanchalik keng bo‘lsa, yarim o‘tkazgichni solishtirma qarshiligi shunchalik katta bo‘ladi va dastlabki materialni solishtirma qarshiligi qanchalik katta bo‘lsa Ubuz ham katta bo‘ladi.
• Agar katta to‘g‘rilangan kuchlanishni olish kerak bo‘lsa, bunda ruxsat etilganga qaraganda kattaroq teskari kuchlanish diodga berilgan bo‘ladi, buning uchun diodlarni ketma-ket ulanishi qo‘llaniladi. Diodlarni teskari qarshilik miqdorlari bir xil bo‘lmaganligi uchun, bunda ketma-ket ulanganda teskari kuchlanishlari diodlar orasida notekis taqsimlanadi va kattaroq teskari qarshilikka bo‘lgan diod buzilishi mumkin. Bunday bo‘lmasligi uchun har bir ketma-ket ulangan diodni shunday miqdordagi qarshilik bilan shuntlantiriladiki, diodlardagi taqismlangan kuchlanish shu qarshiliklar bilan aniqlangan bo‘lishi kerak.