Z. M. Bobur nomidagi andijon

Diffuzion planar tranzistorlar. Bu ko‟rinishdagi tranzistorlarni tayyorlash kremniy oksidini olib, unda ochilgan parada tirqishlar orqali kirishma atomlarining diffuziya usulida foydalaniladi. Texnologik amallar ketma-ketligi 3-rasmda ko‟rsatilgan.

3-rasm. Diffuzion planar tranzistorning olininshi

Planar tranzistorni tayyorlash uchun n-turdagi kremniy olinib nihoyasida kollektor vazifasini o‟taydigan plastinka oldin suv bug‟i yoki kislorod muhitiga joylashtirilib sirtida zich parda Si O₂ hosil qiladi. 3-rasm a) Fotolitografiya usulida parda tirqish, 3-rasm, b) hosil qilinib u orqali akseptor bor diffuziya qilinadi. 3-rasm v) Bunda plastinkaga p-tur baza qatlami hosil bo‟ladi. Shu jarayon vaqtni o‟zida oksidlanish yuz beradi.Hosil bo‟lgan oksid pardadan yana tirqish 3-rasm, g)ochilib u orqali pardadan donor-fosfor kamroq chuqurlikka diffuziya qilinadi. Natijada “n” Qturdagi emitter qatlam hosil bo‟ladi.3-rasm,d)
Keyin yana hosil bo‟lgan Si O₂ qatlam hosil bo‟ladi va yediriladi.3-rasm, e) Kontaktlar purkaladi va termobosim usulida chiqqichlar ulanadi.3-rasm, j) nihoyat, diffusion –planar transistor tuzilmasining umumiy ko‟rinishi 4-rasmda ko‟rsatilgan.

4-rasm. Diffusion – planar transistor tuzilmasining

umumiy ko’rinishi
Mezaplaner tranzistorlar. Tranzistorlarning aktiv qismini meza-tuzilma ko‟rinishda yaratish uchun emitter va baza ma‟lum qismlarini ikkilama yedirish bilan olinadi 5-rasm. Bu tranzistorlarni bitta yarimo‟tkazgich plastinkada bir texnologik siklda ko‟plab miqdorda tayyorlash mumkin. Shuning uchun parametrlardagi farqlar kam.

5-rasm. Mezaplanar transistor tuzilishi
Meza planer tranzistorlardagi o‟tishlar kichik sig‟imga va uncha katta bo‟lmagan baza qarshiligiga ega. Bu tranzistorlarning chegara takroriyligi bir qancha yuz megagersga boradi.
MDYa tranzistorlar. Bunday tranzistorlarnini olish uchun n- yeurdagi kremniy sirtiga qalin SiO2 o„stiriladi., keyin alohida qismlardan oksid ketkazilib, o„rniga yana yupqa SiO₂ qatlam o„stiriladi. (6,a-rasm). Shu yupqa SiO₂ sirtiga polikristall kremniy parda o„tkaziladi va fotolitografiya olib boriladi (6,b-rasm).
Keyin paynoy va manba sohalari ustidagi oksid yedirilib, tirqishlar hosil qilinadi. Keyingi bosqichda manba va paynov sohalar diffuziya usulida legirlanadi (6,vrasm). Yuqori temperaturda o„tkazilgan natijasida manba va paynov sirti oksidlanib qoladi. Shuning uchun oxirgi amalda oksid qatlam yedirilib, (6,g-rasm) metall elektronlar o„tkaziladi. Zatvor sifatida polikristall kremniyning qo„llanilishi chegara kuchlanishini 0,5-,0V gacha kamaytiradi. Bu esa IMS larda katta afzallikni keltiradi.