Z. M. Bobur nomidagi andijon

4. Tranzitorlarni olish texnologiyasi.
Turli ko‟rinishdagi ko‟pchilik tranzitorlarni ancha keng tarqalgan turlariga qotishmali qotishma difuzion – plener mezoplener va trenzistorlar kiradi.
Qotishma tranzistorlar. Tranzistor mexanikalik rivojlantiruvchining boshlash davrida qo‟sh qutbli tranzistorlar asosan kirishmalarni eritish usulida germaniydan qotishmali tranzistor tayyorlanadi. Keyinchalik toza mo‟na kristall kremniyni olish texnologiyani yaratilgandan so‟ng keyin qo‟sh qutbli qotishmali tranzistorlar tayyorlana boshladi.
Qotishmani tranzistorlar ikkita bir-biriga yaqin joylashgan p-p o‟tishli tuzilmadan o‟tadi.

1-rasm. Qotishmali transistor.
Qotishmali tranzistorlarda juda yuqa olish qiyin, shuning uchun ular past va o‟rta chastotalilar uchun mo‟ljallangan. Ularni quvvatli qilib ham tayyorlash mumkin. Bunday tranzistorlarni olish uchun p-n o‟tkazgichlarni yuqori maydonda ega bo‟ladi.
Qotishmali tranzistorlarni kamchiligiga chegara chastotasi (1≥20m..) kichikligidan taliqdi. Texnologik tayyorlashda parametrlarda bir-biridagi farqlarni katta bo‟lishligini ham ko‟rsatishi mumkin.
Qotishmali diffusion tramzistorlar. Bu xildagi tramzistorlar qotishmali texnologiyani diffusion qo‟shgan holda olib boradi. Bunda indiy-surma bilan
yarimo‟tkazgich plastina sirtiga joylashtirib qizdiriladi. Bunda bo‟lakni suyultirish natijasida electron o‟tish hosil bo‟ladi. Biroq yuqori tranzistorlariga bir vaqtni o‟zida erish jarayonidan tashqari diffuzia ham ketadi. Ya‟ni elektrondan diffuzis kristall biri- akseptor ikkinchisi esa donor kirishma vazifasini boshqaradi. Ular kristall qolipligi bo‟yicha har xil chuqurlikka diffuziolanadi va notekis taqsimlangan p-turdagi baza hosil bo‟ladi. Kollektor sifatida p-turdagi germaniy plastinka xizmat qiladi. (2-rasm.)

2-rasm. Qotishmali diffusion transistor
Baza soxasi orqali asosiy bo‟lmagan zaryadlarni ko‟chishi, asosan elektr maydon dreyfi bilan amalga oshirilgani uchun, bunday tremzistorlarni dreyf trenzistorlar deyiladi. Dreyf tranzistorlarni baza kamligi 0.5-1m km bo‟lganligi uchun ularni chegara chastota 500-10.000m 9 ga yetadi. Bu tranzistorlarda kamchilik emitterda ta‟siri kuchlanishni kichikligi va katta quvvatli tranzistorlarni ishlab chiqarishni qiyinligidir.