Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий


Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши


Download 0.89 Mb.
Pdf ko'rish
bet8/33
Sana14.11.2023
Hajmi0.89 Mb.
#1773213
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   33
Bog'liq
1606823771714290daraja

Тадқиқот натижаларининг жорий қилиниши. Турли хил “зарарли” 
нуқсонлар ва бошқариб бўлмайдиган киришма атомлар (Fe, Mn, O
2
ва б.) ни 
никел атомларининг кластерлари билан геттерланиш эффекти асосида 
бошланғич электр ва рекомбинацион параметрларини ўзгартирмайдиган ва 
мазкур параметрларни ҳароратнинг кенг оралиғидаги (Т=100÷1100 ºС) 
термик ишловларда ҳам сақлаб колиш имконини берадиган кремний 
кристалларини никел билан диффузияли легирлашда ишлаб чиқилган янги ва 
ўзига хос технология «ФОТОН» АЖ да амалиётга жорий қилинган ва 
қўлланилган.
Илмий натижаларнинг амалиётда кўлланинилиши термобарқарорликни 
ошириш ва кремний асосидаги диод структураларни тайёрлашда бир хил 
параметрли қўлланишга яроқли махсулотлар сонини кўпайтиришга имкон 
берган (Ўзэлтехсаноат акциодарлик компаниясининг 2020 йил 4 августдаги 
№ 04-1/1425 - сон маълумотномаси). 
Кластерлар ҳосил бўлишини таъминлайдиган, t=30÷60 дақиқа давом 
этувчи Т=1100÷1200 °С ҳароратда кремнийни никел киришма атомлари 
билан олдиндан легирлаш асосида, ҳароратнинг кенг соҳа оралиғида (1200 °С 
гача) – ўтказувчанлик тури ва киришма атомларининг концентрацияси 
қандайлигидан 
қатъи 
назар, кремнийда 
асосий 
бўлмаган 
заряд 
ташувчиларнинг яшаш вақтини барқарорлаштириш имконини берадиган 
усул 
«Новосибирск 
яримўтказгич 
асбоблар 
заводини 
алоҳида 
конструкторлик бюроси», АЖда кремнийли паствольтли стабилитронлар ва 
кучланиш чеклагичларни ишлаб чиқаришда паст ҳароратли текисловчи 
термик ишлов беришда технологик жараёнини қулайлаштириш имконини 
берган. Ишлаб чиқилган технологиянинг «Новосибирск яримўтказгич 
асбоблар заводини алоҳида конструкторлик бюроси» АЖда қўлланилиши 
диффузия 
усули 
билан 
олинган, 
легирловчи 
киришма 
атомлар 
концентрациясининг миқдорини чеклашни талаб этадиган диодли p-n 
структураларни ишлаб чиқаришда алоҳида муҳим аҳамиятга эга 
(«Новосибирск яримўтказгич асбоблар” заводини алоҳида конструкторлик 
бюросининг 2020 йил 23 июлдаги № 04/401-225-сон маълумотномаси»). 
2012-2016 йиллардаги: ОТ-Ф-2-41 «Турли табиятли материаллар 
(металлар, яримўтказгичлар ва диэлектриклар)га ионларни имплантация 
қилишда наноўлчамли тузилмалар ва кучланиш остидаги қатламлар ҳосил 
қилиш, атомларни киритиш, пуркаш жараёнларининг назарий ва амалий 
тадқиқи» мавзусидаги фундаментал лойиҳани бажариш жараёнида 
диссертация ишида олинган натижалардан фойдаланилган:
Мазкур 
илмий 
натижаларнинг 
қўлланилиши 
электрофизик 
параметрлари барқарор бўлган бошқариладиган наноўлчамли структураларга 
эга кремний материалини олиш имконини беради; Бу ўз навбатида кремнийга 
ионларни имплантация қилишда наноўлчамли тузилмалар ва тўйинган 
қатламлар ҳосил қилишда, никел киришма атомларни киритишда ва 
вакуумда пуркашда ўтказилган фундаментал тажриба тадқиқотларнинг 


самарадорлигини таъминлаган (Ўзбекистан Республикаси Олий ва ўрта 
махсус таълим вазирлигининг 2020 йил 27 июлдаги № 89-03-2651-сон 
маълумотномаси). Олинган натижалар кичик ишлаб чиқариш корхоналарида 
шунингдек, самарадорлиги юқори куёш элементларини саноат миқёсида 
ишлаб чиқаришда ФА ва ОТМларнинг илмий-ишлаб чиқариш марказларида 
муваффақиятли қўлланилиши мумкин. 

Download 0.89 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   33




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling