Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий

Тадқиқотнинг объекти сифатида кристаллографик йўналиши (111) 
бўлган монокристалл кремнийда бор ва фосфор концентрациясининг 
миқдори N
B
,N
P
=10
13
÷10
18
см
-3
бўлган КДБ ва КЭФ пластиналари танлаб 

---

олинди. Киришма атоми сифатида никел, олтингугурт ва марганец 
элементлари олинган. 
Тадқиқотнинг предмети кремний панжарасида НКАКлар ҳолатини 
хамда уларнинг таркиби, структураси, ўлчами ва тақсимланишининг 
технологиясини яратиш, шунингдек, турли хил “зарарли” КА ва нуқсонларни 
НКАК билан геттерлаш асосида термик ишловларнинг турли шароитларида 
кремнийнинг бошланғич электр ва рекомбинацион параметрларини 
сақлашнинг ўзига хос янги усулини ишлаб чиқишдан иборат. 
Тадқиқотнинг усуллари. Ишни бажаришда ва қўйилган масалани 
ўрганишда микрозондли таҳлил, иккиламчи ионлар массали спектрометр, 
сканерловчи электрон микроскоп, ИҚ-микроскоп ва атом кучлари 
микроскопи замонавий усуллардан фойдаланилди. 
Тадқиқотнинг илмий янгилиги қуйидагилардан иборат:
НКАКни 
шаклланишининг 
термодинамик 
шароитлари 
ва 
концентрацияси, таркиби, структураси ва кристалл бўйлаб тақсимланиши 
замонавий микроскопик тадқиқотлар асосида аниқланган; 
НКАКни шаклланиши кристаллдаги бошланғич КА тури ва 
концентрациясига боғлиқ эмаслиги аниқланган; 
илк бора НКАК тартибланиши ҳамда уларнинг ўлчамини кристаллдаги 
дислокациялар зичлигига боғлиқ эмаслик ходисаси аниқланган; 
илк бора кластерларни чизиқли шаклланиш ҳодисаси аниқланган бўлиб, 
кластерлар тартибланиши маълум бир термодинамик шароитларда кристалл 
панжарадаги майда кластерларнинг силжиши билан тушунтирилган ва унинг 
структура модели таклиф этилган; 
биринчи маротаба кристалл панжарадаги тугунлар ўртасида жойлашган 
кластерлардаги барча никел атомларнинг ёппасига ва бир вақтнинг ўзида 
миграцияланиши ҳисобига НКАКларининг тартибланиш механизми таклиф 
қилинган; 
илк бора НКАКларнинг кристалл панжарадаги жамоавий кўчиш 
механизми таклиф этилган, мазкур кластерларнинг миграция коэффициенти 
никел атомларининг диффузия коэффициентига нисбатан 1,5÷2 тартибга 
кичик эканлиги аниқланган; 
турли хил махсус киритилган “зарарли” ва бошқариб бўлмайдиган
(O
2
, Fe, Mn ва б.) нуқсонларни НКАКлар билан геттерлаш эффекти 
аниқланган; 
кислород атомларининг НКАКлари билан самарали ўзаро таъсирлашуви 
натижасида кремнийга термик ишлов беришнинг турли шароитларида пайдо 
бўладиган термодонорлар генерациясини камайтириши ёки йўқотиши 
аниқланган; 
илк бора кремний кристалл панжарасида НКАКларни шаклланиши 
ҳажмий нано ва микротузилмали электроника, оптоэлектроника ва 
фотоэнергетика учун ноёб функционал имкониятларга эга бўлган янги синф 
яримўтказгич материални олиш имкони мавжудлиги амалда кўрсатилган. 

---