Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий
Download 0.89 Mb. Pdf ko'rish
|
1606823771714290daraja
|
Ш.Б. Утамурадова, Председатель Научного совета по присуждению ученых степеней, д.ф-м.н., профессор Ж.Ж.Хамдамов, Ученый секретарь Научного совета по присуждению ученых степеней, PhD Х.К. Арипов, Председатель научного семинара при Научном совете по присуждению ученых степеней, д.ф-м.н., профессор ВВЕДЕНИЕ (аннотация диссертации доктора философии (Phd)) Актуальность и востребованность темы диссертации. В последние годы в мире разработки технологии получения объемно нано структурированных полупроводниковых материалов и исследованию их свойств уделяется очень большое внимание. Данное внимание обусловлено достаточно перспективными возможностями использования таких материалов, чем обычных полупроводниковых материалов. Также, в объемно нано структурированном материале наблюдается ряд новых физических явлений, позволяющих создать на их основе принципиально новый класс микроэлектронных приборов. Одним из перспективных способов создания наноструктур в решетке кристалла является формирование примесных нанокластеров с различной природой и параметрами. По формированию кластеров примесных атомов никеля (КПАН) и исследованию их электрофизических свойств, в последнее время защищены ряды диссертационных работ в научных школах С. Зайнабиддинова и М.К. Бахадырханова. Однако в этих работах практически не были затронуты вопросы о геттерировании «вредных» примесей и стабильности параметров исходного материала, при различных внешних воздействиях, как термический отжиг и влияние наличия других примесных атомов, особенно, атомов элементов переходных групп (АЭПГ). Такая ситуация объясняется тем, что при дальнейших технологических термообработках АЭПГ могут стимулировать генерацию различных рекомбинационных центров и термодефектов в кремнии, что может существенно ухудшить электрофизические параметры исходного материала. Также данные вопросы очень важны и актуальны для более глубокого понимания механизма геттерирования «вредных» примесей в кремнии КПАН и для практического использования таких материалов при создании новых различных микроэлектронных приборов со стабильными параметрами, при изготовлении которых кремний многократно подвергается различным внешним термовоздействиям. В том числе, одним из важнейших задач нано и микроэлектроники, является получение кремния устойчивого к внешним воздействиям, который может использоваться для получения полупроводниковых приборов со стабильными параметрами. В этом направлении были разработаны различные способы, позволяющие геттерировать неконтролируемые примесные атомы, находящиеся в объеме кристалла кремния и активизирующиеся при различных термоотжигах. Исследования, выполненные в данной диссертационной работе в определенной степени служат выполнению задач, предусмотренных в Указе Президента Республики Узбекистан № УП-4947 «О Стратегии действий по дальнейшему развитию Республики Узбекистан на 2017–2021 гг» от 7 февраля 2017 года и в постановлениях Президента № ПП–3875 «О создании и организации деятельности в городе Ташкенте филиала Федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»» от 20 июля 2018 года, № ПП-3151 «О мерах по дальнейшему расширению участия отраслей и сфер экономики в повышении качества подготовки специалистов с высшим образованием» от 27 июля 2017 года, № ПП-3365 «О мерах по дальнейшему укреплению инфраструктуры научно- исследовательских учреждений и развитию инновационной деятельности» от 1 ноября 2017 года, № ПП-3899 «О мерах по повышению эффективности системы интеграции научной и инновационной деятельности» от 6 августа 2018 года, а также задаче проведения глубоких фундаментальных и прикладных исследований в области физики, разработке инновационных технологий, исходя из потребностей реальных секторов экономики страны и широкого вовлечения молодых ученых и студентов в научный процесс. Download 0.89 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|