Ўзбекистон миллий университети қошидаги яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника илмий-тадқИҚот институти ҳузуридаги илмий

Рис. 4. Спектральная зависимость фотопроводимости образцов при T=100K
(1.-Si, 2.-Si) 
Таблица 1 
Электрические параметры образцов
№ 
Образцы 
ρ,(Ом·см) 
μ,(см
2
/В·с) 
ТП 
N, (cм
-3
) 
E, (эВ) F, (эВ) 
N
AS, 
(см
-3
) 
1 
Si  
0,95 
265 
p 
2,50·10
15
0,22 
0,17 
- 
2 
Si  
9,5 
1193 
n 
5,50·10
14
0,24 
0,27 
4,3·10
15
3 
Si  
11 
1166 
n 
4,87·10
14
0,30 
0,27 
4,2·10
15
 

---

Предоставляет интерес исследование геттерирурющих свойств 
кластеров никеля в кремнии в присутствии примесных атомов марганца в 
решетке. В качестве исходного материала был выбран кремниевый материал 
p-тип проводимости с удельным сопротивлением ρ=3 Ом·см. Образцы 
легировались никелем при Т=1200 °С t=30 минут, затем проводилась 
диффузия Mn при Т=1070 °С. В качестве контрольного материала был 
выбран кремний легированный Mn, полученный низкотемпературным 
способом диффузии. Параметры полученных материалов приведены в 
таблице 2.
Как видно из таблицы 2 исследуемые материалы легированные 
примесными атомами никеля приобретает почти на порядок меньше 
удельного сопротивления.
Фотоэлектрические свойства образцов также 
существенно различаются между собой. Установлено, что наличие 
примесных атомов никеля изолирует кластеры атомов марганца, т.е. 
выявляются геттерирующие свойства никеля для атомов марганца. 
Доказательством этого могут служить спектральные характеристики 
полученных образцов (рис.5).