Ўзбекистон республикаси ахборот ва коммуникацион технологияларини ривожлантириш вазирлиги

I_К = (11-0.4)/220 = 0.048А = 48мА
Амалиётда элементларнинг ишончлилигини эътиборга олган ҳолда қийматлари захира билан олинади, шунинг учун 1.5 коэффициентда оламиз.
Рухсат этилган коллектор токи 1.5*0.048=0.072А дан кам бўлмаган ва коллектор-эмиттер кучланишининг максимал қиймати 1.5*11=16.5В дан кам бўлмаган транзистор танланади.
Берилган парметрлар бўйича 2N2222А транзистори (I_кмакс=0.6А Uкэ=40В) мос келади.
Тузилиши: н-п-н
Коллектор-эмиттер кучланиши: 40 В дан катта бўлмаган.
Коллектор-база кучланиши: 75 В дан катта бўлмаган.
Эмиттер-база кучланиши: 6 В
Коллектор токи: 0.6 А дан катта бўлмаган
Коллектор қуввати сочилиши: 1.5 Вт дан катта бўлмаган
Транзисторнинг ток бўйича кучайтириш коэффициенти (ҳ_фе):300
Ток бўйича узатиш коэффициентини чегаравий частотаси: 150 МГц
Корпус: ТО-92

Калитнинг эквивалент схемасини параметрларини аниқлаймиз:

R_Б = h_11э

1. 
   . УЭ схемаси учун 2N2222A транзисторнинг кириш ва чиқиш характеристикалари оиласини қуриш.
   

УЭ схемасига учун U_кэ = 0 В ва U_кэ = 11 В бўлганида 2N2222A транзисторнинг кириш характеристикасини I_б = f(U_бэ) ни олиш.

Транзисторнинг параметрларини ўлчаш учун 2- расмдаги схемани йи-амиз.

2- расм. Транзисторнинг статик кириш характеристикаси оиласини олиш схемаси

I_Б ва U_БЭ ларнинг олинган қийматларини 1-жадвалга киритамиз ва бу қийматлар асосида 2N2222A транзисторнинг статик кириш характеристикаси оиласини қурамиз.

1-жадвал
УЭ уланиш схемаси учун U_кэ = 0 В и U_кэ = 11 В бўлганида 2N2222A транзисторнинг статик кириш характеристикаси оиласи, яъни I_б =f(U_бэ) боғлиқлиги

UКЭ=0В		UКЭ=10В
IБ, мкА	UБЭ, мВ	IБ, мкА	UБЭ, мВ
25	540	25	665
50	561	50	688
75	573	75	702
100	582	100	711
125	589	125	719
150	594	150	726
175	599	175	731
200	603	200	736
250	610	250	744
300	616	300	751
350	621	350	757
400	625	400	762
450	629	450	766
500	632	500	771

Берилган қийматларга мос равишда транзисторнинг кириш характеристикаси I_б = f(U_бэ) ни графигини чизамиз (3- расм).

3- расм. 2N2222A транзисторнинг кириш характеристикаси I_б = f(U_бэ) ни графиги

УЭ уланиш схемасига мос равишда транзисторнинг чиқиш характеристикаси оиласи, яъни I_б = cонст бўлганида I_к = f(U_кэ) боғлиқлиги олиш.

УЭ уланиш схемасига мос равишда 2N2222A транзисторнинг статик чиқиш характеристикаси оиласи, яъни I_б = cонст бўлганида I_к = f(U_кэ) боғлиқлиги олиш учун Мультисим дастури муҳитидаги характериограф-IВ ни қўллаймиз (4-расм). Характериограф-IВ ни қўллаш бўйича маълумотларни ҳттпс://cхем.нет/cомп/cомп193.пҳп сайтидан олиш мумкин.

4-расм. Транзисторнинг статик чиқиш характеристикаси оиласини олиш

Характериограф ёрдами чиқиш характеристикасини 5 дан кам бўлмаган шахобчалари олиниши керак. Бунинг учун «параметры моделирования» дарчасида I_{_б} параметри учун «приращение» =5 ўрнатилади.

У_КЭ кучланишини 0 дан 20 В гача ўзгартирамиз. Бунда “Приращение= 50 мВ”.
Характериограф-ИВ ёрдамида 2- жадвал тўлдирамиз.
Бунда I_{_б} қиймати ўрнига характериографдан олинган қиймат қуйилади.
УЭ уланиш схемасига мос равишда транзисторнинг чиқиш характеристикаси оиласи, яъни I_б = cонст бўлганида I_к = f(U_кэ) боғлиқлиги жадвали
2-жадвал

Жадвал асосида транзисторнинг чиқиш характеристикаси I_к = f(U_кэ) ни қурамиз (5-расм)

5-расм. 2N2222A транзисторнинг чиқиш характеристикаси I_к = f(U_кэ) ни графиги

БТ нинг чиқиш характеристикаси оиласи графигида тенгликка мос равишда координата ўқида ётувчи иккита нуқта орқали юклама чизиғини ўтказамиз: кучланиш ўқи бўйича I_к=0, _{нуқталари ва ток ўқи бўйича Iк=UТМ /Rкэ=48мА, Uкэ=0.}
Юклама чизиғи билан характеристиканинг кесишмаларидан И_б ва калитнинг чиқиш кучланишлари U_чиқи=U_кэи (i=1,…,n) қийматлари олинади, бу ерда n– нуқталар сони.

Чиқиш кучланишининг қийматлари

3-жадвал

UКЭи, В	UКЭ0	UКЭ1	UКЭ2	UКЭ3	UКЭ4	UКЭ5
Uчиқи=UКЭи, В	9.16	6	4	2.5	1.4	0.6

R_Б ни аниқлаймиз

R_Б = h_11э
Бунинг учун 5-расмдаги I_Б2=180 мкА бўлганида 2 нуқта (юклама чизиғининг ўртаси) ишлатилади.
h_11э параметрини кириш характеристикасидан аниқлаймиз:

7-расм. ҳ_11э параметрини аниқлаш
6-расмдан I_б1=130 мкА, I_б3=230 мкА, U_бэ1=745 мВ, U_бэ3=720мВ қийматларни оламиз. У холда h_11э қуйидагича аниқланилади: