Zbekiston respublikasi yuqori va orta maxsus bilimlandirish vazirligi tashkent axborot texnologiyalari universiteti nukus filiali

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI YUQORI VA ORTA MAXSUS BILIMLANDIRISH VAZIRLIGI
TASHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NUKUS FILIALI
Telekommunikaciya va Ka’sbiy ta’lim fakulteti
“Axborot Xavfsizligi” bakalavr yo’nalishi 2-kurs kunduzgi bo’lim Shamshetdinov Muxamedali talabasining
“Elektronika va sxemalar 2” fanidan
‹‹ MT da yasalgan kuchaytirgich sxemsini tadqiq etish ›› mavzusi bo’yicha
4-laboratoriya ishi

Bajardi: Shamshetdinov M
Qabul qildi: Karimova A
4 - лаборатория иши


МТда ясалган кучайтиргич схемасини тадқиқ этиш


Ишнинг мақсади: Майдоний транзистор статик характеристикалари ва дифференциал параметрларини ўрганиш, транзистор ишига температуранинг таъсирини тадқиқ этиш.

1. Лаборатория ишини бажаришга тайёргарлик кўриш:

Лаборатория ишида тузилиши ва схемаларда шартли белгиланиши 4.1- расмда келтирилгани канали р- турли майдоний транзистор тадқиқ этилади.

4.1-расм

Сток токи затворга кучланиш бериш орқали бошқарилади, яъни бошқарилаётган р-n ўтишга тескари кучланиш U_ЗИ>0 берилади. U_ЗИ даги беркитиш кучланиши ортган сари ҳажмий заряд соҳасининг кенглиги ортиб боради. Натижада берилган U_СИ кучланиш қийматида канал кенглиги кичраяди, унинг қаршилиги R_K ортади, демак сток билан исток оралиғидаги сток токи I_С камаяди. 4.2- расмда бошқариш характеристикаси I_C= f (U_ЗИ) келтирилган.

Лаборатория ишини бажариш учун топшириқ:

1-топширик: 4.4- расмда келтирилган схема, ўлчаш асбоблари ўлчанадиган КП103 майдоний транзистор паспорт кўрсатмалари билан танишиб чиқинг. (5- иловага қаранг)
Цоколь расмини чизиб олинг ва тадқиқ этилаётган транзисторнинг чегаравий параметрлари U_СИ.ЧЕГ, I_С.ЧЕГ, P_ЧЕГ қийматларини ёзиб олинг. 4.4 – расмда келтирилган схемани йиғинг.


U_СИ.ЧЕГ = 10 В