Ózbetinshe jumisi tayarladi: Qabilladi: Nókis 2023 Tema: Cifrlı integral sxemalardıń qabıqları Reje

Perdeli hám gibrid mikrosxemalar
Perdeli IS - bul dielektrik tiykar sırtına surtilgan elementleri perde kórinisinde orınlanǵan mikrosxema. Perdeler tómen basımda túrli materiallardan juqa paradalar kórinisinde shókpeler payda etiw jolı menen alınadı.
Perde payda etiw usılı hám oǵan baylanıslı bolǵan qalıńlıǵına kóre juqa perdeli IS (perde qalıńlıǵı 1 - 2 mkmgacha) hám qalıń perdeli IS (perde qalıńlıǵı 10 - 20 mkm ge shekem hám úlken) larga bólinedi.
Házirgi kúnde turaqlı perdeli diodlar hám tranzistorlar joq, usınıń sebepinen perdeli ISlar tek passiv elementler (rezistorlar, kondensatorlar hám x. z.) den dúziledi.
Gibrid IS (yamasa GIS) - bul perdeli passiv elementler menen diskret aktiv elementler kombinatsiyasınan shólkemlesken, birden-bir dielektrik tiykarda jaylasqan mikrosxema. Diskret komponentlerdi aspa elementler dep ataydılar. Qabıqsız yamasa mikrominiatyur metall qabıqlı mikrosxemalar gibrid IMSlar ushın aktiv elementler bolıp esaplanadılar.
Gibrid integral mikrosxemalarning tiykarǵı abzallıǵı : salıstırǵanda qısqa islep shıǵıw waqtında analog hám cifrlı mikrosxemalarning keń túrlerin jaratıw múmkinshiligi; keń nomentkaluturaga iye bolǵan passiv elementler payda etiw múmkinshiligi; MDYa - ásbaplar, diodli hám tranzistorlı matrisalar hám joqarı jaramlı mikrosxemalar shıǵıwı.
Yarım ótkizgishli IMSler

Tranzistordıń isletiliw túrine kóre yarım ótkizgishli IMSlarni bipolyar hám MDYa IMS larga ajıratıw qabıl etilgen. Bunnan tısqarı, aqırǵı waqıtlarda basqariluvchi ótiwli maydaniy tranzistorlar jasalǵan IMSlardan paydalanıw úlken áhmiyetke iye bolıp atır. Bul klasqa galliy arsenidida jasalǵan IMSlar, zatvori Shottki diodi kórinisinde orınlanǵan maydaniy tranzistorlar kiredi. Házirgi kúnde bir waqtıniń ózinde de bipolyar, da maydaniy tranzistorlar qollanılǵan IMSlar jaratıw tendensiyasi belgilenip atır.

Eki klasqa tiyisli yarım ótkizgishli ISlar texnologiyası yarım ótkizgish kristallın galma - gezek donor hám akseptor kiritpeler menen legirlash (kirgiziw) ga tiykarlanǵan. Nátiyjede sirt astında túrli ótkezgishlikke iye bolǵan juqa qatlamlar, yaǵnıy n-p-n yamasa p-n-p strukturalı tranzistorlar payda boladı. Bir tranzistordıń ólshemleri enigi bir neshe mikrometrlerdi quraydı. Bólek elementlerdiń izolyatsiyasi yamasa r-n ótiw járdeminde, yamasa dielektrik perde járdeminde ámelge asırılıwı múmkin. Tranzistorlı struktura tek tranzistorlardı emes, bálki basqa elementler (diodlar, rezistorlar, kondensatorlar ) soǵıwda da qollanıladı.
Mikroelektronikada bipolyar tranzistorlardan tısqarı kóp emitterli hám kóp kollektorlı tranzistorlar da qollanıladı.
Kóp emitterli tranzistorlar (KET) ulıwma baza qatlamı menen birlestirilgen bir kollektor hám bir neshe (8-10 ǵa shekem hám kóp) emitterdan shólkemlesken. Olar tranzistor - tranzistorlı logika (TTM) sxemalardı jaratıwda qollanıladı.
Kóp kollektorlı tranzistor strukturası da, KET strukturasına uqsas boladı, lekin integral - injeksion logika (I2 M) dep atalıwshı injeksion derekli logikalıq sxemalar soǵıwda qollanıladı.
Diodlar. Diodlar bir p-n ótiwge iye. Lekin bipolyar tranzistorlı IMSlarda tiykarǵı struktura retinde tranzistor saylanǵan, sol sebepli diodlar tranzistordıń diod jalǵanıwı járdeminde payda etinadi. Bunday jalǵanıwlardıń besew variantı bar. Eger diod soǵıw ushın emitter - baza ótiwdegi p-n ótiw qollanilsa, ol halda kollektor - baza ótiwdegi p-n ótiw uziq bolıwı kerek.