Ózbetinshe jumisi tayarladi: Qabilladi: Nókis 2023 Tema: Cifrlı integral sxemalardıń qabıqları Reje

MUHAMMED AL-XORAZMIY ATINDAG’I TASHKENT INFORMACIYALIQ TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NUKUS FILIALI
KOMPYUTER INJINERINGI FAKULTETI
KOMPYUTER INJENERINGI BAG’DARI


ÓZBETINSHE JUMISI
Tayarladi:
Qabilladi:


Nókis 2023
Tema: Cifrlı integral sxemalardıń qabıqları
Reje:

1. 
   IMS haqqında uliwma tusinik
   
2. 
   Perdeli hám gibrid IMSler
   
3. 
   Yarim o‘tkizgishli IMSler
   

Kirisiw
Integral mikrosxemalar elektr ásbaplardıń sapa dárejesindegi jańa túri bolıp elektron qurılmalardıń tiykarǵı negiz elementi esaplanadılar.
Integral mikrosxema (IMS) elektr tárepten óz-ara baylanısqan elektr radiomateriallar (tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar hám basqalar ) kompleksi bolıp, birden-bir texnologiyalıq siklda atqarıladı, yaǵnıy bir vatqning ózinde birden-bir konstruksiya (tiykar) de málim informaciyanı qayta islew funksiyasın atqaradı.
IMSlarning tiykarǵı ózgesheligi sonda, ol quramalı funksiyalardı orınlaw menen birge kúsheytgish, trigger, esaplaǵısh, yad apparatı hám basqa funksiyalardı da atqaradı. Tap sol funksiyalardı orınlaw ushın diskret elementlerde uyqas keliwshi sxemanı jıynaw talap etińardi.
IMSlar ushın eki tiykarǵı belgi ámeldegi: konstruktiv hám texnologiyalıq. Konstruktiv belgisi sonda, IMSning barlıq elementleri tiykarǵı tiykar ishinde yamasa sırtında jaylasadı, elektr tárepten birlestirilgen hám birden-bir qabıqǵa jaylastırılǵan bolıp, birden-bir esaplanadı. IMS elementleriniń hámmesi yamasa bir bólegi hám elementleraro baylanısıwlar birden-bir texnologiyalıq siklda atqarıladı. Usınıń sebepinen integral mirosxemalar joqarı isenimlilikke hám kishi ózine túser bahasına iye.
Házirgi kúnde soǵılıw túri hám payda bolatuǵın strukturaǵa kóre IMSlarning ush Principial túri ámeldegi: yarım ótkizgishli, perdeli hám gibrid. Hár bir IMS túri konstruksiyası, mikrosxema quramına kiretuǵın element hám komponentler sanın ańlatiwshı integraciya dárejesi menen xarakterlenedi.
Element dep qandayda bir elektroradioelement (tranzistor, diod, rezistor, kondensator hám basqalar ) funksiyasın ámelge asırıwshı IMS bólegine aytıladı hám ol kristall yamasa tiykardan ajralmagan konstruksiyada yasaladi.
IMS komponentasi dep onıń diskret element funksiyasın atqaratuǵın, lekin aldın ǵárezsiz ónim sıyaqlı montaj etiletuǵın bólegine aytıladı.
Tiykarǵı IMS konstruktiv belgilerinen biri bolıp tiykar túri esaplanadı. Bul belgine kóre IMSlar eki túrge bólinedi: yarım ótkizgishli hám dielektrik.
Tiykar retinde yarım ótkizgishli materiallar arasında kremniy hám galliy arsenidi keń qollanıladı. IMSning barlıq elementleri yamasa elementlerdiń bir bólegi yarım ótkizgishli monokristall plastina kórinisinde tiykar ishinde jaylasadı.
Dielektrik tıyanaqlı IMSlarda elementler onıń sırtında jaylasadı. Yarım ótkizgish tıyanaqlı mikrosxemalarning tiykarǵı abzallıǵı - elmentlarning kútá úlken integraciya dárejesi esaplanadı, lekin onıń nominal parametrleri diapazonı júdá sheklengen bolıp olar bir- birinen izolyatsiyalanishni talap etedi. Dielektrik tıyanaqlı mikrosxemalarning abzallıǵı - elementlerdiń áp-áneydey izolyatsiyasi, olardıń ózgeshelikleriniń turaqlılıǵın, hám de elementler túri hám elektr parametrleri tańlawınıń keńligi.