- Рақамли қурилмалар схемотехникаси.
- ТТМ, И2М, ЭБМ.
Режа - Транзистор-транзисторли мантиқ
- Интеграл-инжекцион мантиқ
- Эмиттерлари боғланган мантиқ
Негиз мантиқий элементлар - Ҳозирги вақтда РИСларни лойиҳалашда қуйидаги негиз МЭлар кенг қўлланилади:
- - транзистор – транзисторли мантиқ;
- - интеграл – инжекцион мантиқ;
- - эмиттерлари боғланган мантиқ;
- - бир турдаги МДЯ – транзисторли мантиқ;
- - комплементар МДЯ – транзисторли мантиқ.
- Негиз МЭларнинг схема вариантларини транзисторли мантиқлар деб аташ қабул қилинган. Мантиқ тури қўлланилган электрон калит ва элементлар орасида ўрнатилган боғлиқлик билан аниқланади.
Биполяр транзисторда бажарилган инвертор схемаси Содда инверторли ТТМ МЭ схемаси - ТТМ элементлари потенциал элементлар қаторига киради: улар асосида компьютер схемаларини тузишда улар ўзаро гальваник боғланадилар.
- Мантиқий 1 ва мантиқий 0 асимптотик қийматлари
- U1 ≥ 2,4 B; U0 ≤ 0,4 B, UҚУ =U1-U0 =2 В кучланишлар билан ифодаланади.
- Юқорида кўриб ўтилган сериялар функционал ва техник тўлиқликка эга, яъни турли арифметик ва мантиқий амалларни, хотирада сақлаш, ёрдамчи ва махсус функцияларни бажаради.
И2М МЭнинг шартли белгиланиши ва схемаси - И2М ИС кремнийли n+- асосда тайёрланади, у ўз навбатида барча инвертор эмиттерларини билаштирувчи умумий электрод ҳисобланад.
- n-p-n турли транзистор базаси бир вақтнинг ўзида p-n-p турли транзисторни коллектори бўлиб ҳисобланади. Элементларнинг бундай тайёрланиши функционал интеграция дейилади. Бу вақтда турли элементларга тегишли соҳаларни изоляция қилишга (ТТМ ва ЭБМ элементларидаги каби) эҳтиёж қолмайди.
- И2М элементи резисторлардан ҳоли эканлигини инобатга олсак, яхлит элемент кристаллда ТТМдаги стандарт КЭТ эгаллаган ҳажмни эгаллайди.
И2М МЭнинг шартли белгиланиши ва схемаси - Схемадан фойдаланиб 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС мантиқий амалларини бажарувчи МЭларни тузиш мумкин.
- И2М схемаларнинг тезкорлиги юқори.
- МЭнинг қайта уланишининг ўртача кечикиш вақти 10÷100 нс, яъни ТТМ элементникига нисбатан бир неча марта катта. Аммо қувват истеъмоли 1-2 тартибга кичик бўлади.
- Мантиқий ўтиш кичиклиги туфайли И2М МЭтининг халақитбардошлиги ҳам кичик (20÷50 мВ) бўлади.
- Шунинг учун бу схемалар фақат КИС ва ЎКИСлар таркибида ва кичик интеграция даражасига эга мустақил ИСлар сифатида қўлланилади.
И2М МЭнинг шартли белгиланиши ва схемаси - Эмиттерлари боғланган мантиқ (ЭБМ) элементни яратилишига рақамли қурилмалар тезкорлигини ошириш муаммоси сабаб бўлган.
- Элемент мусбат мантиқ учун бир вақтнинг ўзида иккита функцияни амалга оширади: У1 чиқиш бўйича 2ЁКИ-ЭМАС (Пирс элементи) ва У2 чиқиш бўйича 2ЁКИ (дизъюнкция).
Иккита киришли ЭБМ МЭ схемаси - ЭБМ элементлар ўта юқори тезликда ишловчи тизимлар учун негиз ҳисобланади. Элементларни монтаж усулда бирлаштириш йўли билан турли функцияларни амалга ошириш имконияти туғилади.
- ЭБМ схемотехникаси ТТМга нисбатан функционал жиҳатдан мосланувчан ва турли мураккабликдаги мантиқ алгебрасини яратиш имконини беради. Бу хосса матрицали кристаллар асосида буюртмага асосан КИСлар яратишда кенг қўлланилади.
- Бундан ташқари, кўпгина махсус мақсадлар учун ишлаб чиқилган ЭБМ схемалари мавжуд.
Do'stlaringiz bilan baham: |
