Qidiruv: Диэлектрик
низотропные диэлектрики- Лекция №13 поляризация диэлектриков
Икки диэлектрик муҳит чегарасида
- 6-мавзу: Муҳитнинг диэлектрик сингдирувчанлиги ва қабул қилувчанлиги. Икки диэлектрик муҳит чегарасида қутбланиш ва индукция
Диэлектрик сингдирувчанлик
-
Рисунок 15. Одна из исследуемых структур высокочастотная вольт-фаровая характеристика (емкость диэлектрического слоя нормализовано)
- Перевод: узбекский русский
Индукцион ва диэлектрик қиздириш
- Матбабаев М. М. “Электр техникаси, электр механикаси ва электр технолгиялари” кафедраси
Комплементар металл-диэлектрик-
- Мавзу: Мантиқий интеграл схемаларнинг негиз элементлари Транзистор-транзиторли мантиқ
ёруьликни икки диэлектрик чегарасидан қайтишда ва синишда қутбланиши. брюстер қонуни
- Маруза маълумотлари 1 маъруза: электромагнит индукция ходисаси
 | Тема: Пьезоэлектрики, сегнетоэлектрики и их применение в технике. Граничные условия на границах «диэлектрик-диэлектрик» и «проводник-диэлектрик». Плотность энергии электростатического поля в диэлектрике «диэлектрик-диэлектрик» и «проводник-диэлектрик». Плотность энергии электростатического поля в диэлектрике 17.71 Kb.  1 | o'qib |
| 6-мавзу: Муҳитнинг диэлектрик сингдирувчанлиги ва қабул қилувчанлиги. Икки диэлектрик муҳит чегарасида қутбланиш ва индукция U- потенциалнинг макроскопик қиймат-лари ҳам, вакуумдаги ифодалар билан боғланган. Ясси конденсатор ҳолида қуйидагига эга бўламиз 1.02 Mb. 13 | o'qib |
 | Elektronika Яримўтказгич, металл ва диэлектрик деганда нимани тушунасиз? Уларнинг электрофизик хусусиятларинитушунтирибберинг 0.59 Mb. 17 | o'qib |
| Микротўлқинли қурилмалар Dielectric waveguide. Lightguide. Диэлектрик тўлқинўтказгич. Нурўтказгич. Диэлектрческий волновод. Световод 20.73 Kb. 2 | o'qib |
| 50. Чет элда ишлаб чиқарилган кранни рўйхатга олишда сертификат тақдим этиладими A тегишли кучланишга мўлжалланган диэлектрик қўлқоп ва ботинка, оператив штанга, гиламчалардан фойдаланиш керак 14.88 Kb. 1 | o'qib |
| Мдя (металл диэлектрик яримўтказгичли) транзисторларда ясалган мантиқий элементлар Vt1 ва vt2 берк бўлади. Чиқишда эса юқори сатҳ кучланиши – мантиқий 1 ўрнатилади 386.41 Kb. 5 | o'qib |
| маъруза: Электроника ва схемалар фани, мақсади ва вазифалари SiO2 ни диэлектрик сингдирувчанлик коэффициенти ε катта бошқа диэлектрикларга, масалан ε~20÷25 бўлган гафний ёки цирконий оксидларига алмаштириш йўли билан хал этилади 239.37 Kb. 9 | o'qib |
| Mustaqilishi Мавзу: Умумий исток уланишсхемасидаги канали индукцияланган мдя SiO2(кремний диоксиди) диэлектрик қатламиорқали ярим ўтказгичнингюқориқатламигакиради, ундагиасосий заряд ташувчилар (электронлар)ни итарибчиқарадиваасосийбўлмаган заряд ташувчилар (коваклар)ни ўзигатортади 325.08 Kb. 4 | o'qib |
 | Мавзу: Канали индукцияланган металл-диэлектрик-яримўтказгич транзисторлар SiO2 оксиди бўлганлиги сабабли, бу транзисторлар моя транзисторлар (металл оксид- ярим ўтказгичли тузилма) деб ҳам юритилади 183.16 Kb. 4 | o'qib |
| Хотира элементларида афн-қатламлардан фойдаланиш Si3N4-SiO2-Si ларнинг диэлектрик қатламларида зарядларнинг боғланиб қолиши ходисаси фақатгина электр майдон импульслари ёрдамидагина эмас, ёруғлик импульслари воситасида ҳам вужудга келиши мумкин 454.5 Kb. 1 | o'qib |
| Мухаммад-ал xоразмий номидаги тошкент ахборот техналогиялари университети. Електроника радиотехника кафедра S, унинг кенглиги ва диэлектрик доимийси билан аниқланади. Ўтиш сиғими барьер сиғими деб аталади. Тўғри уланган ўтишда мусбат ишораси, тескари уланганда эса манфий ишора олинади 460.15 Kb. 2 | o'qib |
| O’zbekiston respublikasi oliy va o’rta maxsus ta’lim vazirli Иттирий алюминий гранат (Y3Al3O2), шиша каби кристалл ёки аморф диэлектрик моддалар ишлатилади. Бундай қаттиқ жисмли асосда фаол муҳитни ҳосил қилишда, асосга киритилаётган аралашманинг концентрацияси кичик бўлиб, асосга нисбатан миқдори 0.92 Mb. 3 | o'qib |
| Mustaqil ishi Мавзу: Умумий исток уланиш схемасидаги канали индукцияланган мдя O2 (кремний диоксиди) диэлектрик қатлами орқали ярим ўтказгичнинг юқори қатламига киради, ундаги асосий заряд ташувчилар (электронлар)ни итариб чиқаради ва асосий бўлмаган заряд ташувчилар (коваклар)ни ўзига тортади 281.82 Kb. 5 | o'qib |
| Комплекс каршилик ва утказувчанликларни хисоблаш. Комплекс кувватни хисоблаш хақида умумий тушунча ва маълумот ёзиб журналдаги рақам бўйича 1 тадан масала ечаслар S = 100 см2, уларнинг оралиги d = 2 мм. Конденсаторнинг сигими ва электр майдонининг кучланганлиги аниклансин. Агар диэлектрик сифатида слюда ишлатилса, олинган натижалар қандай узгаради? 119.12 Kb. 3 | o'qib |
| Mustaqil ishi Мавзу: Канали қурилган мдя транзисторлар, тузилмаси ва уларнинг схемада белгиланиши, ишлаш принципи O2 (кремний диоксиди) диэлектрик қатлами орқали ярим ўтказгичнинг юқори қатламига киради, ундаги асосий заряд ташувчилар (электронлар)ни итариб чиқаради ва асосий бўлмаган заряд ташувчилар (коваклар)ни ўзига тортади 266.88 Kb. 5 | o'qib |
1 2