Axborot texnologiyalari va kommunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi

O’ZBEKISTON RESPUBLIKASI
AXBOROT TEXNOLOGIYALARI VA KOMMUNIKATSIYALARINI
RIVOJLANTIRISH VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI
TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI QARSHI FILIALI

“ TT” FAKULTETI
1- BOSQICH AKT-11-22 GURUH TALABASINING
Fizika 2
FANIDAN TAYYORLAGAN
1-Mustaqil ishi

Bajardi: Bazarova. Sh
Qabul qildi: Odilov .Y

Gers Vibratorlari Reja:

Tebranish konturi.
Gers Vibratori.
Xulosa.
O’zgaruvchan magnit maydonda turgan harakatsiz o’tkazgichda induksiya EYK ning vujudga keladi . Lekin elektr toki vujudga kelishi uchun zaryad tashuvchilarni harakatga keltiruvchi tashqi kuchlar mavjud bo’lishi kerak . Bu tashqi kuch issiqlik jarayonlariga ham , kimyoviy jarayonlarga ham bog’liq emas . Bu kuch Lorens kuchi ham emas . Chunki Lorens kuchi harakatsiz zaryadlarga ta’sir ko’rsatmaydi . Maksvell magnit maydonning har qanday o’zgarishi elektr maydonni vujudga keltiradi va aynan ana shu elektr maydon harakatsiz o’tkazgich ichidagi elektronlarni harakatga keltiradiO’zgaruvchan magnit maydonda turgan harakatsiz o’tkazgichda induksiya EYK ning vujudga keladi . Lekin elektr toki vujudga kelishi uchun zaryad tashuvchilarni harakatga keltiruvchi tashqi kuchlar mavjud bo’lishi kerak . Bu tashqi kuch issiqlik jarayonlariga ham , kimyoviy jarayonlarga ham bog’liq emas . Bu kuch Lorens kuchi ham emas . Chunki Lorens kuchi harakatsiz zaryadlarga ta’sir ko’rsatmaydi . Maksvell magnit maydonning har qanday o’zgarishi elektr maydonni vujudga keltiradi va aynan ana shu elektr maydon harakatsiz o’tkazgich ichidagi elektronlarni harakatga keltiradi

2.Yorug‘lik interferensiyayasi kuzatish usullari.

Yorug’lik interferensiyasini kuzatish usullari Yung usuli. Birinchi bo’lib, interferensiya hodisasi kuzatilgan bu usul 6- rasmda ko`rsatilgan. S manbadan chiqayotgan yorug’lik undan bir xil uzoqlikda joylashgan S1 va S2 tirqishlarga tushadi. Aynan shu tirqishlar kogerent to’lqinlarning manbayi vazifasini o`tab, E ekranda interferensiya manzarasi kuzatiladi. 18 6-rasm Frenel ko`zgusi. S manbadan chiqayotgan yorug’lik bir-biriga nisbatan ancha kichik  burchak ostida joylashgan AO va OB ko`zgularga tushadi (7- rasm). Ko`zgudan qaytgan nurlar E ekranda interferensiya manzarasini hosil qiladi. Ularni go`yoki mavhum S1 va S2 manbalardan chiqayotgan nurlar sifatida qarash mumkin. 7-rasm Frenel biprizmasi. U ikkita bir xil, asoslari yopishtirilgan prizmalardan iborat (8- rasm). S manbadan chiqayotgan yorug’lik biprizmadan sinib o`tib, go`yoki S1 va S2 mavhum manbalardan chiqayotgan kogerent to`lqinlar sifatida E ekranda interferensiya manzarasini hosil qiladi. 8-rasm 19 Yupqa pardada interferensiya. Kundalik hayotimizda yupqa shisha plastinkada, sovun pardasi va shunga o`xshash pardalarda interferensiya hodisasi (turli ranglarning tovlanishi) kuzatiladi. 9-rasm 9-rasmda d qalinlikli n yupqa parda ko`rsatilgan. A nuqtaga o`tkazilgan perpendikular bilan  burchak hosil qilib SA nur tushmoqda. Bu nur A nuqtada qisman qaytib, AE yo`nalishda harakatlanadi. Qisman singan nur B nuqtadan yana qaytadi va pardadan chiqib, AE ga parallel CD yo`nalishda harakatlanadi. AE va CD nurlar bitta SA nurdan hosil bo`lgani uchun ham kogerent bo`ladi va interferensiyaga kirishishadi. Shuni ta'kidlash lozimki, qaytgan yorug`lik nurining to`lqin uzunligi 2  ga o`zgaradi, ya'ni yo`l farqiga 2  qo`shiladi. Boshqacha aytganda, qaytgan yorug`lik to`lqini fazasini  ga o`zgartiradi. Yupqa pardada interferensiya quyidagi ifodalar yordamida aniqlanadi. Maksimumlar sharti: 2 2 sin 2 2 2 2      k  d n   (1) Minimumlar sharti: 2 2 sin 2 (2 1) 2 2      k   d n   (2) Tushayotgan yorug’likning tarkibiga qarab, (1) shartga binoan, turli xil rangli interferensiya yo’llari kuzatilishi mumkin. Nyuton halqalari. Yassi-parallel plastinka ustiga katta radiusli ( R=10-100m) yassi-qavariq linza qo`yilgan bo’lsin (10- a rasm). Bu holda teng qalinlikli yo’llar halqalar ko`rinishida bo’lib, ularga Nyuton halqalari deyiladi. Linzaga monoxromatik yorug’lik tushayotgan bo’lsa, havo qatlamining yuqori va quyi qatlamlaridan qaytayotgan to’lqinlar o`zaro interferensiyaga kirishadi. Qaytgan yorug’lik uchun qorong`i halqalarning radiuslari r q  kR (3) ifoda bilan aniqlanib, markazda qora dog` bo`ladi (10- b rasm). Bu yerda k= 0, 1, 2, ... - halqalarning tartib raqami. Yorug` halqalarning radiuslari   2 2 1  r yo  k  R (4) 20 kabi aniqlanadi. Bu yerda k = 1, 2, 3, ... - yorug` halqalarning tartib raqamlari. Qaytgan va o`tgan yorug`liklarning optik yo`l farqlari 2  ga farq qilgani uchun ham, ulardagi maksimum va minimumlarning o`rni almashadi. Boshqacha aytganda, o`tgan yorug`lik uchun (3) ifoda yorug`, (4) ifoda qorong`i halqalarning radiuslarini aniqlaydi. 10-rasm
3. Kontakt xodisalari.
KONTAKT HODISALAR
Qattiq jism o'tkazuvchanlik turi bilan farqlanuvchi yoki o‘tkazuvchanlik
turi bil xil boiib, solishtirma qarshiligi bilan farqlanuvchi
sohalari orasidagi kontakt natijasida hosil bo‘ladigan o‘tkinchi qatlam
elektr o ‘tish deb ataladi. Yarimo'tkazgich asboblarda elektron - kovak
o ‘tish yokip - n o‘tish debataluvchi elektro‘tishdankengfoydalaniladi.
Taqiqlangan zonalari kengligi teng, ya’ni kimyoviy jihatdan bir
xil yarimo‘tkazgich materiallar (masalan, Si yoki GaAs) asosidagi
elektr o‘tishlar gomoo‘tish, taqiqlangan zonalari qiymati bir-biridan
farqlanuvchi yarimo‘tkazgichlar asosidagi o‘tishlar esa geteroo ‘tish deb
ataladi. Metallarda taqiqlangan zona bo‘lmagani sababli geteroo‘tishlaming
xususiy holiga mos, metall — yarimo‘tkazgich deb ataluvchi
elektr о ‘tishlar ham elektronikada keng qo‘lIaniladi.
Ko‘p yarimo‘tkazgich asboblar va integral mikrosxemalaming
ishlash prinsipi elektr o‘tishlaming xususiyatlariga asoslanadi.
Muvozanat holatda p-n o‘tish
Yarimo‘tkazgich asboblarning aksariyati bir jinsli bo'lmagan yarimo‘
tkazgichlar asosida yaratiladi. Xususiy holda, bir jinsli bo‘lmagan
yarimo‘tkazgich monokristallning ma’lum sohasi p - turli, boshqa sohasi
n - turli o'tkazuvchanlikni namoyon etadi. Yarimo‘tkazgichning p -
va n — sohalari chegarasidan ikki tomonda hajmiy zaryad sohasida
elektron — kovak o‘tish yoki p-n o‘tish hosil bo‘ladi. Uning ishlash
mexanizmini oydinlashtirish uchun n - sohadagi elektronlar va p -
sohadagi kovaklar soni bir-biriga teng va har bir sohada oz miqdorda
noasosiy zaryad tashuvchilar mavjud deb hisoblaymiz. Xona temperaturasida
p — turli yarimo‘tkazgichda akseptor kirishmalar manfiy ionlari
konsentratsiyasi Na\ kovaklar konsentratsiyasi pp ga, n - turli
yarimo‘tkazgichda esa donor kiritmalar musbat ionlari konsentratsiyasi
N /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - v& n - sohalar chegarasida
kovaklar va elektronlar konsentratsiyasi gradienti mavjud
bo‘lganligi sababli elektronlaming p - sohaga, kovaklaming n – sohaga diffUziyasi boshlanadi.

2.1-rasm. Termodinamik muvozanat holatidagi p-n o‘tish.

Diffuziya natijasida chegara yaqinidagi n - sohada elektronlar
konsentratsiyasi qo‘zg‘almas musbat donor ionlari konsentratsiyasidan
kamayadi va bu qatlam musbat zaryadlana boshlaydi. Bir vaqtning
o‘zida chegaradosh p - sohada kovaklar konsentratsiyasi ham qo‘zg‘
almas manfiy akseptor ionlari konsentratsiyasidan kamayadi va bu
qatlam manfiy zaryad ola boshlaydi (2.1a-rasm). Natijada, chegaradan
ikki tomonda qo‘sh elektr qatlam hosil boiadi. Rasmda musbat va
manfiy ishoralar bilan belgilangan doirachalar mos ravishda donor va
akseptor kiritmalar ionlarini tasvirlaydi. Hosil bo‘lgan qo‘sh elektr
qatlami p-n o'tish deb ataladi. Ushbu qatlamda harakatchan zaryad
tashuvchilar bo‘lmaydi. Shuning uchun uning solishtirma qarshiligi p -
va n - sohalamikiga nisbatan juda yuqori bo‘ladi. Adabiyotlarda bu
qatlam kambag‘allashgan yoki i-soha deb ataladi.
p - va n - sohalar chegarasidan ikki tomonda joylashgan hajmiy
zaryad musbat va manfiy ishoraga ega bo‘Igani sababli p-n o‘tish
sohasida kuchlanganligi Ё bo‘lgan ichki elektr maydon hosil qiladi.
Ushbu maydon qo‘sh elektr zaryad sohasiga kirgan asosiy zaiyad
tashuvchilar uchun tormozlovchi ta’sir qilib, ulaming p-n o‘tish orqali
qo‘shni sohaga o‘tishiga qarshilik ko'rsatadi. Potensialning p-n o‘tish
yuzasiga perpendikular bo‘lgan X yo‘nalishda o'zgarishi 2.1b-rasmda
ko‘rsatilgan. Bu yerda p - va n - sohalar chegarasidagi potensial nol
potensialga teng deb qabul qilingan.
funksiyasi
hamda zaryad tashuvchilaming zonalar bo‘yicha taqsimlanishi
bilan birgalikda 2.1 d-rasmda ko'rsatilgan.
p-n o‘tishda voltlarda ifodalangan kontakt potensiallar farqi
ga teng bo‘lgan potensial to‘siq yoki kontakt potensiallar farqi
hosil bo‘lishi 2.1b-rasmdan ko‘rinib turibdi. Uk qiymati yarimo‘tkazgich
taqiqlangan zona kengligi va kiritmalar konsentratsiyasiga bog‘liq
bo‘lib, quyidagi ifoda bilan hisoblanadi

Odatda germaniyli p-n o‘tishlar uchun kontakt potensiallar farqi

V ni, kremniylilar uchun esa - 0,7V ni tashkil etadi.
p-n o‘tishni hosil qiluvchi Nd va Na kiritmalar konsentratsiyasi
texnoiogik chegarada zinasimon o‘zgarsa keskin p-n o'tish yuzaga
keladi. Uning kengligi 
4.YARIM O‘TGAZGICH YARIM O‘TKAZGICH CHEGARALARIDA KONTAKT HODISALARI
YARIMO‘ TKAZGICHLARDA KONTAKT HODISALAR

Qattiq jism o'tkazuvchanlik turi bilan farqlanuvchi yoki o‘tkazuvchanlik

turi bil xil boiib, solishtirma qarshiligi bilan farqlanuvchi

sohalari orasidagi kontakt natijasida hosil bo‘ladigan o‘tkinchi qatlam

elektr o ‘tish deb ataladi. Yarimo'tkazgich asboblarda elektron - kovak

o ‘tish yokip - n o‘tish debataluvchi elektro‘tishdankengfoydalaniladi.

Taqiqlangan zonalari kengligi teng, ya’ni kimyoviy jihatdan bir

xil yarimo‘tkazgich materiallar (masalan, Si yoki GaAs) asosidagi

elektr o‘tishlar gomoo‘tish, taqiqlangan zonalari qiymati bir-biridan

farqlanuvchi yarimo‘tkazgichlar asosidagi o‘tishlar esa geteroo ‘tish deb

ataladi. Metallarda taqiqlangan zona bo‘lmagani sababli geteroo‘tishlaming

xususiy holiga mos, metall — yarimo‘tkazgich deb ataluvchi

elektr о ‘tishlar ham elektronikada keng qo‘lIaniladi.

Ko‘p yarimo‘tkazgich asboblar va integral mikrosxemalaming

ishlash prinsipi elektr o‘tishlaming xususiyatlariga asoslanadi.

Muvozanat holatda p-n o‘tish

Yarimo‘tkazgich asboblarning aksariyati bir jinsli bo'lmagan yarimo‘

tkazgichlar asosida yaratiladi. Xususiy holda, bir jinsli bo‘lmagan

yarimo‘tkazgich monokristallning ma’lum sohasi p - turli, boshqa sohasi

n - turli o'tkazuvchanlikni namoyon etadi. Yarimo‘tkazgichning p -

va n — sohalari chegarasidan ikki tomonda hajmiy zaryad sohasida

elektron — kovak o‘tish yoki p-n o‘tish hosil bo‘ladi. Uning ishlash

mexanizmini oydinlashtirish uchun n - sohadagi elektronlar va p -

sohadagi kovaklar soni bir-biriga teng va har bir sohada oz miqdorda

noasosiy zaryad tashuvchilar mavjud deb hisoblaymiz. Xona temperaturasida

p — turli yarimo‘tkazgichda akseptor kirishmalar manfiy ionlari

konsentratsiyasi Na\ kovaklar konsentratsiyasi pp ga, n - turli

yarimo‘tkazgichda esa donor kiritmalar musbat ionlari konsentratsiyasi

N /, elektronlar konsentratsiyasi n„ ga teng. p - v& n - sohalar chegarasida

kovaklar va elektronlar konsentratsiyasi gradienti mavjud

bo‘lganligi sababli elektronlaming p - sohaga, kovaklaming n – sohaga diffUziyasi boshlanadi.