Экстракциялаш аппаратларини ҳисоблаш

Кристаллизаторларни ҳисоблаш


Кристалланиш процессининг моддий баланси. Эритувчининг бир қисмини йўқотиш билан борадиган кристалланиш процессида моддалар миқдорларини аниқлаш учун уларнинг катталикларини қуйидагича белгилаймиз: G_э, G_кр, G_қ –дастлабки эритманинг, ажралган кристалларнинг ҳамда кристаллардан ажралган, ўз таркибида эриган моддалар ушлаган суюқлик қолдиғининг миқдорлари;
в_б, в_қ –дастлабки эритма ва кристаллардан ажралган суюқлик қолдиғи таркибидаги эриган модда концентрацияларининг улушлари;
a=М/М_кр – эриган абсолют қуруқ модда молекуляр массасининг кристаллгидратнинг молекуляр массасига нисбати;
W – йўқотилган эритувчининг миқдори.
Бунда умумий баланс қуйидагича бўлади:

G_э= G_кр+G_қ +W

Эриган абсолют қуруқ моддага нисбатан баланс қуйидагича ёзилади:

G_э в_б =G_кр · а +G_қ в_қ

(15.1) ва (15.2) тенгламаларни биргаликда ечиб, олинган кристаларнинг массаси аниқланади. Бу вақтда эритманинг миқдори ҳамда унда эриган моддаларнинг концентрацияси ва суюқлик қолдиғидаги эриган модданинг концентрациялари берилган бўлади. Ҳосил бўлган кристалларнинг массаси эса;

Агар а=1 бўлса, G_{кр.............}

Совитиш усули билан ишлайдиган кристаллизаторларни ҳисоблаш. Бу кристаллизаторларда эритма буғлатилмагани учун W=0 бўлади. Ҳосил бўлган кристалларнинг миқдори:
Эритувчининг буғ ҳолида буғлатиш учун сарфланган газ миқдори қуйидагича аниқланади:

бу ерда L – қуруқ газнинг сарфи, кг; x₁, x₂ – газнинг бошланғич ва процесс охиридаги намлик ушлаш қобилияти;

Қаттиқ кристал ҳолидаги модданинг эриши натижасида кристалл тўсиқларни ажратиш учун иссиқлик ютилади. Қаттиқ модданинг эритувчи билан ўзаро химявий таъсирида иссиқлик ажралади. Ютилган ва ажралиб чиққан иссиқликларнинг миқдорига нисбатан кристалланишнинг иссиқлик эффекти ижобий ёки салбий бўлиши мумкин.
Кристаллизаторларнинг умумий совитиш ва иситиш юзалари умумий иссиқлик баланси тенгламасидан топилади, сўнгра бу қиймат асосида кристаллизаторнинг асосий ўлчамлари аниқланади.