Kafedra: Elektronika va radiotexnika Fan: Elektronika va sxemalar 1 labaratoriya ishi №13

O`zbekiston Respublikasi axborot texnologiyalari va komunikatsiyalarini rivojlantirish vazirligi Muhammad al-

Xorazmiy nomidagi Toshkent Axborot texnologiyalari Universitati

Kafedra: Elektronika va radiotexnika Fan:Elektronika va sxemalar 1

LABARATORIYA ISHI №13

MAVZU: Umumiy istok ulanish sxemasidagi maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish

Bajardi: 216-19 guruh talabasi Jumayev Zamonbek

Tekshirdi:Abdullayev Abdubakir

TOSHKENT 2020

13- LABORATORIYA ISHI

Umumiy istok ulanish sxemasidagi maydoniy tranzistor statik xarakteristikalari va parametrlarini tadqiq etish

Ishdan maqsad: Umumiy istok ulanish sxemasidagi

maydoniy tranzistorning asosiy statik xarakteristikalari va

parametrlarini tadqiq etish.

Variant №19. Maydoniy tranzistor: 2N5078; R=600 Om.



2N5078 Maydoniy tranzistorining texnik xarakteristikalari:

Parametrlar	Qiymatlari
Transistor turi	JFET
Kanali	N
Maksimal belgilangan stok-istok kuchlanishi (Uds)	30V
Maksimal belgilangan zatvor-istok kuchlanishi (Ugs)	30V
Maksimal belgilangan doimiy stok toki (Id)	0.04 A
Kollektor quvvatining tarqalishi (Pd)	0.4Wt
Kanal maksimal temperaturasi (Tj)	200 ° C
Tranzistor ochilishida stok-istok qarshiligi (Rds)	150 Ohm
Korpusi	TO-72

1-rasm. Umumiy istok ulanish sxemasidagi maydoniy tranzistorning uzatish va chiqish xarakteristikalar oilasini o‘lchash prinsipial sxemasi