laboratoriya jumisi tapsırdı: Dúysenbayeva d qabılladı: Karimova a nókis 2023 laboratoriya jumısı btda jasalǵan ue kúsheytkish sxemasın izertlew Jumıstıń maqseti

ÓZBEKSTAN RESPUBLIKASÍ INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARÍ HÁM KOMMUNIKACIYALARÍN RAWAJLANDÍRÍW MINISTRLIGI

MUHAMMED AL-XOREZMIY ATÍNDAǴI TASHKENT INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NÓKIS FILIALÍ

«Telekommunikaciya texnologiyaları hám kásiplik tálim» fakulteti « Informaciya qáwipsizligi» baǵdarı
2-kurs 305-21 topar student
Dúysenbayeva Dilfuzanıń
«Elektronika hám sxemaları 2» páninen
2-LABORATORIYA JUMISI
Tapsırdı: Dúysenbayeva D
Qabılladı: Karimova A

Nókis - 2023

2 - laboratoriya jumısı
BTda jasalǵan UE kúsheytkish sxemasın izertlew
Jumıstıń maqseti: UE jalǵanıw sxemasında bipolyar tranzistorlardıń tiykarǵı statikalıq xarakteristikaları hám parametrlarin izertlew, xarakteristikalardı ólshew hám tajreybe nátiyjelerin qayta islew metodı menen tanısıw.
1. Laboratoriya jumısın orınlawǵa tayarlıq:
Grafikalıq kóriniste ańlatılǵan tok hám kernew arasındaǵı baylanıslılıq tranzistor statikalıq xarakteristikaları dep ataladı. Ulıwma emitter jalǵanıw sxemasında ǵárezsiz ózgeriwshiler sıpatında baza tokı hám kollektor – emitter kernewi tańlanadı, sonda:
(2.1)

2.2-suwret

Kiris hám basqarıw xarakteristikaları

EB	V	0.761
uBE	V	0.28
iB	mkA	0.780
iK	mA	0.060

2.2 - kestе
2.3 – suwrette keltirilgen ólshew sxemasın jıynań. Tranzistor cokolınıń sxeması 2.4 – suwrette keltirilgen. Rezistor qarsılıqları R₁= (5–10 ) kOm hám R₂=(510-1000) Om.

2.4-suwret

Kerekli asbaplar: derek, resistor, ampermetr, voltmeter ha’m transistor

№
1	5 V	5-10 k Om	510-1000 Om

Mag’an berilgen topsirmag’a ko’ra ni 5 k Om, ni 800 Om, ni 5 V deb belgilep aldim.

Da’stlepki xarakteristikalari:

	V	5
	V	11.99
	mkA	0
	mkA	-0.88