ÓZBEKSTAN RESPUBLIKASÍ INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARÍ HÁM KOMMUNIKACIYALARÍN RAWAJLANDÍRÍW MINISTRLIGI
MUHAMMED AL-XOREZMIY ATÍNDAǴI TASHKENT INFORMACIYALÍQ TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI NÓKIS FILIALÍ
«Telekommunikaciya texnologiyaları hám kásiplik tálim» fakulteti « Informaciya qáwipsizligi» baǵdarı
2-kurs 305-21 topar student
Dúysenbayeva Dilfuzanıń
«Elektronika hám sxemaları 2» páninen
2-LABORATORIYA JUMISI
Tapsırdı: Dúysenbayeva D
Qabılladı: Karimova A
Nókis - 2023
2 - laboratoriya jumısı
BTda jasalǵan UE kúsheytkish sxemasın izertlew
Jumıstıń maqseti: UE jalǵanıw sxemasında bipolyar tranzistorlardıń tiykarǵı statikalıq xarakteristikaları hám parametrlarin izertlew, xarakteristikalardı ólshew hám tajreybe nátiyjelerin qayta islew metodı menen tanısıw.
1. Laboratoriya jumısın orınlawǵa tayarlıq:
Grafikalıq kóriniste ańlatılǵan tok hám kernew arasındaǵı baylanıslılıq tranzistor statikalıq xarakteristikaları dep ataladı. Ulıwma emitter jalǵanıw sxemasında ǵárezsiz ózgeriwshiler sıpatında baza tokı hám kollektor – emitter kernewi tańlanadı, sonda:
(2.1)
2.2-suwret
Kiris hám basqarıw xarakteristikaları
EB
|
V
|
0.761
|
uBE
|
V
|
0.28
|
iB
|
mkA
|
0.780
|
iK
|
mA
|
0.060
|
2.2 - kestе
2.3 – suwrette keltirilgen ólshew sxemasın jıynań. Tranzistor cokolınıń sxeması 2.4 – suwrette keltirilgen. Rezistor qarsılıqları R1= (5–10 ) kOm hám R2=(510-1000) Om.
2.4-suwret
Kerekli asbaplar: derek, resistor, ampermetr, voltmeter ha’m transistor
№
|
|
|
|
1
|
5 V
|
5-10 k Om
|
510-1000 Om
|
Mag’an berilgen topsirmag’a ko’ra ni 5 k Om, ni 800 Om, ni 5 V deb belgilep aldim.
Da’stlepki xarakteristikalari:
|
V
|
5
|
|
V
|
11.99
|
|
mkA
|
0
|
|
mkA
|
-0.88
|
Do'stlaringiz bilan baham: |