Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi Toshkent axborot texnalogiyalari

Muhammad Al-Xorazmiy nomidagi
Toshkent axborot texnalogiyalari
Universiteti Qarshi filiali
KI 16_21 guruh talabasi
Abdisalomova Mehrangiz
Elektronika va Sxemalar fanidan
1-mustaqil ishi
Bajardi:_____________Abdisalomova .M
Qabul qildi:__________Rustamovava.M
Mavzu : Funksional elekronika, Bioelektronika haqida tushunchalar.
1. Nosimmetrik DN sxemasi Funksional elekronika haqida va uning turlari
2. Bioelektronika haqida tushunchalar.
Reja
DK simmetrik bo‘lgani sababli kirish signali UKIR EO‘lar orasida teng taqsimlanadi: ularning birida kuchlanish 0,5·UKIR qiymatga ortadi, ikkinchisida esa shu qiymatga kamayadi. UKIR1 kuchlanishi ortsin, UKIR2 esa, kamaysin. Bunda VT1 tranzistorning emitter va kollektor toklari musbat orttirma, VT2 tranzistorning mos toklari esa, manfiy orttirma oladi. Natijada, chiqish kuchlanishi hosil bo‘ladi: Emitter toklarining o‘zgarishi zanjirlar uchun umumiy RE rezistorda manfiy TA signalini tashkil etuvchi orttirma hosil qiladi. Agar DK ideal simmetrik bo‘lsa, va ΔUE=0. Natijada, emitterlar potensiali o‘zgarmas qoladi va DK uchun manfiy TA signali mavjud bo‘lmaydi. Shu sababli DKning kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti TAsiz UE ulangan kaskad uchun ilgari yozilgan ifoda bilan aniqlanadi . (7.3) 1, RK =5 kOm, IE =1 mA, = 0,025 V-1 bo‘lganda, KU = - 200 bo‘ladi. Amalda DKning to‘rt xil ulanishidan foydalaniladi: simmetrik kirish va chiqish; simmetrik kirish va nosimmetrik chiqish; nosimmetrik kirish va simmetrik chiqish; nosimmetrik kirish va chiqish. Simmetrik kirishda signal manbai DK kirishlari orasiga (tranzistorlar bazalari orasiga) ulanadi. Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi DK chiqishlari orasiga (tranzistorlar kollektorlar orasiga) ulanadi.
Nosimmetrik chiqishda yuklama bir elektrodi bilan tranzistorlardan birining kollektoriga, boshqa elektrodi bilan esa, umumiy shinaga ulanadi. Bu holda, KU simmetrik chiqishdagiga nisbatan 2 marta kichik bo‘ladi. Nosimmetrik kirish va chiqishda, agar kirish signali DK chiqish signali olinadigan yelka kirishiga berilgan bo‘lsa, bu holda kuchaytirishga DKning faqat bir yelkasi ishlaydi. Agar kirish signali DKning bir yelkasiga berilgan bo‘lsa-yu, chiqish signali boshqa yelka chiqishidan olinsa, birinchi holdagidek KUga ega bo‘lgan, inverslanmagan signal olinadi. Agar chiqish signali har doim berilgan bitta chiqishdan olinsa, DK kirishlariga «inverslaydigan» va «inverslamaydigan» degan nom beriladi.
Nosimmetrik kirish va chiqishli kaskad namunasi .Bunda foydalanilmaydigan kirish kuchlanishi o‘zgarmas sathli qilib olinadi, masalan, umumiy shinaga ulanadi. Agar kirish signali UKIR1 ga berilsa, chiqishda inverslanmagan signal olinadi. Demak, UKIR1 inverslamaydigan kirish, UKIR2 esa, inverlaydigan kirish bo‘ladi. DKning asosiy parametrlaridan biri bo‘lib sinfaz signal-larni so‘ndirish koeffitsiyenti (SSSK) hisoblanadi. SSSK deb KU.DF ni KU.SF ga nisbatining detsibellarda ifodalangan qiymati tushuniladi, ya’ni Zamonaviy DKlarda SSSKning qiymati odatda 60÷100 dB orasida bo‘ladi. DKning keyingi asosiy parametri uning dinamik diapazonidir. Dinamik diapazon deganda kuchaytirgich kirishidagi maksimal va minimal signallar amplitudalari nisbati tushuniladi.
Yarim o‘tkazgich IMSlar analog mikroelektron apparatlar hisoblash texnikasi tizimlari va qurilmalarining element bazasini tashkil etadi. Mikroelektronika rivojining asosiy tendensiyasi integrasiya darajasini Mur qonuniga muvofiq orttirishdan iborat. Integratsiya darajasini oshirishning bitta yo’li tranzistor tuzilmalarning o‘lchamlarini kichiklashtirishdan iborat. Bunda bipolyar IMSlar komponentalari bir biridan va yarim o‘tkazgich asosdan qo‘shimcha konstruktiv elementlar yordamida elektr jihatdan izolatsiyalanadi. Komponentlar ichki ulanishlarni metallash yo‘li bilan funksional sxemaga birlashtiriladi, chunki ulanayotgan sohalar turli elektr o‘tkazuvchanlikka (elektron yoki kovakli) ega. Sxema elementlari o‘lchamlarining kichiklashishi (diod, tranzistor, rezistorlar) sxema zichligini oshiradi va, natijada, signal o‘tish vaqtini, ya’ni qurilmalar tezkorligini oshiradi. Integrasiya darajasining oshishi bilan kristalning o‘zaro ulanishlar bilan band pogon sig'imga ega ulushi ortadi. Aloqa liniyasi С pogon sig‘imga ega bo‘lsin. Agar aloqa liniyasi uzunligi I bo'lsa, va u orqali t sekund davomida amplitudasi U bo’lgan impuls uzatilsa, har bir impuls bilan liniyaga P = (CIU2)/1 quwat kiritiladi. Impuls quvvatini oshirib mantiq element qayta u lan ish tezligini oshirishi mumkin. Sxemaga kiritilayotgan impuls quwwat oshirilishi bilan unda ko‘proq ajralayotgan issiqlikni olib ketish ham kerak. Shuning uchun zamonaviy sxemotexnik elektronika qurilm alarida axborotlarni qayta ishlash tezligi sekundiga 10 9-^-1010 opertsiyadan oshmaydi.
Bunday xarakteristikalar www.ziyouz.com kutubxonasi axborotlarning katta massivlariga real vaqt masshtabida ishlov berishga imkoniyat bermaydi (obrazlarni aniqlash, konstruksiyalarni sintez qilish, bilimlar bazasini boshqarish, sun’iy intellekt yaratish va h.k.).
Elektronika rivojining tezkorlikni oshirishga yo‘naltirilgan alternativ yo‘llaridan biri an ’anaviy elementlardan chetlashishdan va katta massivga ega axborotlarga ishlov berishda axborot tashuvchi sifatida qattiq jismdagi dinamik bir jinslimasliklardan foydalanishdan iborat. Bu bir jinslimasliklar dinamik deb atalishiga sabab shundaki, ular turli fizik hodisalar yordamida hosil bo‘ladi, siljishi, shaklini, holatini o'zgartirishi, boshqa bir jinslimasliklar bilan ta ’sirlashishi mumkin. IM Slarda kom ponentli tuzilishdan chetlashish va dinam ik bir jinslikm aslilardan foydalanishga asoslangan yo'nalish “funksional elektronika” nomini oldi. Funksional elektronika (FE) rivojlanishining boshlangich bosqichlarida turibdi. F E ning ko’proq qurilmalari mikroelektronikaning raqamli qurilmalari bilan ishlashga moslashgan. Ular birinchi navbatda yuqori tezkorlik va 105-H 0 7 bit sig‘imga ega xotira qurilmalaridir. Funksional elektronikaning eng istiqbolli ba’zi asboblari ishlash prinsiplarini ko‘rib chiqamiz.
Zaryadni m a’lum yo‘nalishda ko‘chirish uchun har bir elektrod uch fazali boshqarish tizimining F1 F2F3 takt shinalaridan biriga ulanadi. Dem ak, ZAAning bir elementi uchta M DY — tuzilmali yacheykadan iborat bo‘ladi. Agar ZAA qo‘shni elektrodlariga berilgan kuchlanishlar qiymat jihatdan bir-biridan farq qilsa, qo‘shni potensial chuqurlar orasida elektr m aydon hosil b o ‘ladi. U shbu m aydon yo‘nalishi shundayki, elektronlar kattaroq potensialga ega sohaga dreyf harakat qiladi, y a’ni “ sayozroq” potensial ch u q u rd an nisbatan “chuqurroq”qa ko‘chadi. Agar zaryad birinchi elektrod ostida to ‘plangan b o ‘lsa-yu, uni ikkinchi elektrod ostiga siljitish zarur bo‘lsa, unga kattaroq kuchlanish beriladi, bunda zaryad yuqoriroq kuchlanishli elektrod ostiga ko‘chadi. Keyingi taktda yuqoriroq kuchlanish navbatdagi elektrodga beriladi va zaryad unga ko‘chadi. Zaryad ko‘chirishning uch taktli tizimida 1,4,7,10 va shunga o ‘xshash elektrodlar Ft shinaga, 2,5,8,11 elektrodlar F2 shinaga, 3,6,9,12 va shunga o‘xshash elektrodlar esa 7 , shinaga ulanadi.