«умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини ҳисоблаш»


Download 1.21 Mb.
bet1/2
Sana18.06.2023
Hajmi1.21 Mb.
#1557756
  1   2
Bog'liq
«умумий эмиттер схемаси бўйича йи илган биполяр транзисторли куч



ЎЗБЕКИСТОН РЕСПУБЛИКАСИ АХБОРОТ ВА КОММУНИКАЦИОН ТЕХНОЛОГИЯЛАРИНИ РИВОЖЛАНТИРИШ ВАЗИРЛИГИ

МУХАММАД АЛ-ХОРАЗИМИЙ НОМИДАГИ


ТОШКЕНТ АХБОРОТ ТЕХНОЛОГИЯЛАРИ УНИВЕРСИТЕТИ
“Электроника ва схемалар 2” фанидан
1- мустақил иш
Мавзу: «УМУМИЙ ЭМИТТЕР СХЕМАСИ БЎЙИЧА ЙИҒИЛГАН БИПОЛЯР ТРАНЗИСТОРЛИ КУЧАЙТИРГИЧ КАСКАДИНИ ҲИСОБЛАШ»
Бажарди: САЕ008 гурух талабаси
Мавлонов Жасурбек
Тошкент 2022
Ишнинг мақсади: умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган BC548B биполяр транзисторининг кучайтиргич каскадларини техник параметрларини ҳисоблаш ва ўлчаш бўйича амалий кўникмаларни мустаҳкамлаш.

Вариантлар ва дастлабки маълумотлар:



Вариантлар

Транзистор тури

База
сокин
токи Iбп, мкА

Манба кучланиши Ек, В

Коллектор қаршилиги Rк, Ом

Кучайтиргичнинг қуйи чегаравий частотаси fН, Гц

34

BC548B

50

20

1600

100

1. транзисторининг параметрларини ҳисоблаш

1.1 УЭ схемаси асосида BC548B транзисторининг кириш ва чиқиш статик характеристикаларининг графигини тузиш.


УЭ схемасига асосида BC548B транзисторининг кириш характеристикалари яъни Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганида Iб = f(Uбэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.
Транзисторнинг параметрларини аниқлаш учун схема йиғилади.
1- расм



1- расм. Транзисторнинг кириш характеристикалари оиласини аниқлаш

Аниқланган IБ ва UБЭ қийматларини 1- жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи графигини тузамиз.


BC549BP транзисторнинг УЭ схемасига мос равишда Uкэ = 0 В ва Uкэ = 10 В бўлганда Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи



1-жадвал

UКЭ=0В

UКЭ=10В

IБ, мкА

UБЭ, мВ

IБ, мкА

UБЭ, мВ

25

605

25

696

50

626

50

720

75

638

75

735

100

647

100

747

125

654

125

757

150

659

150

766

175

664

175

774

200

668

200

781

250

675

250

793

300

680

300

804

350

684

350

814

400

688

400

823

Берилган қийматлар асосида Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графигини чизамиз (2- расм).





(2- расм). BC549BP транзисторининг Iб = f(Uбэ) кириш характеристикалари оиласи графиги


УЭ схемасига асосан BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари, яъни Iб = const бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқлик оиласи графигини тузиш.


Транзистор параметрларини аниқлаш учун 2 схема йиғилади (3- расм)



Ib = const

3- расм. Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласини аниқлаш

База токининг Iб = 25 мкА; Iб = 50 мкА; Iб = 75 мкА; Iб = 100 мкА; Iб = 125 мкА; Iб = 150 мкА қийматларида транзисторнинг коллектор токи Iк ва коллектор ва эмиттер орасидаги кучланиш Uкэ олинган қийматларини 2-жадвалга киритамиз. Бу қийматлар асосида BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = const бўлганда Iк = f(Uкэ) графиги тузилади.


BC549BP транзисторининг чиқиш характеристикалари оиласи


Iк = f(Uкэ)
2-жадвал



UКЭ

IБ=25 мкА бўлганда
IК мА

IБ=50мкА бўлганда
IК мА

IБ=75 мкА бўлганда
IК мА

IБ=100мкА бўлганда
IК мА

IБ=125 мкА бўлганда
IК мА

IБ=150мкА бўлганда
IК мА

0

-0,03

-0,075

-0,125

-0,176

-0,227

-0,278

0,5

-7,314

-14,441

-21,092

-27,324

-33,198

-39,766

1,0

-7,363

-14,536

-21,232

-27,506

-33,419

-39,025

2,0

-7,459

-14,729

-21,513

-27,869

-33,861

-39,541

3,0

-7,556

-14,92

-21,793

-28,233

-34,304

-40,058

4,0

-7,653

-15,112

-22,074

-28,597

-34,746

-40,574

5,0

-7,751

-15,305

-22,355

-28,961

-35,189

-41,092

6,0

-7,846

-15,496

-22,634

-29,325

-35,632

-41,608

7,0

-7,946

-15,688

-22,915

-29,687

-36,072

-42,125

8,0

-8,041

-15,88

-23,197

-30,052

-36,516

-42,641

9,0

-8,139

-16,071

-23,476

-30,417

-36,955

-43,157

10

-8,237

-16,264

-23,759

-30,781

-37,399

-43,675

15

-8,72

-17,222

-25,16

-32,598

-39,611

-46,256

20

-9,205

-18,186

-26,56

-34,415

-41,823

-48,839

Транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ) графигини тузамиз (4-расм).





4-расм. BC549BP транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи
Iк = f(Uкэ) графиги

1.2 BC548B транзисторининг умумий эмиттер схемаси учун олинган вольтампер характеристикасидан график усулда h– параметрини аниқлаш.


BC548B транзисторининг кириш характеристикалари оиласи Iб = f(Uбэ) дан, h11э ни аниқлаймиз. Транзисторнинг статик режимини аниқловчи Uкэ=10 В га мос келувчи берилган база сокин токи Iбп=75 мкА қиймати ёрдамида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз.

“А” нуқтанинг координаталри: Iбп=75 мкА, Uбэп=735 мВ.


“А” ишчи нуқта яқинида бир хил масофада иккита ёрдамчи нуқталар аниқлаб оламиз ва оралиқ база токи ΔIб ва оралиқ кучланиш ΔUбэқийматини аниқлаб, қуйидаги ифода ёрдамида дифференциал қаршиликни топамиз::
5- расмдан Iб1=25 мкА, Iб2=100 мкА, Uбэ1=696 мВ, Uбэ2=735мВ қийматларни оламиз. У ҳолда h11эқуйидагича аниқланилади:




5- расм.h11э параметрини график усулда аниқлаш

BC549BP транзисторининг кириш характеристикалари оиласи


Iб = f(Uбэ) дан, h12э ни аниқлаймиз. Бунинг учун Uкэ=0В холатида олинган характеристикани кесишувчи “А” нуқтадан горизантал чизиқ ўтказиб оламиз. BC549BP транзисторининг эмиттер ва коллектор орасида кучланиш орттирмаси қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:

ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1=10В – 0В=10В


ΔUкэ қийматига асосан транзисторнинг эмиттер ва базаси орасидаги кучланиши орттирмасини аниқлаймиз:


ΔUбэ= Uбэп4 – Uбэ3=735мВ – 638мВ=97мВ



6-расм.h12э параметрни график усулда аниқлаш

h12э параметрини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:





BC549BP транзситорининг чиқиш характеристикалари оиласи Iк = f(Uкэ)(Iб = const) дан h21э параметрини аниқлаймиз. Iбп = 75 мкА учун ВАХ ни чиқиш шахобчаси билан юкламаннг чизиқли кесишмаси (Ек = 5В,Rк= 400 Ом) сифатида тарнзисторнинг чиқиш характеристикасида “А” ишчи нуқтани аниқлаймиз
Iк токи ўқи бўйича Ек/ Rк = 33,3 мА қийматини ажратиб оламиз.
Uкэ кучланиши ўқи бўйича Ек = 20В қийматини ажратиб оламиз.



7-расм.h21э параметрини гарфик усулда аниқлаш

“А” ишчи нуқтаси учун қуйидаги координаталарни оламиз: Iкп =-23,796 мА, Uкэ=10В. Iб1 = 50 мкА ва Iб3 = 100 мкА бўлганидаги ВАХ ни шахобчалари билан кесишгунига қаар ишчи нуқтадан тўғри верткал чизиқ ўтказамиз.


Берилган Iбпбаза токи қийматига яқин қийматда олиган ΔIб база токи орттирмасини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлиймиз:

ΔIб = Iб3 – Iб1=100 мкА – 50 мкА=50мкА


Қуйидаги ифода ёрдамида аниқланадиган коллектор токининг орттирмаси, ΔIб база токи орттирмасига мос келади:


ΔIк = Iк2 – Iк1= - 8,237 мА + 30,781 мА = 22,544 мА


h21э параметри қуйидаги ифода ёрдамида аниқланади:





BC548B транзисторнинг чиқиш характеристикалари оиласи Iб = 75 мкА бўлганида Iк = f(Uкэ) боғлиқликдан h22э параметрни аниқлаймиз. Бунинг учун Iбп = 75 мкА бўлганда характеристика шахобчасида “А” ишчи нуқта яқинида иккита бир хил масофалардаги ёрдамчи нуқталар танлаймиз ва транзисторнинг эмиттер ва коллектори орасидаги кучланишни орттирмасини аниқлаймиз:





8-расм. h22э параметрини график усулда аниқлаш

ΔUкэ= Uкэ2 – Uкэ1= 15В – 5В = 10 В


Бу Uкэ эса коллектор токини орттирмасини келтириб чиқаради:


ΔIк=Iк4 – Iк3=-22,355мА + 25,16мА = 2,805 мА

У ҳолда h22э параметри қуйидагига тенг:





1.3. BC549BP транзисторининг кириш ва чиқиш қаршилигини қуйидаги ифода ёрдамида аниқлаймиз:


1.4. BC548B транзисторининг ток бўйича узатиш коэффициенти β ни аниқлаймиз:



2. УЭ уланишга эга кучайтиргич каскадини элементларини параметрларни хисоблаш.





9-расм.УЭ уланишга эга кучайтиргич каскади схемаси

2.1.Каскаднинг қаршиликларини хисоблаш.


Сокинлик режимида ток бўлувчини аниқлаш



Сокинлик режимини берувчи қаршиликлар йиғиндисин аниқлаш





Rэ қаршилигдаги кучланишни аниқлаш





Қаршилик элементларини қийматини аниқлаш (Е24 қаршилик номиналлари қатори бўйича).



Е24 қаршиликлар қийматлари қаторига мос равишда қуйидагиларни оламиз:






Е24 қаршиликлар қийматлари қаторига мос равишда:

2.2.Каскаднинг сиғимли элементларини хисоблаш


Ўзгарувчи ток бўйича Rэ қаршилик шунтловчи конденсатор сиғимини аниқлаш.



Е24 қийматлари қаторига мос равишда Сэ = 2,45 мкФ ни оламиз.


Ажратувчи конденсаторлар сиғимини аниқлаш



Е24 қийматлари қаторига мос равишда Ср1 = Ср2 = 1,2 мкФ деб оламиз.


2.3. Аниқланган элемент параметрларини қўллаб, умумий эмиттер схемаси бўйича бажарилган BC548B биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини схемасини чизамиз.


R1 қаршилигини 2·R1=40 кОм га тенг номинал қаршилиги билан алмаштирамиз, Е24 қаршиликлар қийматлари қаторига мос равишда 2·R1=40 кОм деб оламиз.
R1 ўзгарувчи резистор қаршилигини ўзгартириб, сокинлик режимига эришамиз ( , Uбэп) ва Uкир = 0 ўрнатамиз (кириш сигнали мавжуд бўлмаган шарти).



10-расм. Сокинлик режимида умумий эмиттер схемаси бўйича йиғилган BC548B биполяр транзисторли кучайтиргич каскади схемаси


Сокинлик режимда ва Uбэп= 654 мВ. Берилган қийматига яқин қийматларига эга бўламиз.


3. Кучайтиргич каскадини параметрларини аниқлаш.


УЭ схемаси асосида йиғилган BC548B биполяр транзисторли кучайтиргич каскадини кириш қаршилигини ўлчаймиз. Бунинг учун киришга 5 мВ, fўр=10 кГц сигнал берамиз ва Uкирва Uчиқ кучланишларини қийматларини оламиз (4-схема). Бунда вольтметрларни ўзгарувчи кучланишларни ўлчаш режими (АС) га ўтказиб оламиз.



11-расм. Салт юриш режимида умумий эмиттер бўйича йиғилган BC549BP биполяр транзисторли кучайтиргич каскади семаси

Кучайтиргич каскадини кириш кучланиши:Uкир=1,966 В


Кучайтиргич каскадини чиқиш кучланиши:Uчиқ=0,926 мВ

Download 1.21 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
  1   2




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling