1. теоретическая часть

2.3. Пример расчета однокаскадного усилителя по схеме с общим эмиттером
Исходные данные для расчета:
U_вхк= 0,4 В; R_г= 1 кОм; R_н= 0,085 кОм; f_н= 500 Гц; М_н=М_в= 0,8; Т⁰К_мин= 243 ⁰К; Т⁰К_мак =308К; Е_к= 10 В; относительное изменение тока коллектора Тип транзистора – ГТ 308Б.


2.4. Расчёт режима по постоянному току
Определяем значение сопротивления резистора R_к. Обычно R_к находят из неравенства
где К_R – коэффициент, учитывающий соотношение сопротивлений резистора R_к и нагрузки R_н.
R_к= (1,2 – 1,5) – для низкоомной нагрузки ( ),
R_к= (1,5 – 5,0) – для высокоомной нагрузки ( ).
Из исходных данных R_н= 0,085 кОм, поэтому можно взять значение R_к=125 кОм.
Определяем значение сопротивления резистора.
R_э определим из условия R_э = (0,1 – 0,5) R_к.
Чем больше значение R_э, тем глубже отрицательная обратная связь по постоянному току и, следовательно, термостабильность схемы будет лучше. Учитывая, что относительное отклонение тока коллектора должно быть сравнительно небольшим в заданном диапазоне температур , возьмем R_э= 0,3 R_к= 1,2 кОм.
На выходных характеристиках рисунка 3 по двум точкам строим нагрузочную прямую:
1-я точка – I_к=0; U_кэ= Е_к =10 В
2-я точка – Для режима класса А рабочую точку необходимо выбрать так, чтобы крайние отклонения рабочей точки не заходили в область отсечки или в область нелинейной части вольт-амперной характеристики. Поэтому выбираем положение рабочей точки посередине нагрузочной прямой.
Для точки покоя А получим:
U_кэ = 10 В; I_к = 7.8 мА.
Определим мощность рассеивания на коллекторе транзистора Р_к:

Следовательно, по мощности рассеивания на коллекторе режим допустим.
Определим ток базы в рабочей точке:
I_б=300 мкА – из выходных характеристик.
Имея значения U_кэ=10 В и I_б =300 мкА, найдём рабочую точку на входных характеристиках. В области рабочей точки с помощью характеристических треугольников по выходным и входным характеристикам определяются значения h_э параметров (см. рис. 3).

а)

б)
Рис 2.4.1 Входные и выходные характеристики транзистора.
На рис. 2.4.1 недостающие характеристики пунктирными кривыми наносятся от руки. Значения токов базы и напряжений на коллекторе недостающих выходных и входных характеристик задаются усредненными по соседним сверху вниз, слева и справа характеристикам. В результате имеем значения h_э - параметров в рабочей точке при включении транзистора по схеме с ОЭ:
h_11э - входное сопротивление транзистора

h_12э - коэффициент обратной связи по напряжению транзистора

h_22э - выходная проводимость транзистора

h_21э - коэффициент передачи тока транзистора

Определение параметров Т-образной эквивалентной схемы (рис. 4) произведем через таблицу перевода приложения по имеющимся hэ - параметрам;
r_к - сопротивление коллекторного перехода;