12-tema. Emitterleri baylanisqan logika. Reje: Tok qayta jalg’awshis

12-tema. Emitterleri baylanisqan logika.
Reje:
1. Tok qayta jalg’awshisi.

2. EBL LE sxemasi.
Emmiteri baylanisqan logikaliq elementi (EBL). EBL elementi (9.6 - su’wret) DK siyaqli tokti qayta jalg’ag’shi tiykarinda orinlanadi. Eki logikaliq kirisine iye bolg’an bir iyin eki tranzistordan ibarat boladi (VT1 ha’m VT2), keyingi iyin bolsa - VT3 den quralg’an.

Ju’kleme qa’biletin asiriw ha’m signal tarqaliwinin’ keshigiwin kemeytiriw maqsetinde qayta jalg’ag’sh VT4 tranzistorda orinlang’an emmiter ta’kirarlag’ishi menen toltirilg’an. VT3 bazasina Е₀ – tayansh kernewi beriledi ha’m bul menen onin’ ashiq halati ta’miyinlenedi. Qa’legen qandayda kiriske (yaki eki kiriske) logikaliq birge sa’ykes keliwshi signal berilse og’an sa’ykes keliwshi tranzistor ashiladi, na’tiyjede I₀ tok sxemanin’ on’ iyninen shep iynine o’tedi. VT4 tranzistordin’ baza tog’I kemeyedi ha’m ol jabiladi ha’m shig’ista logikaliq nolge sa;ykes potencial ornatiladi. Eger eki kirisine logikaliq nolge sa;ykes signal berilse, ol halda VT1 ha’m VT2 tranzistorlar jabiladi, VT3 bolsa ashiladi. R1 arqali ag’ip o’tip atirg’an tok VT4 tranzistordi ashadi ha’m sxemanin’ shig’isinda logikaliq birge sa’ykes kernew hasil boladi. Bul sxema 2YAKI-EMES a’melin orinlaydi. Paydalaniwshi quwati 2050 mVt, tezligi bolsa 0,73 ns ti quraydi.

9.6 – su’wret.

Bir tu’rdegi MDYA – tranzistorlarda jasalg’n elementler (n – MDYA).

9.7 – su’wrette n – kanali indukciyalaniwshi MDYA – tranzistorlardaorinlang’an sxema keltirilgen.

9.7 –su’wret.
Ju’kleme tranzistori VT0 udayina ashiq. Shig’sta ju’da’ kishi kernew da’rejesi U⁰_shiq ti ta’miyinlew maqsetinde ashiq VT1 ha’m VT2 tranzistorlarinin’ kanal qarsiliqlari VT0 tranzistordin’ kanal qarsilig’nan kishi boliwi kerek. Sol sebepli VT1 ha’m VT2 tranzistorlarini’ kanali qisqa ha’m ken’ qilip, ju’klemedegi tranzistordin’ kanali bolsa – uzin ha’m tar qilip jasaladi. Qandayda bir kiriske yaki eki kiriske logikaliq bir da’rejesi sa’ykes keliwshi on’ potencial berilse, (U¹_kirU_bos), bir yaki eki tranzistori ashiladi ha’m shig’ista logikaliq nol ornatiladi (U⁰_shiqU_bos). Eger eki kiriskede logikaliq nol berilse, ol halda VT1 ha’m VT2 tranzistorlar jabiladi. Shig’stag’I potencial logikaliq birge sa’ykes keledi. Element 2YAKI–EMES a’melin orinlaydi. Paydalaniw quwati 0,11,5 mVt, tezkerligi bolsa - 10100 ns ti quraydi.

O’J U’IS ha’m U’ISlarda КMDYA ha’m I²L logikaliq elementleri qollaniladi. Olar quraminda rezistorlar bolmaydi ha’m mikrotoklar rejiminde isleydi. Sol sebepli kristallda kishi betti iyeleydi ha’m kem quwat paydalaniladi. U’ISlarda elementler sani 10⁵ bolg’anda bir element paydalanatug’in quwat 0,025 mVt tan aspaslig’I kerek.

Qadag’alaw sorawlari.

1. 
   EBL LE islew principine bayanlama berin’.
   
2. 
   EBL sxemasi islew principi.
   

14-tema. Komplementar invertorlar.
Reje:
1. KMDYA tranzistorlarinda orinlang’an invertor sxemasi
Komplementar KMDYA – tranzistorlarda jasalg’an ogikaliq elementler (KMDYA). Eki kirisli element sxemasi 9.8 – su’wrette keltirilgen. Eki kiriskede logikaliq nolge sa’ykes signal berilse n – kanalli VT1 ha’m VT2 tranzistorlar jabiladi, р – kanalli VT3 ha’m VT4 tranzistorlar ashiladi.

Jabiq tranzistorlarini’ kanallindag’I tok ju’da’ kishi (10^-10А). Demek, derekten tok derli paydalanilmaydi ha’m sxemanin’ shig’isinda Еd g’a jaqin potencial ornatiladi (logikaliq bir da’rejesi). Eger qandayda bir kiriske yaki eki kiriske de (logikaliq bir da’rejesi berilse, VT1 ha’m VT2 tranzistorlar ashiladi ha’m element shig’isinda potencial nolge jaqin boladi. Element 2YAKI–EMES a’melin orinlaydi. Paydalaniw quwati 0,010,05 mVt ti, tezkerligi bolsa 1020 ns ti quraydi.

9.8 – su’wret.

Integral – injekcion (logikaliq elementti (I²L). Gilt komplementar bipolyar tranzistorlar juplig’inan quralg’an bolip, n-p-n tu’rli VT1 tranzistor ko’p kollektorli bolip, onin’ baza shinjirina p-n-p tu’rli VT2 ko’p kollektorli transistor jalg’ang’an. Bul tranzistor injector atamasin alg’an bolip, turaqli tok generatori waziypasin orinlaydi (9.10 а – su’wret.)



а) б)

9.10 – su’wret.

VT1 tranzistordin’ emmiter – kollektor aralig’I gilt waziypasin orinlaydi. Signal deregi ha’m ju’kleme retinde tap usinday sxemalar paydalaniladi. Eger kiriske logikaliq birge sa’ykes keliwshi potencial berilse, VT1 tranzistor ashiladi ha’m toyiniw rejiminde boladi. Onin’ shig’isindag’I potencial nol potencialg’a sa’ykes keledi. Kiriske logikaliq nolge sa’ykes keliwshi potencial berilse, VT1 tranzistorinin’ emmiter o’tiwi jabiladi. Tesikler tog’I I_t (qayta jalg’aniw tog’I) VT1 tranzistorinin’ kollektor o’tiwin keri bag’itta jalg’aydi. Bunin’ na’tiyjesinde VT1 shig’s qarsilig’I keskin artadi ha’m onin’ shig’sinda logikaliq bir potenciali hasil boladi. Yag’niy usi sxema joqarida ko’rilgen схемаlar siyaqli invertor waziypasin orinlaydi. Logikaliq a’mellerdi orinlaw invertor shig’slarin metal similar menen birlestiriw na’tiyjesinde a’melge asiriladi. 9.10 б – su’wrette HA”M a’melin orinlaw usili ko’rsetilgen. Haqiyqattanda, eger Х1 yaki Х2 kirislerden birine joqari potencial berilse U¹_kir, na’tiyjede birlesken shig’islarda (А noqat) pa’s potencial hasil boladi U⁰. Na’tiyjede ha’m invers o’zgeriwshilerinin’ konyukciyasi orinlanadi. Olar VT1 ha’m VT3 invertor shig’slarinda hasil boladi: . I²L elementinin’ tezkerligi 10100 ns ha’m paydalaniw quwati 0,010,1 mVt. Kristallda bir I²L elementi KMDYA –elementine qarag’anda 34 ma’rtebe kishi, TTL – elementine salistirg’anda bolsa 510 ma’rtebe kishi ju’zeni iyeleydi.

Ko’rip o’tilgen logikaliq IMS negizgi elementlerinin’ tiykarg’I parametrlerinin’kestesi

Parametr	Negizgi element tu’ri
	TTL	TTLSH	n - MDYA
Kernew deregi, V	5	5	5
Signaldin’ logikaliq o’tiwi (U^1shiq- U^0 shiq), V	4,5-0,4	4,5-0,4	TTL menen sa’ykes keledi
Ruxsat etigen shawqimlar da’rejesi, V	0,8	0,5	0,5
Tezkerligi, tК. ort , ns	5-20	2-10	10-100
Paydalaniw quwati, mVt	2,5-3,5	2,5-3,5	0,1-1,5
Ju’kleme qa’bileti	10	10	20

Parametr	Negizgi element tu’ri
	KMDYA	EBL	I^2L
Kernew deregi, V	3-15	-5,2	1
Signaldin’ logikaliq o’tiwi (U^1shiq- U^0 shiq), V	Еп-0	(-1,6)-(-0,7)	0,5
Ruxsat etigen shawqimlar da’rejesi, V	0,4Еп	0,15	0,1
Tezkerligi, tК. ort , ns	1-100	0,7-3	10-20
Paydalaniw quwati, mVt	0,01-0,1	20-50	0,05
Ju’kleme qa’bileti	50	20	5-10

Tiykarg’I sanli IMS seriyalarinin’ logikaliq tu’rleri

Logikaliq tu’ri	Sanli IMS seriya sani
ТТL	155, 133, 134, 158
ТТLSH	130, 131, 389, 599, 533, 555, 734, К530, 531, 1531, 1533, КР1802, КР1804
EBL	100, К500, 700, 1500, К1800, К1520
I^2L	КР582, 583, 584
р - MDYATL	К536, К1814
n - MDYATL	К580, 581, 586, 1801, 587, 588, 1820, 1813
КMYATL	164, 764, 564, 765, 176, 561

Qadag’alaw sorawlari
1. Komplmentar MDYA – – tranzistolarda orinlang’an gilt sxemasin keltirin’

2. Komplmentar MDYA – tranzistolarda orinlang’an 3HA’M-EMES ha’m 3YAKI- EMES a’mellerin orinlawshi sxemalarin keltirin’.

Qadag’alaw sorawlari
1. Bul algebrasi a’mellerin sanap berin’. Olar haqiyqatliq kestesi arqali qanday an’latiladi?

2. HA’M, YAKI, EMES logikaliq elementlerinin’ (LE) sha’rtli belgisin keltirin’.

3. Funkcional toliq Sistema degen ne?

4.o’zgeriwshilerdin’ kiris-shig’is tu’rine ko’re logikaliq qurilmalardin’ klassifikaciyasin keltirin’.

5. Negizgi logikaliq elementleri qanday parametrler menen an’latiladi?

6. Kiris boyinsha birlestiriw koefficienti ha’m shig’is boyinsha tarmaqlaniw koefficientleri neni an’latiladi ha’m olardin’ ma’nisleri nege ten’?

7. LE kesentlerge turaqliliq oblastlari ne menen aniqlanadi ?

8. TTLda orinlang’an 3HA’M-EMES negiz elementi sxemasin keltirin’ ha’m islew principin tu’sindirin’.

9. Ne sebepli TTL sxemanin’ shig’isinda quramali invertor qollaniladi?

10. TTLSH sxemalarda diodlar ha’m Shottki tranzistolarinin’ waziypasi nede?

11. EBL LE islew principine bayanlama berin’.

12. MDYA – tranzistolar tiykarinda jasalg’an sxemalar qanday qa’siyetlerge iye?

13. Bir tu’rdegi MDYA – tranzistolarda orinlang’an gilt sxemasin keltirin’ ha’m onin’ islew principin tu’sindirin’.

14. Bir tu’rdegi MDYA – tranzistolarda orinlang’an 3HA’M-EMES ha’m 3YAKI- EMES a’mellerin orinlawshi sxemalarin keltirin’ ha’m olardin’ islew principin tu’sindirin’

15. Komplmentar MDYA – – tranzistolarda orinlang’an gilt sxemasin keltirin’

16. Komplmentar MDYA – tranzistolarda orinlang’an 3HA’M-EMES ha’m 3YAKI- EMES a’mellerin orinlawshi sxemalarin keltirin’.

17. I²L LE qa’siyetleri neden ibarat ?

18. I²L logikaliq elementinin’ negizgi sxemasin keltirin’ ha’m onin’ texnologiyasin tu’sindirin’.