13-Amaliy Bipolyar va mdya-tranzistorli kalit zanjirlarini hisoblash Bipolyar va mdy

13-Amaliy
Bipolyar va MDYa-tranzistorli kalit zanjirlarini hisoblash
Bipolyar va MDY tranzistorlarda sxemalarni hisoblash
Kommutatsiya elementi odatda kanal-induksion MDY tranzistori bo'lib, u nol U_zIda kalitning o'chirilgan holatini ta'minlaydi (tranzistor yopiq).
Dala effektli tranzistorlar asosidagi mantiqiy elementlarning markazida MDY ning faol elementi va yuk sxemasi - tranzistorda amalga oshirilgan kalit sxemasi mavjud. Faol va zaryadlovchi tranzistorlar bir xil yoki turli turdagi o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan kanaldan iborat bo'lishi mumkin. Faol tranzistor pallasida yuqori potentsial (mantiqiy daraja) qo'llanilganda, uning zaxirasidagi qoldiq kuchlanish 50-100 mV (mantiqiy nol daraja). Bu inversiya orqali amalga oshiriladi.
MDY turlaridan biri tranzistorlarda tuzilgan kalit sxemalardir. Shaklda. 1-kanalli induktiv MDY tranzistorlarining sxematik diagrammasi ko'rsatilgan.
Transistor VT0 chiziqli bo'lmagan yuk sifatida ishlaydi. Ketma-ket ulangan tranzistorlar bazasi qobiqda qisqa tutashgan, darvoza va yuk tranzistorining ildizi manbaga ulangan. Tanlangan EM = 3UBO'S, bu erda Upor - tranzistor ochiladigan kuchlanish. Bu shuni anglatadiki, yuqoridagi tranzistor har doim to'yinganlik rejimida ishlaydi va inverter oqimini cheklash uchun xizmat qiladi (dinamik yuk). Joriy zahiraning qiymati VT0 quyidagi formula bilan aniqlanadi

1rasm. MDY - tranzistorlarda amalga oshirilgan kalitli sxema


(1)

Agar kuchlanish U0out Upor (mantiqiy nol) kalit X kirishiga qo'llanilsa, tranzistor VT1 yopiladi, kalit orqali 10-9-10-10 A oqim oqadi va chiqish kuchlanishi y \u003d x ̄ bo'ladi. dastlabki qiymatga yaqin: UoutEM (mantiqiy birlik).

Agar X kalitining kirishiga U0out UBO‘S kuchlanishi qo'llanilsa, u holda VT1 tranzistori yoqiladi va to'yinganlik holatiga o'tadi, joriy chegara IS1 (1) ifodasi bilan aniqlanadi, faqat USI0=EM.
(2)
To'yinganlik rejimida VT1 tranzistorining kanal qarshiligi
(3)
To'yinganlik rejimida VT1 tranzistorining kanal qarshiligi
(4)

Amalda UinEM (4) dan Uout chiqish kuchlanishining kichik qiymatini ta’minlash uchun U0U1 munosabati bajarilishi kerakligini ko’rish mumkin. U o'lchami kanal kengligining uning uzunligiga (Z / L) nisbati bilan aniqlanadi. Ushbu kalit past tezlikka ega, chunki chiqish pulsining old qismi tranzistorning parametrlari bilan emas, balki yuzlab kOhm qarshilik qiymatiga ega chiziqli bo'lmagan yuk tranzistoridan chiqish sig'imining zaryad chiqishi bilan belgilanadi.
MDJ - tranzistorlarda tuzilgan kalit sxemalari. MDJ turlaridan biri tranzistorlarda qilingan kommutatsiya davrlarining yo'qligi bo'lib, boshqaruv tranzistori yoqilganda kalit orqali oqim oqimini bildiradi. Bu oqim zarur deb hisoblanmaydi, chunki dala effektli tranzistorning o'rnatilgan oqimi amalda nolga teng. Ushbu kamchiliklar qo'shimcha MDJ (qarama-qarshi kanal o'tkazuvchanligi bo'lgan tranzistorlar bo'yicha) bilan almashtirish davrlaridan mahrum (2-rasm). Ushbu kalitda ikkita tranzistorli kalit bir kirishga ulangan.
Rodlar bitta chiqishga birlashtiriladi va qutblar mos ravishda kuchlanish manbasiga va umumiy avtobusga taglik bilan ulanadi.
Ikkala tranzistor ham bir xil kirish signali bilan boshqariladi. Biroq, ushbu tranzistorlarning U_BO chegara kuchlanish qiymatlari bir-biriga teskari proportsional bo'lganligi sababli, bu tranzistorlar har qanday kirish darajasida boshqa holatda. Bitta tranzistor yoqilgan bo'lsa, ikkinchisi o'chadi. Aslida, agar kirishga X=Uin0 qo'llanilsa, u holda VT0 darvozasi Uin0-EM=-EM bazasiga nisbatan manfiy potensialga ega bo'ladi.


2rasm. Qo'shimcha MJD (kanal o'tkazuvchanligi qarama-qarshi bo'lgan tranzistorlar uchun)


Shunday qilib, VT0 ochiq. Bunday holda, VT1 tranzistorli eshik bazasining potentsialiga nisbatan chegara kuchlanishidan pastroq qiymatga ega bo'ladi va bu tranzistor yopiladi. Agar kirishga x = U1in signali qo'llanilsa, VT1 yoqiladi va tranzistor VT0 yopiladi, chunki endi uning bazasidagi kuchlanish tengdir.


Shunday qilib, o'zboshimchalik bilan barqaror holatda, kontaktlarning zanglashiga olib keladigan tranzistorlaridan biri yopiladi, shuning uchun sxema amalda manbadan quvvat sarflamaydi. Biroq, kontaktlarning zanglashiga olib ulanganda, ikkala tranzistor ham juda qisqa vaqt ichida ishlaydi, chunki ikkinchisi yopilmaydi. Qo'shimcha MDY - tranzistorli kommutatsiya davrlari bir xil turdagi MDY - tranzistorli kommutatsiya davrlariga qaraganda o'n baravar kam quvvat sarflaydi. Shu bilan birga, davrlarning tezligi bir xil va kalitning chiqish sig'imini qayta zaryadlash vaqti bilan belgilanadi.

Tegishli vazifalar

Vazifa-1. Agar MJA tranzistorining quyidagi parametrlari o'rnatilgan bo'lsa,
; bu xolda transistor xarakteristikasi tikligini toping.

Yechim
MDY, - tranzistorning vertikalligining o'ziga xos xususiyatini aniqlaymiz:

Vertikal xarakteristikani quyidagi formula bilan aniqlaymiz: