15-ma’ruza. Geteroo’tishlar olishning texnologik usullari

Elektronga moyillik, eV

GaAs Ge	1,43 0,66	5,654 5,658	To’g’ri To’g’rimas	5,8 5,7	Se, Te, Zn Al, Ga, In	4,07 4,13
ZnSe Ge	2,67 0,66	5,667 5,658	To’g’ri To’g’rimas	7,0 5,7	Al, Ga, In Al, Ga, In	4,09 4,13
AlAs GaAs	2,15 1,43	5,661 5,654	To’g’rimas To’g’ri	5,2 5,8	Zn Se, Te	3,5 4,07

Geteroo’tishli materiallar olish texnologiyasi asosan uch usulga asoslangan. Bular jumlasiga suyuq va gaz fazadan epitaksiya usuli, molekulyar-nurli epitaksiya usuli va vakuumdan o’stirish usullaridir.
Getero p-n o’tishlarning afzalliklari.
QE geteroo’tishli materiallar asosida tayyorlanganda quyidagi afzalliklarga ega:

1. 
   Agar keng sohali birinchi yarim o’tkazgichning man qilingan sohasi Eg1, keyingi yarim o’tkazgichning man qilingan sohasi Eg2, va Eg1>Eg2 bo’lsa, qisqa to’lqinli oralikda spektral sezgirlikning o’sishi kuzatiladi.
   
2. 
   Birinchi yarim o’tkazgichni «optik darcha» sifatida qaralib unga maksimal ravishda kirishmalar kiritish (yorug’lik o’tishiga to’sqinlik qilmaydigan darajada) vositasi bilan QE ning ketma-ketlik qarshiligini kamaytirish imkoniyati tug’iladi.
   
3. 
   Birinchi yarim o’tkazgichni qalin qilib olish mumkin bo’lgani uchun, QE ning har xil nurlanish radiasiyasiga chidamliligi ortadi. Bu esa QE larini koinotda ishlatilganida muhim ahamiyat kasb etadi.