- xalaqitlarga bardoshligi – yuqori U1,XAL va past U0,XAL kirish kuchlanish darajasi bo‘yicha mumkin bo‘lgan maksimal xalaqit kuchlanish qiymati; - manbadan iste’mol qilinayotgan quvvat P; - EM kuchlanish va IM tok manbalari; - «0» holatdan «1» holatga, yoki aksincha o‘tishdagi qayta ulanish kechikish vaqti; - qayta ulanishlarning (tezkorlik) o‘rtacha kechikish vaqti - 0,5 (t0 K + t1 K). - - xalaqitlarga bardoshligi – yuqori U1,XAL va past U0,XAL kirish kuchlanish darajasi bo‘yicha mumkin bo‘lgan maksimal xalaqit kuchlanish qiymati; - manbadan iste’mol qilinayotgan quvvat P; - EM kuchlanish va IM tok manbalari; - «0» holatdan «1» holatga, yoki aksincha o‘tishdagi qayta ulanish kechikish vaqti; - qayta ulanishlarning (tezkorlik) o‘rtacha kechikish vaqti - 0,5 (t0 K + t1 K).
- Zamonaviy statik tizimlarning asosiy negiz elementi bo‘lib Shottki diodlari qo‘llanilgan TTM, I2M, EBM, MDYa – tranzistorlarda (yoki p – kanalli MDYa, yoki n – kanalli MDYa) yasalgan mantiq, komplementar MDYa – tranzistorlarda (KMDYa) yasalgan mantiq elementlari hisoblanadi. Raqamli integral mikrosxema negiz elementlariga qo‘yiladigan asosiy talab – ularninng tezkorligi, kichik sochilish quvvati, katta joylashtirish zichligi (yagona kristall sirtida joylashgan elementlar soni) va tayyorlanishni texnologikligi hisoblanadi.
- Yuqorida sanab o‘tilgan negiz elementlar, u yoki bu, yoki bir necha parametrlariga ko‘ra bir – biridan ustun tursa, boshqa parametrlariga ko‘ra yomonroq hisoblanadi.
- Axborotni kodlash usuliga ko‘ra mantiqiy elementlar potensial va impuls usullariga bo‘linadi. Mantiqiy elementlarning ko‘pchiligi potensial hisoblanadi, ya’ni ularda ikkilik axborot ikkita elektr potensial daraja ko‘rinishida ifodalanadi: mantiqiy 0 – past potensial U0, mantiqiy 1 – yuqori potensial U1.
- Impuls mantiqiy elementlarda mantiqiy birga - impulsning mavjudligi, mantiqiy nolga – uning mavjud emasligi mos keladi.
- IMS potensial mantiqiy elementlari quyidagi parametrlar bilan xarakterlanadi:
- - mantiqiy «0» va «1» kuchlanishlari - U0 va U1 ;
- - mikrosxema holati teskari holatga o‘zgaradigan kirishdagi ma’lum kuchlanish – bo‘sag‘aviy kuchlanish UBO‘S deyiladi;
- - kirish bo‘yicha birlashish koeffisienti m (kirishlar soni);
- - chiqish bo‘yicha tarmoqlanish koeffisienti n (yuklama qobiliyati yoki mazkur IMS chiqishiga ulash mumkin bo‘lgan xuddi shunday mirosxemalar soni);
- - UKIR = U0 va UKIR = U1 larga mos keluvchi kirish toklari I0 KIR va I1 KIR larga ega.
Do'stlaringiz bilan baham: |
