2- маъруза имс тайёрлаш технологияси. Имс актив ва пассив элементлари Режа имс таърифи

ИМСларнинг белгиланиш тизими

• ИМСлар 6та элементдан иборат бўлган белгиланиш тизими ёрдамида классификацияланади:
• Биринчи элемент (К – ҳарфи) – ИМС кенг кўламда қўлланилиш учун мўлжалланганлигини билдиради.
• Экспорт учун мўлжалланганлари ЭК ҳарфлари билан бьелгиланади.
• Иккинчи элемент (ҳарф) материал ва кобиқ турини билдиради (А- пластмассали планар, Е-металл-полимерли, чиқишлари 2қатор қилиб ясалган,
• И-шишакерамикли планар, Б-қобиқсиз ва х.з.).

ИМСларнинг белгиланиш тизими

• Учинчи элемент (битта сон) – ИМСнинг конструктив-технологик турини билдиради (1,5,6,7-яримўтказгичли, 2,4,8-гибрид, 3-бошқа: пардали, керамик, вакуумли).
• Тўртинчи элемент (иккита ёки учта сон) – ИМС сериясининг тартиб рақамини билдиради. Иккита сон бирлаликда-аниқ серия рақамини билдиради.
• Бешинчи элемент (иккита ҳарф) – ИМСнинг функционал вазифасини билдиради.
• Олтинчи элемент бир турдаги ИМС сериялари ичидаги ишланма тартиб рақамини билдиради.

ЯРИМЎТКАЗГИЧЛИ ИНТЕГРАЛ СХЕМАЛАР

ЯРИМЎТКАЗГИЧЛИ ИНТЕГРАЛ СХЕМАЛАРДА ДИОДЛАР

ЯРИМЎТКАЗГИЧЛИ ИНТЕГРАЛ СХЕМАЛАРДА РЕЗИСТОРЛАР

• Яримўтказгичли ИCларда энг кўп ишлатиладиган резисторлар базавий ҳудудни ишлатишга асосланган. Резисторни асосдан ажратиш учун паразит p-n-p транзистор берк режимида бўлиши керак. Шу мақсадда n -қатламдан чиқадиган К га юқори потенциал қўлланилади. Қаршиликни номинал қийматидан оғиши 10 ... 20% ни ташкил қилади.

ЯРИМЎТКАЗГИЧЛИ ИНТЕГРАЛ СХЕМАЛАРДА КОНДЕНСАТОРЛАР

• Тескари силжитилган
• p-n ўтишни барьер сиғими

ЯРИМЎТКАЗГИЧЛИ ИНТЕГРАЛ СХЕМАЛАРНИ ЭЛЕМЕНТЛАРИ

ИМС принципиал схемаси

• ИМС тузилиши

ПАРДАЛИ ВА ГИБРИД ИНТЕГРАЛ СХЕМАЛАР

• Пардали ИC – бу микросхема бўлиб, унинг элементлари диэлектрик асос юзасига ётқизилган ҳар хил турдаги пардалар шаклида тайёрланади. Пардани жойлаштириш усулига ва улар билан боғлиқ қалинлигига қараб, юпқа пардали ИC (парда қалинлиги 1-2 мкм гача) ва қалин пардали ИCларга (парда қалинлиги 10-20 мкм ва ундан юқори) фарқланади.

• Пуркалаб хосил қилинган пардаларнинг ҳеч қандай комбинацияси ҳозиргача транзисторлар каби фаол элементларни олишга имкон бермаганлиги сабабли, пардали ИCларда фақат пассив элементлар (резисторлар, кондансатöрлер ва бошқалар) ясалади. Шу сабабли, соф пардали ИCлар бажарадиган функциялар жуда чекланган. Ушбу чекловларни бартараф этиш учун ИCлар фаол компонентлар (индивидуал транзисторлар ёки ИC) билан тўлдирилади, бир хил асосга жойлаштирилади ва гибрид деб аталадиган ИС хосил бўлади.