2- маъруза имс тайёрлаш технологияси. Имс актив ва пассив элементлари Режа имс таърифи

ПАРДАЛИ РЕЗИСТОР, КОНДЕНСАТОР ВА ИНДУКТИВЛИК ҒАЛТАГИ

• РЕЗИСТОР

• КОНДЕНСАТОР

• ИНДУКТИВЛИК ҒАЛТАГИ

• Гибрид ИC (ёки ГИС) - бу умумий диэлектрик асосда жойлашган пардали пассив элементлар ва фаол компонентларнинг комбинацияси бўлган микросхема. ГИМСда фаол элементлар сифатида дискрет яримўтказгичли асбоблар қўлланилади. Энг кенг тарқалгани корпуссиз асбоблардир, чунки улар кичик ўлчамларга ва вазнга эга бўлади.

• Пардали ўтказгичлар ва контактлар мис, кумуш, олтин ва алюминий пуркалаш йўли билан хосил килинади.

• Пардали резисторларини ишлаб чиқариш учун материал сифатида хром, тантал, нихром, металлокерамика ишлатилади. Ушбу материаллар юқори электр қаршилигига ва паст ҳароратли қаршилик коэффициентига эга.

• Пардали конденсаторларуч қатламли тузилишга эга: металл-диэлектрик-металл (МДМ). Қоплама сифатида алюминий, олтин ва бошқа металларнинг пардалари ишлатилади. Конденсаторлардаги диэлектрик сифатида юқори диэлектрик ўтказувчанликка эга бўлган SiO ва SiO2.

• Индуктивлик ғалтаги юпқа пардали доиравий ёки тўғри бурчакли спирал шаклида юқори ўтказувчан материалдан кичик қадам билан тайёрланади. Индуктивлик ғалтаги учун материаллар ўтказгичлар билан бир хил.

Яримўтказгич ИМСлар яратишда технологик жараён ва операциялар

• Яримўтказгич ИМСлар тайёрлаш учун асосий материал бўлган - кремний монокристал қуймалари олишдан бошланади. (Чохральский усули)
• Ҳосил бўлган кремний қуймаси n– ёки р–турли электр ўтказувчанликка эга бўлади.
• Қуйма узунлиги 150 см, диаметри эса 150 мм ва ундан катта бўлиши мумкин.
• Зонали эритиш усулида монокристал ифлослантирувчи киритмалардан қўшимча тозаланади.

Яримўтказгич ИМСлар яратишда технологик жараён ва операциялар

• Эпитаксия. Эпитаксия жараёни асос сиртида унинг кристалл тузилишини такрорловчи юпқа монокристал ишчи қатламлар ҳосил қилиш учун ишлатилади.
• Газ фазали ва суюқ фазали эпитаксия усуллари кенг тарқалган бўлиб, улар монокристал асос сиртида n– ёки р–турли ўтказувчанликка эга бўлган эпитаксиал қатламлар ҳосил қилиш имконини беради.
• Термик оксидлаш. Термик оксидлаш – кремний сиртида оксид (SiO2) қатлам (парда) ҳосил қилиш мақсадида сунъий йўл билан оксидлашдан иборат жараён. У юқори (1000÷1200) 0С температураларда кечади.