2Se3 различного состава полученных из отделных источников Sb и Se при различных температурах подложки
Download 40.77 Kb.
|
4.2..docx (111)
В данной работе представлено исследование механизма проводимости и электрически активных дефектов в тонкой пленке Sb2Se3, полученной методом химического молекулярного-пучкового осаждения. Эти результаты показывают, что данным методом синтеза можно получить образцы с оптимальными уровнями акцептора для фотогальванических применений (n-1013 см-3). Электропроводность пленок Sb2Se3, обогащенных сурьмой и близких к стехиометрическому составу, была определена из температурной зависимости электропроводности. Электрические параметры пленок Sb2Se3 приведены в таблице 6. В то же время была обнаружена инверсия типа проводимости при Sb/Se = 0,67, что близко к стехиометрическому составу Sb2Se3. Из литературных данных установлено, что VSb и SeSb являются доминирующими акцепторными дефектами. Из температурной зависимости электропроводности пленок Sb2Se3 различного состава найдена энергия активации. Энергия активации для пленок, имеющих состав Sb/Se = 0,67 составляет около Ea = 0,12 эВ. Полученная энергия ионизации мелких акцепторов сравнима со значениями ∼ 120 мэВ, приведенными в литературе 50 из более простого анализа температурной зависимости измерений удельного сопротивления. Теоретические расчеты также показали, что в условиях, богатых селеном, антиструктурные акцепторные дефекты селена (SeSb) имеют самую низкую энергию образования и энергию ионизации 120 мэВ, что прекрасно согласуется с нашими выводами. VSb и SeSb являются доминирующими акцепторными дефектами. Такой точечный дефект отвечает за p-тип проводимости Sb2Se3 и создает плотность свободных дырок в диапазоне 1013 см-3 при комнатной температуре, что также согласуется с нашими результатами. В то же время была обнаружена инверсия типа проводимости Sb/Se = 0,98. Из литературных данных установлено, что VSe1, VSe2, VSe3, SbSe1, SbSe2 и SbSe3 являются донорными дефектами в пленках Sb2Se3. Возможно, что в образцах с высоким содержанием сурьмы преобладающими дефектами являются вакансия селена VSe и антиструктурный дефект SbSe. В то время, как для образцов преобладающими дефектами являются вакансия селена VSb и межузельная сурьма Sei. Download 40.77 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|