2Se3 различного состава полученных из отделных источников Sb и Se при различных температурах подложки

Рисунок 33 – Температурная зависимость электропроводности σ(Т) пленок Sb₂Se₃ различного соотношения Sb/Se
Установлено, что антиструктурные дефекты Sb_se2 и Sb_se3 формируется за счет замены атома Se атома Sb в кристаллической решетке. В таблице представлена зависимость подвижности основных носителей заряда пленок Sb₂Se₃ от состава Sb/Se. Как видно из таблицы, величина подвижности µ носителей заряда уменьшается с увеличением молярного содержания Sb в составе пленок Sb₂Se₃. Подвижность носителей заряда составляет от 6,82 см²/(В·сек) до 1,16 см²/(В·сек). Концентрация дырок основных носителей заряда в пленках Sb₂Se₃ снизилась с 2,66·10¹³ см^-3 до 5,35·10¹⁴ см^-3.
4.4. Электрофизические свойства пленок Sb₂Se₃ при температуре подложки 400 ^°C
Оптоэлектронные свойства Sb₂Se₃ активно изучаются с целью применения в тонкопленочных фотоэлектрических устройствах. Тем не менее, из-за изначально низкой электропроводности пленок Sb₂Se_3, при температуре подложки 400 °C (2,15·10^-4 2,16·10^-5 (·см)^-1), отсутствует фотолюминесценция из-за его непрямой запрещенной зоны и сильной анизотропии. Основные характеристики тонкопленочного Sb₂Se₃, такие как валентная масса и эффективная масса зоны проводимости, подвижность носителей заряда, время жизни носителей и длина диффузии, глубина дефектов, плотность дефектов и хвосты оптических зон остаются в значительной степени неизученными. Электропроводность является одним из наиболее распространенных методов изучения электронных свойств полупроводниковых материалов и устройств. В частности, измерения эффекта удельного сопротивления в зависимости от температуры дают ценную информацию о механизмах проводимости и таких параметрах, как плотность носителей заряда, подвижность и энергия ионизации мелких дефектов. Кроме того, необходимо получить адекватные знания о свойствах ловушек и дефектов в тонкопленочной полупроводниковой структуре Sb₂Se₃, которые имеют непосредственное влияние на явления переноса носителей заряда для улучшения электрических и оптических характеристик материала и, следовательно, солнечного элемента.
Таблица 6 – Тип проводимости, электропроводность и энергия активации образцов, полученных при различных соотношениях Sb₂Se₃ при температуре подложки 450 °С

Sb/Se (x)	0,67	0,7	0,76	0,98
Толщина d (мкм)	1.5	1.5	1.5	1.5
Cопротивление R ()	2,56۰10^7	2,04۰10^6	3,85۰10^7	4,42۰10^6
Удельная сопротивления ρ (⋅см)	4,65۰10^4	2,14۰10^3	4,04۰10^3	5,38۰10^3
Электропроводность при 300К σ (⋅см)^-1	2,16۰10^-^5	4,17۰10^-4	2,48۰10^-^4	2,15۰10^-4
Энергия активации EA (мэВ)	120	230	345	430, 150
Тип проводимости