2Se3 различного состава полученных из отделных источников Sb и Se при различных температурах подложки

4.3. Электрофизические свойства Sb₂Se₃ при температуре подложки 450 °C
Методом вакуумного напыления на свежеосажденные пленки наносили серебреные омические контакты для проведения электрических измерений. Удельное сопротивление образцов определялось методом Ван-дер-Пау, тип проводимости образцов определялся по знаку термо-ЭДС.
Таблица 5. Электрофизические свойства, полученные при различных соотношениях Sb₂Se₃ и температуре подложки 450 °С.

Sb/Se (x)	0,66	0,72	0,77
Толщина d (мкм)	1.5	1.5	1.5
Cопротивление R ()	3,45۰10^8	1,13۰10^8	1,56۰10^8
Удельное сопротивление ρ (⋅см)^-1 при 300 К	1,81۰10^4	5,93۰10^4	8,2۰10^4
Электропроводность σ (⋅см) при 300 К	5,49۰10^-^5	1,69۰10^-5	1,22۰10^-5
Энергия активации EA (мэВ)	180	430	343
Тип проводимости	p	p	p
Концентрация основных носителей заряда n (cм^3)	2,66۰10^1^3	5,35۰10^1^4	2,72۰10^1^4
Подвижность основных носителей заряда μ (см^2/(В·с))	6,82	1,25	1,16

Электропроводность пленки Sb₂Se₃ (таб.5) варьируется в пределах от σ=5,49·×10⁻⁵ (·cm)⁻¹ до σ=1,22×10⁻⁵ (·cm)⁻¹. С увеличением среднего размера зерен, граничная плотность дефектов между кристаллами уменьшается и приводит к уменьшению количества центров захвата для рассеяния заряда, что повышает подвижность носителей заряда. Это, в свою очередь, приводит к увеличению электропроводности пленок селенида сурьмы. Электрофизическую температурную зависимость пленок Sb₂Se₃ измеряли с помощью прибора Keithley 2420 SourceMete. Результаты этих измерений представлены в таб. 5. График зависимости lgσ от (l/T) (рис. 33) показывает, что в интервале температур 110–175 К, проводимость увеличивается очень слабо, а в интервале 170–300 К скорость роста увеличивается сильнее. Приведены результаты исследований температурной зависимости электропроводности σ(T) пленок Sb₂Se₃. Эта зависимость подчиняется экспоненциальному закону:
(15)
При значениях состава Sb/Se = 0,66; Sb/Se = 0,72 и Sb/Se = 0,77 пленок Sb₂Se₃ дырочной проводимости р-типа, энергия активации ∆E составила ∆E_а1 = E_v+0,18±0,03 эВ, ∆E_а1 = E_v+0,430±0,02 эВ и ∆E_а1 = E_v+343±0,02 эВ, соответственно. Обнаружено, что эти энергии активации принадлежат вакансиям сурьмы на акцепторном уровне (V_Sb2) [94].