3 – Amaliy mashg’ulot. Yarimo’tkazgichli maydon tranzistor parametrlarini hisoblash

20- rasm. oshqaruv p-n o’tishli maydonli tranzistor: a - kanal shakli strukturami, b - tranzistorning VAX.





21-rasm. MDP tranzistorning zanjirlari: a) ichki kanalli, b) induksiyalangan- kanalli.
Zatvorga musbat potensial berilganda kanal - istok - stok qismning qarshiligi shtta va asbob berk bo’ladi (I_ist = 0). B u xrlda elektr maydon kanaldan kovaklarni itarib chiqaradi va uning asosiy tashuvchilarini siyraklashtiradi (ya’ni kamaytiradi). Zatvorga manfiy potensial berilsa, maydon kovaklarni kanal ichiga «tortadi» va uni zaryad tashuvchilar bilan boyitadi (ya’ni kupaytiradi). Kanaldan utayotgan tok ortadi. SHunday qilib, zatvor kuchlanishi (U₃) ning mikdori, va qutbini uzgartirib kanalning utkazuv-chanligini uzgartirish va undan utayotgan tokni modulyasiya qilish mumkin. Induksiyalashgan kanalli MDP - tranzistorlarida (5.21-'rasm, b) kanalning uzi texnologik yul bilan hosil qilinmaydi. U tashqi manba elektr maydoni ta’sirida hosil bulib, stok va istok oraligidagi zatvor ostidagi yuza yaqinida hosil qilinuvchi, yugo’a inver-sion qatlam —r tipidagi kovakli o’tkazuvchanlikli kanal sifatida yuzaga keltiradi. MDP-tranzistorlarning VAX 22-rasmda kursatilgan.

22- rasm. «n» tipidagi ichki kanalli MDP tranzistorinish VAX:
a— stokdagi, b — kirishdagi.
MDP- tranzistorlarning asosiy parametrlariga quyidagilar kiradi:
1. Kirish differensial qarshiligi (istok zanjirida):

Maydonli tranzistorlar uchun bu qiymat 10⁸ dan YU¹⁵ Om gacha.
2. CHiqish differensial qarshiligi (stok zanjirida):

U 10⁵ dan 10⁷ Om gacha bulishi mumkin.
3. Istok bo’yicha tiklik xarakteristikasi:

Maydonli tranzistorlar tikligi bir necha un ulushlardan 3 mA/V gacha bulishi mumkin.
4. Taglik bo’yicha xarakteristika tikligi:

5. Elektrodlararo yig’imlar—kirishdagi (S_sh), chiqishdagi (S_si ) o’tishdagi (S_zs). Ular undan bir ulushli pf ni tashkil etadi. Elektr maydonli tranzistorlardan yuqori chastotali kuchaytirgich sxemalarida, radio signallarini o’zgartirish va impulsli texnikada foydalaniladi.
Nazorat savollari:
1. Tranzistor nima?
2. Tranzistorlarning turlarini ayting.
3. Bipolyar transistor qanday qismlardan tuzilgan?
4. Baza emitter va kollektorni aniqlash usullarini ayting.

Maydon tranzistorlar deb boshlangich elektrodi istok va zatvor oraligʻiga tashqaridan kuchlanish berilganda ularning kanalida oʻtayotgan tok elektr maydon orqali boshqariladigan yarim oʻtkazgichli asbobga aytiladi. Maydon tranzistorlardagi ishchi toki bir xil ishorali eltuvchilar tomonidan yuzaga keladi. SHuning uchun ular unipolyar tranzistorlar deb ham nomlanadi. Bunday tranzistorlar ikki xil boʻladi. p-n oʻtishli boshqaruvchi maydon tranzistorlar va izolyasiya zatvorga ega boʻlgan (MDYa - tranzistorlar).

Maydon tranzistorlar (MDYa — metall, dielektrik va yarim oʻtkazgich ma’nosini bildiradi). MDYa tranzistarlar oʻz navbatida ikki xil boʻladi:
a) ichida kanal hosil qilinib tayyorlangan;
b) induksiyalangan kanalli (bunda tranzistorning doimiy kanali boʻlmaydi).
Turli turdagi maydon tranzistorlarning tuzilishi 243-rasmda berilgan. Rasmdan koʻrinishicha, tranzistorning bir qancha xossalari va elektrodlari bor: boshlangich elektrod (istok) - yarim oʻtkazgich kanaliga zaryad eltuvchilar elektrod; oxirgi elektrod (stok) - zaryadlarni kanaldan chiqishda toʻplaydigan elektrod. Boshqaruv kuchlanishi esa zatvor deb aytiladigan elektroddan beriladi.