6- laboratoriya ishi mtda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq etish Ishdan maqsad

6- laboratoriya ishI

6- LABORATORIYa IShI


MTda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq etish
Ishdan maqsad: Maydoniy tranzistorda yasalgan barqaror tok generatorini tadqiq qilish va parametrlarini o’lchash.
p–n o’tish bilan boshqariladigan MT yoki kanali qurilgan MDYa–tranzistorlar asosidagi kuchaytirgichlar asosan, kirish kaskadlari sifatida qo’llaniladi. Bu hol MTlarning quyidagi xu-susiyatlari bilan bog’liq:
- katta kirish qarshiligiga egaligi yuqori Omli signal man-bai bilan moslashtirishni osonlashtiradi;
- shovqin koeffitsientining kichikligi kuchsiz signallarni kuchaytirishda afzallik beradi;
- termobarqaror ishchi nuqtada barqarorlik yuqori.
UI sxemada ulangan kuchaytirgich kaskad. n – kanali p – n o’tish bilan boshqariladigan UI ulangan kuchaytirgich kaskadning printsipial sxemasi 6.1-rasmda keltirilgan.
Kirish signali manbai U_G ajratuvchi kondensator S₁ orqali, yuklama qarshiligi R_S esa, kaskadning chiqishiga S₂ ajratuvchi kondensator yordamida ulangan. Zatvorning umumiy shina bilan galvanik bog’lanishi R_Z≈1 MOm rezistor orqali amalga oshi-riladi. Bu galvanik aloqa zatvordagi manfiy siljituvchi kuch-lanishni hosil qilish uchun zarur.

6.1-rasm. UI sxemada ulangan kuchaytirgich kaskad.

Bunday tranzistor ishlash printsipi kanal qarshiligini p–n o’tishga teskari siljitish berib o’zgartirishga asoslanadi. n– kanalli tranzistor uchun kuchlanish manbai +E_M, zatvorga esa R_I dagi manfiy kuchlanish pasayishi beriladi. Bitta kuchlanish man-bai ishlatilganda zatvordagi U_ZI kuchlanishni sokinlik rejimida avtomatik siljituvchi R_IS_I ta’minlaydi. U_ZI kuchlanish R_I qar-shilik orqali I_S sokinlik toki oqib o’tishi hisobiga hosil bo’ladi: U_ZI = - I_S ·R_I. Keng dinamik diapazonga ega bo’lgan kuchaytirgich ho-latida, ya’ni kirish signali amplitudasi bir necha voltni tashkil etganda, tabiiyki U_ZI kuchlanishning sokinlik rejimdagi qiy-mati U_ZI.BERK va U_ZI.maks (tranzistor pasport ko’rsatmalari) kuch-lanishlar yig’indisining yarmiga, ya’ni U_ZI = 0,5(U_ZI.BERK+U_ZI.maks).
U_ZI va I_S larning sokinlik rejimdagi qiymatlarini stok-zatvor xarakteristikasidan aniqlab, R_Ining qiymatini topish qi-yin emas.
Ko’rilayotgan sxemada R_I rezistor ikkita vazifani bajaradi. Birinchidan, u sokinlik rejimida ishchi nuqta boshlang’ich hola-tini ta’minlaydi va ikkinchidan, unga yuklama toki bo’yicha (UE ulangan sxemada R_E dek) ketma-ket manfiy TAni kiritadi. Bu o’z navbatida kaskad kuchaytirish koeffitsientining kamayishiga olib keladi va sokinlik rejimini temperatura bo’yicha barqarorlaydi. O’zgaruvchan tok bo’yicha manfiy TAni yo’qotish uchun R_I rezistor S_I kondensator bilan shuntlanadi.
A rejimda ishlovchi kuchaytirgichlar uchun sokinlik rejimida tranzistorning istoki va stoki orasidagi kuchlanish U_SI = I_S·R_S teng qilib olinadi. Bunda E_M = U_SI + I_S R_S + I_S R_I ning qiymati U_SI.maks (pasport ko’rsatmasi) dan ortmasligi kerak.
Katta signal rejimi uchun kuchaytirgichning statik uzatish xarakteristikalarini uchta paramertlarini I_S, U_ZI, U_KSI o’zaro bog’-lovchi umumlashgan grafik sifatida ifodalash mumkin. VS264D tranzistorli kaskadning parametrlari E_M=15V, R_S=2,5 kOm bo’lgan-dagi umumlashgan garfigi 6.2-rasmda keltirilgan.

6.2-rasm. UI ulangan n – kanali p – n o’tish bilan boshqariladigan MTning umumlashgan dinamik xarakteristikalari.

Bu erda A nuqta koordinatalari bir vaqtning o’zida barcha uchta parametrlar: chiqish toki hamda kirish va chiqish kuchlanish-larini aniqlaydi. Berilgan signal amplitudasi uchun kuchlanish bo’yicha kuchaytirish koeffitsientini topish mumkin.
DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MTlarni qo’llab ham oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda r–n o’tish bilan boshqariluvchi MTlar afzal hisoblanadi, chunki ular xarakteristikalarining barqarorligi yuqoriroq.
Kanali r–n o’tish bilan boshqariladigan n–kanalli MTlar asosidagi DKning an’anaviy sxemasi 6.3-rasmda keltirilgan. Tok belgilovchi BTG VT3 tranzistor bilan R_I rezistor asosida hosil qilingan.
R_SIL1 va R_SIL2 rezistorlar VT1 va VT2 tranzistorlar zat-voriga boshlang’ich siljitish berish uchun xizmat qiladi. DKning kirish qarshiligi teskari siljitilgan r–n o’tishning diffe-rentsial qarshiligidan iborat bo’ladi va 10⁸ ÷ 10¹⁰ Om ni tashkil etadi.
Ba’zan DK kirish qarshiligini oshirish uchun n–kanalli r–n o’tish bilan boshqariladigan MT va n–p–n tuzilmali BTlardan tashkil topgan tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. DKlar-ning barcha ko’rilgan turlari har xil OKlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi.

6.3-rasm. MTlar asosidagi DK sxemasi.

Rn, kOm	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	0,8	0,9	1	1,1	1,2	1,3	1,4	1,5
Uy, V
Iy, mA
Ig
δ