Ал-хоразмий номли урганч давлат университети

§9. The use of p-n-junction in the rectification of current. The basic equation of the diode…………68
§10. Using a p-n junction as a variable resistor….75
§11. Depletion region capacitance p-n junction…80
§12. Semiconductor Diodes…………...................84
§13. Light diodes……..…………………..…….101
§14. Photodiodes……………...………………..106
GLOSSARY…………………….....…….…….109
LITERATURE.……………………..…...........118


ОГЛАВЛЕНИЕ


ПРЕДИСЛОВИЕ……………………………...…..5
§ 1. Введение. Задача предмета “Основы полупроводниковой электроники”..........................8
§ 2. Работа выхода. Формула Ричардсона-Дешмана………………………………….........…..22
§3. Искривление энергетических уровней в контакте металл-полупроводник. Корректирующая свойство этих контактов.........30
§4. Контакт полупроводник-полупроводник. Формирование p-n перехода…….….…………....37
§5. Распределение носителей зарядов в p-n переходе.. ............................................................... 44
§6. Потенциальный барьер на границе p-n перехода………………………………...………....52
§7. Диффузионные и дрейфовые токи при p-n переходе…………………………………..…….... 55
§8. Вычисление идеальной ширины перехода.....64
§9. Использование p-n-перехода в выпрямлении тока. Основное уравнение диода…………….….68
§10. Использование p-n перехода в качестве переменного резистора…….……….……….…....75
§11. Емкость обедненной области p-n перехода..80
§12. Полупроводниковые диоды…………...........84
§13. Световые диоды……..…………………..…101
§14. Фотодиоды…………………...…………….106
ГЛОССАРИЙ……………………….....…….…109
ЛИТЕРАТУРА.……….………………..…........118
UCHKUN KUTLIYEV,
ISAMAIL TANGRIBERGENOV,
UMIDA ASATOVA,
KAMOLA OTABAYEVA


YARIMO’TKAZGICHLARDAGI KONTAKT HODISALAR


FANIDAN O’QUV QO’LLANMA