Avtomatlashtirish va boshqaruv kafedrasi

  

20- rasm.  oshqaruv p-n o’tishli maydonli tranzistor: a - kanal shakli 

strukturami, b - tranzistorning VAX. 

 

 

 

 

21-rasm. MDP tranzistorning zanjirlari: a) ichki  kanalli, b) induksiyalangan- 

kanalli. 

Zatvorga musbat potensial berilganda kanal - istok - stok qismning qarshiligi shtta 

va asbob berk bo’ladi (I

ist

 = 0). B u xrlda elektr maydon kanaldan kovaklarni itarib 

chiqaradi  va  uning  asosiy  tashuvchilarini  siyraklashtiradi  (ya’ni  kamaytiradi). 

Zatvorga manfiy potensial berilsa, maydon kovaklarni kanal ichiga «tortadi» va uni 

zaryad  tashuvchilar  bilan  boyitadi  (ya’ni  kupaytiradi).  Kanaldan  utayotgan  tok 

ortadi.  SHunday  qilib,  zatvor  kuchlanishi  (U

3

)  ning  mikdori,  va  qutbini  uzgartirib 

kanalning  utkazuv-chanligini  uzgartirish  va  undan  utayotgan  tokni  modulyasiya 

---

qilish  mumkin.  Induksiyalashgan  kanalli  MDP  -  tranzistorlarida  (5.21-'rasm,  b) 

kanalning uzi texnologik yul bilan hosil qilinmaydi. U tashqi manba elektr maydoni 

ta’sirida  hosil  bulib,  stok  va  istok  oraligidagi  zatvor  ostidagi  yuza  yaqinida  hosil 

qilinuvchi,  yugщa  inver-sion  qatlam  —r  tipidagi  kovakli  o’tkazuvchanlikli  kanal 

sifatida yuzaga keltiradi. MDP-tranzistorlarning VAX 22-rasmda kursatilgan. 

 

22- rasm. «n» tipidagi ichki kanalli   MDP tranzistorinish   VAX: