Avtomatlashtirish va boshqaruv kafedrasi

7-rasm. Yarim o‘tkazgichlardagi to‘g‘ri va teskari yo‘nalishlarning hosil bo‘lishi: 

a — teskari yo‘nalish, b — kontakt potensiallar farqining p—r zona 

kengayganda o‘zgarish strukturasi,   v — to‘g‘ri yo‘nalish,   g—kontakt 

potensiallar  farqining p—r zona torayganda o‘zgarish strukturasi. 

ko‘rsatilgandek  bo‘lganda,  n—p-  o‘tishning  qarshiligi  ortib  ketadi  va  undan  oz 

miqdorda  tok  o‘tadi.  Manbaning  bunday  ulanishi  va  tok-ning  yo‘nalishi  teskari 

---

deyiladi. 

Tashqi  manbani  yarim  o‘tkazgichga  yuqorida  ko‘rsatilganga  nisbatan  teskari 

qutbli qilib ulash (manfiy qutb p tip kristallga va musbat qutb r kristallga) natijasida 

tashqi elektr maydonning (E

1

 ) yo‘nalishi berkituvchi qatlam elektr maydoniga (E

2

) 

qarama-qarshi  yo‘nalishda  bo‘lib  qoladi  (5.7-  rasm,  v,  g).  Bunda  n-p-  o’tish  elektr 

maydonning  tormozlash  ta’sirini  ma’lum  darajada  kompensatsiyalash  hodisasi  yuz 

beradi  va  undan  ancha  katta  to‘g‘ri  tok  o‘tadi,  chunki  berkituvchi  qatlam  torayadi 

(5.7-  rasm,  g).  Tokning  bu  yo‘nalishiyai  to‘g‘pi  yo‘nalish  deb  ataladi.  YAxshi 

yarim  o‘tkazgichlarda  qarshilik  turri  va  teskari  yo‘nalishlarda  kamida  o‘n  marta 

o‘zgaradi. n-p - o’tishning ventil* (bir tomonlama) xususiyatidan yarim o‘tkazgichli 

asbob-larda keng foydalaniladi. 

 

Nazorat savollari: 

1. Yarim o’tkazgichlarda n-p va p-n o’tishlarni tushuntiring 

2. Yarim o’tkazgichlarga kiradigan moddalarni ayting.  

3. Yarim o’tkazgichlardan tuzilgan sxemalar chizing.  

 

---