Best scientific research 2022

BEST SCIENTIFIC
RESEARCH - 2022 
223 
In this work, we want to interpret the change of the volt-ampere characteristic of the 
photocell under the influence of a very high frequency wave and its reasons, the reasons for 
the change of the Fermi quasi-states by zones. 
When the electron-
hole gas is heated by means of a ХХ wave, the Fermi quasi-levels 
move away from their zones. As a result, diffusion currents of heated electrons and holes in 
the p=n region of the photocell increased. This, in turn, causes an increase in the 
recombination current in the diode. Recombination currents create direct currents in the 
diode. The generation is strong, and when the heating is weak, the photocurrent flows from 
the diode in the opposite direction [7-9]. This photocurrent is smaller than the photocurrent 
without heating. In other words, heating reduces the photocurrent. 
If
e
h
T
T
T
=

we introduce a condition equal to then 








−
=








−








+
=
−
−
−
−
1
1
)
(
)
(
0
0
0
0
e
e
kT
U
e
kT
e
s
kT
U
e
kT
e
p
h
n
n
e
p
e
j
e
L
ep
L
en
j






(1) 
we get VAX for a heated electron or hole. 
If you add a photocurrent to the full current, you get VAX
(
)













`
)
(
kT
e
0
0
0
0
0
0
0
0
1
e
0
0
f
kT
U
e
l
l
l
l
L
x
x
l
L
x
l
l
V
n
I
L
en
e
L
en
dx
e
I
h
e
dx
ne
e
dx
h
I
e
dx
n
e
GdV
RdV
dV
G
R
j
e
s
+








−

−
−
=
−
=
−

=
−
=
−
=
−
−
−
−
−








if the temperature of the charge carriers is equal to each other 
f
kT
U
e
kT
e
s
f
kT
U
e
kT
e
p
h
n
n
e
p
I
e
j
I
e
L
ep
L
en
j
e
e
−








−
=
−








−








+
=
−
−
−
−
1
1
)
(
`
)
(
0
0
0
0







(2) 
we will have an expression. 
If we see the VAX graph through the transcendental expressions obtained for the 
current and photocurrent of heated electrons and holes. 
Under the influence of different photocurrents, VAX at different temperatures is e = 
1.6*10(-19); k = 1.38*10(-23); T = 300; Js = 10(-9); Jf1 =0.1, Jf2 =0.3, Jf3 = 0.5; Eg = 1.1; 

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varphi = 0.6; Te1 = 1500; Te2= 2000; We can put Te3= 2500 values. even when there is a 
photo effect, VAX shifts from quadrants 1, 3, 4 to 1, 2, 3 quadrants due to heating. 
Figure 1. VAX change under the influence of different photocurrent and O`YuCh 
From the obtained graphs, we can see that the recombination currents increase 
under the influence of UV, and the generation currents increase under the influence of light. 
The reason is that the change in the concentration of main and non-main charge carriers at 
the limit of volume charge depends on the temperature. The crystal lattice temperature 
strongly affects the saturation current [10]. 
When the heating of electrons is strong, the recombination currents become larger 
than the generation currents. In this case, the diode receives energy mainly from 
microwaves. In this case, recombination currents occur in the p-n transition region 
(volumetric charge region) due to injection from the opposite side of the p-n transition to the 
n- and p- regions of the diode. The concentration of non-primary charge carriers increases 
due to the heating of the main charge carriers and their injection in the opposite field due to 
the increase of recombination currents due to heating. The increase of recombination 
currents is related to the increase of diffusion currents in the p-n junction [11]. Electron 
injection is performed by changing the electron temperature and the height of the p-n 
junction potential barrier. 
When the electrons and holes are heated under the influence of the УХХ wave, they 
recombine in the field of p-n discharge volume charge or in the quasi-neutral field after p-n 

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