Bipolyar tranzistor fizik parametrlari

h–parametrlar deb atash qabul qilingan. Ularga quyidagilar kiradi: h₁₁ – chiqishda qisqa tutashuv bo‘lgan vaqtdagi tranzistorning kirish qarshiligi; h₁₂ – uzilgan kirish holatidagi kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffisienti; h₂₁ –chiqishda qisqa tutashuv bo‘lgan vaqtdagi tok bo‘yicha kuchaytirish (uzatish) koeffisienti; h₂₂ –uzilgan kirish holatidagi tranzistorning chiqish o‘tkazuvchanligi. Barcha h – parametrlar oson va bevosita o‘lchanadi.
Elektronika bo‘yicha avvalgi adabiyotlarda kichik signalli parametrlarning chastotaviy bog‘liqliklariga juda katta e’tibor qaratilgan. Hozirgi vaqtda 10 GHs gacha bo‘lgan chastotalarda normal ishni ta’minlaydigan tranzistorlar ishlab chiqarilmoqda. Bunday xollarda talab qilinayotgan chastota xarakteristikalarini olish uchun ma’lumotnomadan kerakli tranzistor turini tanlash kerak.

1
1-BIPOLYAR TRANZISTORLARNI STATIK XARAKRERISTIKASI
Транзисторлар иккита электрон - кавак утказувчанликка эга булган электр узгартирувчи ярим утказгичли асбоб булиб, электрон схсмаларда электр сигналларини кучайтириш учун, кар хил частотали электр сигналларини хосил щ лиш учун ва электр сигналларини бир шаклдан иккинчи шаклга айлантириш учун ишлатилади. Хозирги вактда транзисторларнинг хар хил турлари мавжуд, улар кувватига караб, ишчи частотасига кдраб, тайёрланиш технологиясига караб ва ишлаш принципига караб ажралиб турадилар. Кувват буйича улар уч гуру\га булинадилар: Кам кувватли транзисторлар - 0,3 Вт гача; Урта кувватли транзисторлар - 0,3 дан то 1,5 Вт гача; Кувватли транзисторлар - 14 Вт дан юкори. Ишчи частотаси буйича: Паст частотада ишловчи транзисторлар - (3 МГц гача); Урта частотада ишловчи транзисторлар - (3 МГц дан то 30 МГц гача); Юкори частотада ишловчи транзисторларга (300 МГц дан юкори) булинадилар. Транзисторлар электрон - кавак утказувчанликка караб бир, икки, уч ва гул утказувчанликка эга булган транзисторларга булинадилар. Технологах ишлаб чикариш жараёни буйича куйма транзисторлар, диффузион транзисторлар, кристалларни устириб хосил килиш оркали косил килинадиган транзисторларга булинадилар. Токни хосил килувчи зарядларга караб улар р-п-р типли (асосий заряд ташувчилар - каваклар) ва п-р-п типли (асосий заряд ташувчилар - электронлар) транзисторларга булинадилар. куйидаги 3.1-расмда р-п-р типли транзисторларни ишлаш принципи курсатилган. Транзисторнинг коллектор занжирига - Ел манба тескари уланади. Майдон кучланганлиги коллектор утказувчанлищца кучадди, натижада асосий булмаган заряд ташувчиларининг харакати натижасида кичик микдор тескари ток базадан коллекторга караб окади. Бу токни иссиклик токи дейилади, чунки бу ток иссивдикка боглик, булади ва / „ билан белгиланади. Агарда кирши занжирига, яъни эмиттер ва база оралигига +Е^ манбани тугри уланса майдон кучланганлиги эмиттер утказувчанлигнда пасаяди ва натижада зарядларнинг харакати тезлашади. Каваклар эмиттер кдтламидан база катламига (асосий заряд ташувчилар), электронлар база кдтламидан эмиттер катламига (асосий булмаган заряд ташувчилар) утадилар ва каваклар /,,, токни электронлар /ш токини хосил киладилар. Натижада эмиттер занжирида тугри тот косил булади, бу токни эмиттер токи дейилади 1=1^1^. Бунда f^ » I „ чунки эмиттердаги асосий заряд ташувчиларнинг консентрацияси базадагиларга нисбатан куюкдир. Эмиттердан базага утган зарядлар диффузия натижасида коллектор майдони таъсирида тортиладилар ва коллектор кдтламига утадилар, натижада коллектор цатламида асосий заряд ташувчиларнинг консентрацияси купаяди ва занжирнинг коллекторга ёпиш ган чегарасига етиб бориб занжирдан келаётган (-fg j электронлар оркали нейтранланади ва коллектор катламида зарядларнинг кайта тикланиши содир булади, натижада электрон мувозанат косил булади. Эмиттер катлам ид ан асосий заряд ташувчиларнинг базага утиши натижасида эмиттер кдтламида каваклар камаяди бу эса кириш занжирининг манбаи Efe орцали тулади ва эмиттер цатламида х,ам мувозанат холати тикланади. Купчилик транзисторларда ток буйича узатиш коэффициенти а=0,92-Ю,997. Эмиттер токи эса /, = /,, + I*. /. = /,+ L h = Ли + ^бр + Ло3.1-раем, р-п-р типли транзистор. Кириш занжиридаги Е& манба электр майдони оркали электронлар эмиттерга утиб /6 токини косил киладилар, каваклар эса эмиттер токининг кавак утказувчанлиги косил килган кисмини ташкил килади. Кавакларнинг колган кисми эса п-р утказувчанликдан коллекторга jhn6 коллектор токини /, ни косил килади. Шундай килиб эмиттердан базага ва базадан коллекторга утган асосий заряд ташувчиларнинг маълум кисми база кдтламида колгани ва база токини косил килипща иштирок этгани учун коллектор токи /, эмиттер токидан бир озгина кичикрок булади.