Bipolyar tranzistor fizik parametrlari

TRANZISTOR-AKTIV TO’RTQUTBLIK
Bipolyar tranzistor fizik parametrlari. Tok bo‘yicha vakoeffisientlar statik parametrlar hisoblanadi, chunki ular o‘zgarmas toklar nisbatini ifodalaydilar. Ulardan tashqari tok o‘zgarishlari nisbati bilan ifodalanidigan differensial kuchaytirish koeffisientlari ham keng qo‘llaniladi. Ctatik va differensial kuchaytirish koeffisientlari bir biridan farq qiladilar, shu sababli talab qilingan hollarda ular ajratiladi. Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffisientining kollektordagi kuchlanishga bog‘liqligi Erli effekti bilan tushuntiriladi.
UE sxemasi uchun tok bo‘yicha differensial kuchaytirish koeffisienti


temperaturaga bog‘liq bo‘lib baza sohasidagi asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning yashash vaqtiga bog‘liqligi bilan tushuntiriladi. Temperatura ortishi bilan rekombinatsiya jarayonlari sekinlashishi sababli, odatda tranzistorning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffisientining ortishi kuzatiladi.
Tranzistor xarakteristikalarining temperaturaviy barqaror emasligi asosiy kamchilik hisoblanadi.
Yuqorida ko‘rib o‘tilgan tok bo‘yicha uzatish koeffisientidan tashqari, fizik parametrlarga o‘tishlarning differensial qarshiliklari, sohalarning hajmiy qarshiliklari, kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffisientlari va o‘tish hajmlari kiradi.
Tranzistorning emitter va kollektor o‘tishlari o‘zining differensial qarshiliklari bilan ifodalanadilar. Emitter o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda siljiganligi sababli, uning differensial qarshiligi r_E ni ifodani qo‘llab aniqlash mumkin:


,
bu yerda I_E – tokning doimiy tashkil etuvchisi. U kichik qiymatga ega (tok 1 mA bo‘lganda r_E=20-30 Om ni tashkil etadi) bo‘lib, tok ortishi bilan kamayadi va temperatura ortishi bilan ortadi.
Tranzistorning kollektor o‘tishi teskari yo‘nalishda siljiganligi sababli, I_K toki U_KB kuchlanishiga kuchsiz bog‘liq bo‘ladi. Shu sababli kollektor o‘tishning differensial qarshiligi =1MOm bo‘ladi. r_K qarshiligi asosan yerli effekti bilan tushuntiriladi va odatda u ishchi toklarning ortishi bilan kamayadi.
Baza qarshiligi r_B bir necha yuz Omni tashkil etadi. Yetarlicha katta baza tokida baza qarshiligidagi kuchlanish pasayishi baza va emittter tashqi chiqishlari kuchlanishiga nisbatan emitter o‘tishdagi kuchlanishni kamaytiradi.
Kichik quvvatli tranzistorlar uchun kollektor qarshiligi o‘nlab Om, katta quvvatliklariniki esa birlik Omlarni tashkil etadi.
Emittter soha qarshiligi yuqori kiritmalar konsentratsiyasi sababli baza qarshiligiga nisbatan juda kichik.


UB sxemadagi kuchlanish bo‘yicha teskari aloqa koeffisienti (I_E = const bo‘lganida)  kabi aniqlanadi, UE sxemasida esa (I_B = const bo‘lganida)  orqali aniqlanadi. Koeffisientlar absolyut qiymatlariga ko‘ra deyarli bir – xil bo‘ladilar va konsentratsiya va tranzistorlarning tayyorlanish texnologiyasiga ko‘ra  = 10^-2 -10^-4 ni tashkil etadilar.
Bipolyar tranzistorlarning xususiy xossalari asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilarning baza orqali uchib o‘tish vaqti va o‘tishlarning to‘siq sig‘imlarining qayta zaryadlanish vaqti bilan aniqlanadilar. Bu ta’sirlarning nisbiy ahamiyati tranzistor konstruksiyasi va ish rejimiga, hamda tashqi zanjir qarshiliklariga bog‘liq bo‘ladi.
Juda kichik kirish signallari va aktiv ish rejimi uchun bipolyar tranzistorni chiziqli to‘rtqutblik ko‘rinishida ifodalash mumkin va bu to‘rtqutblikni biror parametrlar tizimi bilan belgilash mumkin. Bu parametrlarni