Bipoyar tranzistorning struktur sxemasi

«n» tipidagi ichki kanalli MDP tranzistorinish VAX: a— stokdagi, b — kirishdagi.

MDP- tranzistorlarning asosiy parametrlariga quyidagilar kiradi:

1. 
   Kirish differensial qarshiligi (istok zanjirida):
   

Maydonli tranzistorlar uchun bu qiymat 10⁸ dan YU¹⁵ Om gacha.

2. 
   CHiqish differensial qarshiligi (stok zanjirida):
   

U 10⁵ dan 10⁷ Om gacha bulishi mumkin.

3. 
   Istok bo’yicha tiklik xarakteristikasi:
   

Maydonli tranzistorlar tikligi bir necha un ulushlardan 3 mA/V gacha bulishi mumkin.

4. 
   Taglik bo’yicha xarakteristika tikligi:
   

5. 
   Elektrodlararo yig’imlar—kirishdagi (S_sh), chiqishdagi (S_si ) o’tishdagi (S_zs). Ular undan bir ulushli pf ni tashkil etadi. Elektr maydonli tranzistorlardan yuqori chastotali kuchaytirgich sxemalarida, radio signallarini o’zgartirish va impulsli texnikada foydalaniladi.