Bipoyar tranzistorning struktur sxemasi

a — kirishdagi, b — chik.ishdagi.

Tranzistorning tashqi manba ta’siriga bo’lgan reaksiyasi uning VAX va parametrlari bilan yaxshi tushuntiriladi. Statik xarakte-ristika eng muhim hisoblanib, u tranzistorlar xususiyatini uning boshqa zanjiri elementlariga boglanmagan holda aniqlaydi. Tran-zistorning kirish va chiqish zanjirlaridagi tok bilan kuchlanishlari orasidagi bog’lanish, tranzistor «UB» sxema bo’yicha ulangan hol uchun (17- rasm) uning kirish va chiqish VAX sini aniqlaydi. Ular sxemalarning elektr hisoblarida zarur bo’ladigan tranzistorning statik parametrlarini grafoanalitik usul
bilan topishga imkon beradilar. Grafik yasash yuli bilan tranzistorning eng muhim parametrlaridan biri — tok uzatish koeffitsientini topish mumkin:

U doim birdan kichik bo’ladi va uning qiymati 0,9. . . 0,995 chegarada yotadi. 18-rasmda «UE» sxemasi bo’yicha ulachgan tranzistorning kirish va chiqish V AX kursatilgan.

Umumiy emitter sxemasi bo’yicha ulangan tranzistorning VAX: a — kirishdagi, b— chiqishdagi.
Tranzistor «UE» sxema bo’yicha ulanganda tok uzatish koeffitsienta U_k,e = const bo’lganda
ekanligini hisobga olib,


ni topamiz.
Hozirgi zamon tranzistorarida r = 1. . . 200 bo’ladi. Tranzistor sxemalarini xisoblash va analiz kilishda kupincha tranzistor-torlarning h — parametridan foydalaniladi. Umumiy emitter sxe-masi bilan ulangan tranzistorning h — parametrlarini kurib chiqamiz. Bunday ulanishda tranzistorning elektr xolatini turtta miqdor xarakterlaydi: I_b , U₆ , I_k va U_K. Ularning ikkitasini mustaqil deb qarash mumkin; dolgan ikkitasi esa ular orqali ifo-dalanadi. Mustaqil qiymatlar sifatida U_K va I_b olamiz, u holda

VAX ning ishchi (chiziqli) qismlari chegerasidagi |U₆| va |D_k| orttirmalar uchun quyidagilar urinli:
Bu erda h_ipe—moc xususiy hosilalar. Ular «UE» bilan ulangan sxema uchun tranzistorning kirish va chiqish xarakteristikalari to’plamidan ish nuqtasi yaqinida osongina topiladi. Masalan,


Parametrlar: h_11e — qarshilik ulchamligiga ega bulib, kollektor-ning uzgarmas kuchlanishida «UE» sxemasi bo’yicha ulangan tranzistorning kirish qarshiligini ifodalaydi va turli xil tranzistorlar uchun 100. . . 1000 Om qiymatga ega bulishi mumkin; h_12e —uzilgan kirishning teskari bog’lanish koeffitsienta. Uning qiymati 2*10^-2 dan 2*10^-4 chegaralarda;