Bipoyar tranzistorning struktur sxemasi

kanal, 4 — stok, 5 — dielektrik, 6 — taglik.

p—r- o’tish bilan bonщariladigan tranzistorlarda kanal zatvor sohasida kichik kesim yuzaga ega bo’lgan p yarim o’tkazgich kristallining bir qismi bilan hosil qilingan ( a), p yarim o’tkazgichga bevosita r soha tegib turadi va
natijada p—r o’tish hosil bo’ladi. Zatvor va istok orasida kuchlanishni uzgartirib (i_zi) r sohaning kesim yuzini uzgartirish, kristall o’tkazuvchanligini rostlash va asosiy zaryad tashuvchilar - elektronlarning dreyf harakati tomonidan hosil qilinayotgan, stokdan kanal orqali istokka utayotgan tokni boshqarish mumkin. 20- rasm, b da boshqaruv kanali bo’lgan tranzistorning VAX kursatilgan, MDP tran- zistorlari ishlaganda maydon effektы deb ataluvchi xrdisadan foydalaniladi. Buning mohiyati shuki, kristallda tashqi manba tomonidan uning ustki qatlamining elektr o’tkazuvchanligini o’zgartiruvchi elektr maydon xosil kilinadi. Ikki xil MDP tranzistorlarining zanjirlari va tuzilishi
Qalinligi 150 ... 200 mkm va solishtirma qarshiligi bir necha Om*sm bo’lgan MDP tranzistorining p tipli plastinkasida kovak-lar konsentratsiyam katta bo’lgan, r tipli ikkita soha (stok va istok) hosil k;ilinadi (, a). Sohalar orasidagi masofa (kanal uzunligi), qatlam chuqurligi 5 nm gacha olinganda 5 ... 50 mkm ni tashkil etadi. Kristall yuzida avval yupsa dielektrik katlam(0,1 mk atrofida), kanalning pastki qismida esa, istok, zatvor va stok tomonlaridan metall kontaktli plyonka satlami hosil qilinadi.

oshqaruv p-n o’tishli maydonli tranzistor: a - kanal shaklistrukturami, b - tranzistorning VAX.

. MDP tranzistorning zanjirlari: a) ichki kanalli, b) induksiyalangan-kanalli.
Zatvorga musbat potensial berilganda kanal - istok - stok qismning qarshiligi shtta va asbob berk bo’ladi (I_ist = 0). B u xrlda elektr maydon kanaldan kovaklarni itarib chiqaradi va uning asosiy tashuvchilarini siyraklashtiradi (ya’ni kamaytiradi). Zatvorga manfiy potensial berilsa, maydon kovaklarni kanal ichiga «tortadi» va uni zaryad tashuvchilar bilan boyitadi (ya’ni kupaytiradi). Kanaldan utayotgan tok ortadi. SHunday qilib, zatvor kuchlanishi (U₃) ning mikdori, va qutbini uzgartirib kanalning utkazuv-chanligini uzgartirish va undan utayotgan tokni modulyasiya
qilish mumkin. Induksiyalashgan kanalli MDP - tranzistorlarida b) kanalning uzi texnologik yul bilan hosil qilinmaydi. U tashqi manba elektr maydonita’sirida hosil bulib, stok va istok oraligidagi zatvor ostidagi yuza yaqinida hosil qilinuvchi, yugщa inver-sion qatlam —r tipidagi kovakli o’tkazuvchanlikli kanal sifatida yuzaga keltiradi. MDP-tranzistorlarning VAX rasmda kursatilgan.