Differensial kuchaytirgich reja: Differensial kuchaytirgich (DK) haqida tushuncha
Download 254.22 Kb.
|
3 (2) (1)
- Bu sahifa navigatsiya:
- Nazorat savollari
|
O‘rtacha kirish toki IKIR.O‘RT - ham DKning aniqlik parametrlaridan hisoblanadi. O‘rtacha kirish toki siljish tokidan ancha katta qiymatga ega va turli DK larda 1÷7·103 nA bo‘ladi. O‘rtacha kirish toki signal manbai qarshiligi RG orqali o‘tib, unda kuchlanish pasayishi hosil qiladi. Bu kuchlanish o‘zini kiruvchi sinfaz signaldek tutadi. KU.SF marta so‘ndirilgan ushbu kuchlanish DK chiqishida yolg‘on signal sifatida hosil bo‘ladi.
DK kuchaytirish koeffitsienti kollektor zanjiridagi RK yuklama qarshiligiga bog‘liq bo‘ladi. Integral texnologiyada RK qiymatining ortishi bilan, kristallda u egallagan yuza ortadi va tranzistorlar ish rejimlari saqlangan holda, kuchlanish manbai qiymati ham ortadi. SHuning uchun DKlarda kuchaytirish koeffitsientini oshirish uchun, RK rezistorlar o‘rniga, dinamik (aktiv) yuklamadan foydalaniladi. Dinamik yuklama bipolyar yoki maydoniy tranzistorlar asosida hosil qilinadi. YUklama sifatida ikkinchi BTG ishlatilgan DK sxemasi 7.3 – rasmda keltirilgan. Ikkinchi BTG p – n – p turli VT3 va VT4 tranzistorlar asosida yaratilgan. Birinchi BTG ilgarigidek DK sokinlik rejimini belgilaydi va emitter qarshiligi sifatida ishlatiladi. 7.3 – rasm. Dinamik yuklamali DK sxemasi. BTGlarning statik qarshiligi differensial qarshiligiga nisbatan ko‘p marta kichik. Bu holda BTGdan sokinlik toki oqib o‘tishi hisobiga kuchlanish pasayishi, uning statik qarshiligi bilan aniqlanadi. Signal berilganda kollektor toklarining o‘zgarishi hisobiga chiqish kuchlanishining o‘zgarishi uning differensial qarshiligi bilan bog‘liq bo‘ladi. SHuning uchun (7.3) formulada RK o‘rniga RDIF qo‘yilishi kerak. Bunda kuchaytirish koeffitsientining kaskadda ruxsat etilgan maksimal qiymati topiladi. Tashqi yuklama ulanganda kuchaytirish koeffitsientining absolyut qiymati faqat uning qarshiligi RYU bilan aniqlanadi, ya’ni (7.3) formulada RK o‘rniga RYU qo‘yilishi kerak. DKning asosiy parametrlariga differensial va sinfaz signallarni kuchaytirish koeffitsientidan, sinfaz tashkil etuvchini so‘ndirish koeffitsientidan tashqari kirish va chiqish qarshiliklari ham kiradi. Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi RYU e’tiborga olinmaganda DKning chiqish qarshiligi . Simmetrik kirishda DKning kirish qarshiligi chap va o‘ng tomonlar kirish qarshiliklari yig‘indisiga teng bo‘ladi va signal manbaiga nisbatan ketma - ket ulangan bo‘ladi. RE=0 bo‘lganda: . β = 100, rE = 250 Om va rB = 150 Om bo‘lsin, bunda RKIR = 5,35 kOm bo‘ladi. β ning qiymati tranzistor sokinlik tokiga IB0 bog‘liq. SHuning uchun kirish qarshiligini oshirish uchun DKni kichik signal rejimida ishlatish kerak. Kaskad kuchaytirish koeffitsienti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ko‘proq Darlington sxemasi ishlatiladi (7.4 – rasm). Bunday DKning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti . Tarkibiy tranzistorning kirish qarshiligi . bo‘ladi. O‘zgartirishlarni kiritib: . 7.4 – rasm. Tarkibiy tranzistorlar asosidagi DK sxemasi. Demak, tarkibiy tranzistorlar qo‘llanilganda DK kirish qarshiligi β marta ortar ekan. Nazorat savollari Differensial kuchaytirgich (DK) haqida ma’lumot bering. Simmetrik DK haqida ma’lumot bering. Nosimmetrik DK haqida ma’lumot bering. DK asosiy parametrlarini sanab bering. Real DK qanday parametrlar bilan xarakterlanadi? DKlarda kirish signalining sinfaz va parafaz tashkil etuvchilari nima ? Download 254.22 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|