Электроника фанининг мазмуни, электрониканинг ривожланиш босқичлари

102. Иккита киришли ЭБМ МЭ схемаси.

103. 500 серияга мансуб ЭБМ элементнинг принципиал электр схемаси.

104. Икки киришли ЭБМ элементнинг шартли гарфик белгиланиши ва унга изоҳ беринг.
Элемент мусбат мантиқ учун бир вақтнинг ўзида иккита функцияни амалга оширади: У1 чиқиш бўйича 2ЁКИ-ЭМАС (Пирс элементи) ва У2 чиқиш бўйича 2ЁКИ (дизъюнкция).
105. n – МДЯ транзисторларида бажарилган инвертор схемасига изоҳ беринг.
Бу схемаларда юклама сифатида ишлатилаётган VT0 транзисторлар доим очиқ ҳолатда бўлади, чунки уларнинг затворлари кучланиш манбаининг мусбат қутбига туташган. Улар ток чеклагичлар (динамик қаршиликлар) вазифасини бажаради.

106. n – МДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС МЭлари
107. n–МДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС МЭ схемасида агар транзисторлар бирининг кириши потенциали U0 дан кичик (UКИР < U0, мантиқий 0) бўлгандаги транзисторлар ҳолатини аниқланг.

u tranzistor yopiladi, yuklamadagi VT0 tranzistor stok toki ham 0 teng bo‘ladi, chiqish manba kuchlanishi Ye_M qiymatiga yaqin bo‘lgan, ya’ni mantiqiy 1 ga mos kuchlanish o‘rnatiladi
108. n–МДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС МЭ схемасининг иккала киришга мантиқий 1 сатҳга мос (U-1КИР >U0) мусбат потенциал берилгандаги транзисторлар ҳолатини аниқланг.

110. n–МДЯ транзисторларида бажарилган 2ЁКИ-ЭМАС МЭ схемасининг иккала киришга мантиқий 0 сатҳи берилгандаги транзисторлар ҳолатини аниқланг.

VT1 va VT2 yopiladi, chiqishda esa yuqori sath kuchlanishi – mantiqiy 1 o‘rnatiladi

111. КМДЯ транзисторларида бажарилган инвертор схемаси ва унинг вазифаси.

КМДЯ-транзисторларда ҲАМ-ЭМАС ва ЁКИ-ЭМАС мантиқий амаллар осон ташкил этилади. ҲАМ-ЭМАС мантиқий амали кириш транзисторларини кетма – кет улаш йўли билан, ЁКИ-ЭМАС мантиқий амали эса – уларни параллел улаш йўли билан амалга оширилади. ҲАМ-ЭМАС схемада юклама вазифасини бажарувчи транзисторлар бир-бирига параллел уланади, ЁКИ-ЭМАС схемада эса – кетма – кет. Бу вақтда ҳар бир кириш учун калит-инверторни ҳосил қилувчи иккита транзистор талаб қилинади.

112. КМДЯ транзисторларида бажарилган 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС МЭлари схемалари ва уларга изоҳ беринг.

Статик ҳолатда КМДЯ-транзисторларда бажарилган элементлар қувват истеъмол қилмайдилар, чунки транзисторларнинг бир гуруҳи берк бўлиб, деярли ток истеъмол қилмайди. Бу вақтда улардан берк транзисторларнинг жуда кичик токи оқиб ўтади. КМДЯТМ элементларнинг тезкорлиги МДЯТМ элементлар тезкорлигига нисбатан сезирларли даража юқори. Бу ҳолат, КМДЯТМ элементларида канал кенглигига чекланишлар қўйилмаганлигидан келиб чиқади.
113. КМДЯ транзисторлар асосидаги 2ҲАМ-ЭМАС МЭлари схемаси киришларига U0КИР < UnБЎС кучланиш берилганда транзисторлар ҳолатини аниқланг.
Barcha qayta ulanuvchi (n–kanalli tranzsitorlar) ochiladi, chiqish kuchlanishi U⁰ga teng bo‘ladi, kirish signallarining boshqa kombinatsiyalarida ketma-ket ulangan qayta ulanuvchi tranzistorlardan biri yopiladi, bu vaqtda chiqish kuchlanishi U¹ = Ye_M ga teng bo‘ladi.
114. КМДЯ транзисторлар асосидаги 2ЁКИ-ЭМАС МЭлари схемаси киришларига U0КИР < UnБЎС кучланиш берилгандаги транзисторлар ҳолатини аниқланг.
Qayta ulanuvchi n – kanalli tranzistorlar yopiladi, r – kanalli tranzistorlarda manfiy potensial (U⁰_KIR–Ye_M ≈–Ye_M ) bo‘ladi, bo‘sag‘aviy kuchlanish qiymatidan katta bo‘ladi, lekin kanallardan berk tranzistorlarning juda kichik toklari oqib o‘tadi, kanallardagi kuchlanish pasayishi deyarli 0 teng bo‘ladi va chiqish kuchlanishi U¹ = Ye_M, mantiqiy 1 ga mos keladi.