Таркибий транзисторда натижавий ток қийматини аниқланг.
Таркибий транзисторда натижавий ток узатиш коэффициенти алоҳида транзисторлар ток узатиш коэффициентларининг кўпайтмасига тенг.
Агар β1 ва β2 лар бир хил қийматга эга бўлса, масалан 100 га, ҳисоблаб топилган коэффициент
β= β1 ∙β2 = 10000 бўлади.
Лекин, бир хил VT1 ва VT2 ларда β1 ва β2 коэффициентлар IК1 ва IК2 коллектор токлари бир хил бўлгандагина бир–бирига тенг бўлади.
IЭ1>>IБ1=IЭ2 бўлгани учун IК2 >> IК1.
Шунинг учун β1<< β2 ва β= β1 ∙β2 амалда бир неча мингдан ошмайди.
Қўшимча симметрияга эга бўлган таркибий транзисторлар.
Таркибий транзисторлар турли ўтказувчанликка эга бўлган транзисторлар асосида ҳам ҳосил қилиниши мумкин. Бундай тузилмалар қўшимча симметрияга эга бўлган таркибий транзисторлар деб аталади. Комплементар БТлар асосидаги Шиклаи таркибий транзистори тузилиши қуйидаги расмда келтирилган.
Комплементар БТлар, БТ ва МТлар асосидаги таркибий транзистор схемалари.
Таркибий транзистор майдоний ва биполяр транзисторлар асосида ҳосил қилиниши ҳам мумкин. Кейинги расмда n – канали p-n ўтиш билан бошқарилувчи МТ ва n-p-n тузилмали БТ асосида ҳосил қилинган таркибий транзистор схемаси келтирилган. Ушбу схема майдоний ва биполяр транзисторларнинг хусусиятларини ўзида мужассамлаштирган – бу жуда катта кириш қаршилигига ва ток бўйича, демак қувват бўйича ҳам, жуда катта кучайтириш коэффициентига эгалигидан иборат.
Инжекцион - вольтаик транзистор асосидаги таркибий транзистор схемалари.
Агар қуѐш элементи ва биполяр транзисторли занжир узилган бўлса (RЮ =∞), у ҳолда ўтказгичда мос равишда UФ ва UИВ қийматлари тенг бўлган салт юриш кучланиши UСЮ юзага келади (2, а ва б-расм). Фото-вольтаик режимдаги қуѐш элементи ҳамда инжекция-вольтаик режимдаги биполяр транзисторнинг RЮ юкламага уланган ҳолат учун зона диаграмалари 3-расмда келтирилган. 14 Биполяр транзистор учун инжекция-вольтаик кучланиш ва қуѐш элементи учун фото-вольтаик кучланиш қийматлари, ҳамда инжекция токи ва фототок қийматлари юклама (RЮ) қийматига боғлиқ.
Do'stlaringiz bilan baham: |
