Elektronika va asbobsozlik yo’nalishi 421-21 e va a guruh talabasi


Download 1.13 Mb.
Pdf ko'rish
bet8/21
Sana07.03.2023
Hajmi1.13 Mb.
#1246555
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   21
Bog'liq
лаб хис дафтар ЭФА 2022 й

 
 
 
 
 
 
 
 
2 
 
 
 
 
 
 
 
 
3 
 
 
 
 
 
 
 
 
O’rtacha qiymat 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
6. Tajribalarda topilgan ma’lumotlar asosida<k>, <

k>vaE

lar hisoblanadi. 
7. Moddaning elektrokimyoviy ekvivalenti k ning o’rtachaa rifmetik qiymati ni (5) 
formulaga qo’yib elektronning zaryadi e hisoblanadi.
Aniqlangan natija e

1,6•10
-19
Kl bilan taqqoslanadi. 
8. Oxirgi natija quyidagicha yoziladi: 
Sinov savollari 
 
1. Elektroliz deb qanday hodisaga aytiladi? 
2. Elektrolitik dissosiasiya deb nimaga aytiladi? 
3. Elektrolitlar qanday o’tkazuvchanlikka ega? 
4. Metallar va elektrolitlar o’tkazuvchanligining farqi qanday? 
5. Elektroliz vaqtida elektrolitning tarkibi o’zgarmasligi uchun anodni qanday moddadan tanlash 
kerak? 
6. Faradeyning birinchi qonunini yozing va ta’riflang. 
7. Moddaning elektrokimyoviy ekvivalenti deb nimaga aytiladi? 
8. Elektrolizning texnikada qo’llanilishiga misollar keltiring. 


 
3-tajriba ishi.

YArim utkazgichli materiallarning elektr
o’tkazuvchanligini tashqi ta’sirlarga boglikligini
o’rganish. 
YArim o‘tkazgichlar sinfiga absolyut nol temperaturada elektr o‘tkazuvchanligi nolga teng 
bo‘lgan va temperatura ortishi bilan bu ko‘rsatgich ortib boradigan qattiq kristall moddalar 
kiradi. Elektr o‘tkazuvchanlik – bu moddaning tok o‘tkazish xossasi, solishtirma elektr 
o‘tkazuvchanlik 

esa, moddaning elektr o‘tkazuvchanligini son jihatdan xarakterlaydigan 
kattalik hisoblanadi. Solishtirma qarshilik – bu solishtirma elektr o‘tkazuvchanlikka teskari 
bo‘lgan kattalik hisoblanadi 


1


Berilgan materialdan tayyorlangan ixtiyoriy o‘lchamdagi o‘zakning qarshiligi quyidagi 
formuladan aniqlanadi: 
S
l
R


, (4.1) 
bu erda l – o‘zak uzunligi (m); S – o‘zakning ko‘ndalang kesimi (m
2
). 

kattaligi erkin zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi va ularning harakatchanligiga bog‘liq. 


nq

, (4.2) 
bu erda n – zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi; q – tashuvchi zaryadi; 

- uning 
harakatchanligi. 
Zaryad tashuvchining harakatchanligi deb, kuchlanganlik 1 ga teng bo‘lgan elektr 
maydondagi uning harakat tezligi tushuniladi. 






В
сек
см
E
v

, (4.3) 
bu erda v – elektr kuchlanganligi E bo‘lgan elektr maydondagi zaryad tashuvchi tezligi. 
Agar yarim o‘tkazgich tarkibida 10
-9
% kam kiritma bo‘lsa, u xususiy yarim o‘tkazgich deb 
ataladi. Xususiy yarim o‘tkazgichdagi zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi temperaturaga va 
ta’qiqlangan zona kengligiga bog‘liq bo‘ladi, eksponensial qonunga bo‘ysunadi: 
КТ
W
i
i
ЗЗ
Ae
p
n
2




, (4.4) 
bu erda A –proporsionallik koeffitsienti, 
ЗЗ
W

- berilgan yarim o‘tkazgich ta’qiqlangan zona 
kengligi, K –Bolsman doimiysi; T – absolyut temperatura. 
Zaryad tashuvchilar harakatchanligi absolyut temperatura kvadrat ildiziga teskari nisbatda 
ortib boradi 
T
B


, (4.5) 
bu erda V –proporsionallik koeffitsienti. 
Odatda, zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi, ularning harakatchanligi kamayishiga nisbatan 
tez ortadi. SHu sababli, ular manfiy qarshilikning temperatura koeffitsientiga egadirlar (QTK). 
QTK – bu 1 
0
Sda qarshilikning nisbatan ortishi.
(4.1) va (4.4) ifodalardan ko‘rinib turibdiki, xususiy yarim o‘tkazgichlarning qarshiligi 
temperaturaga kuchli ravishda bog‘liq bo‘ladi. Termistor deb ataluvchi yarim o‘tkazgich 


asboblarning ishlash prinsipi shu xossaga asoslangan. Termistor (termorezistor) – bu nochiziqli 
rezistor bo‘lib, uning qarshiligi kuchli ravishda temperaturaga bog‘liq. 
4.1- rasmda termorezistor qarshiligini temperaturga bog‘liqligi va uning shartli belgilanishi 
ko‘rsatilgan. Termorezistorlar oksid va karbidlardan tayyorlanadi. 
4.1.- rasm. Termorezistor qarshiligini temperaturga bog‘liqligi
va uning shartli belgilanishi 
Ko‘p yarim o‘tkazgichlarda kvant nuri ta’sirida valent zonadan ta’qiqlangan zonani engib 
o‘tib, elektron – kovak juftligi yuzaga keladi. Fotoqarshilikning (fotorezistor) ishlash prinsipi shu 
xossaga asoslangan. 
Agar yorug‘lik bo‘lmasa, fotorezistor juda katta qorong‘ulik qarshiligiga R
Q
=10
4
-10
7
Om ega 
bo‘ladi. Fotorezistor sifatida turli karbidlar qo‘llaniladi. 

Download 1.13 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   ...   4   5   6   7   8   9   10   11   ...   21




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling